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BZT52C2V2-HE3_A-08 复制

品牌：Vishay复制

封装：SOD-123

类目： 场效应管(MOSFET)

编号：L44761193

漏源电压(Vdss)：400V

连续漏极电流(Id)：6.3A

导通电阻(RDS(on))：550mΩ@10V，6A

耗散功率(Pd)：125W

15000+： ¥ 0.447975

30000+： ¥ 0.410540

45000+： ¥ 0.391534

75000+： ¥ 0.370048

105000+： ¥ 0.357405

150000+： ¥ 0.345092

总额：¥ 6719.63

BZT52C2V2-HE3_A-08 复制

品牌：Vishay复制

封装：SOD-123

类目： 场效应管(MOSFET)

编号：L40484021

漏源电压(Vdss)：400V

连续漏极电流(Id)：6.3A

导通电阻(RDS(on))：550mΩ@10V，6A

耗散功率(Pd)：125W

15000+： ¥ 0.447975

30000+： ¥ 0.410540

45000+： ¥ 0.391534

75000+： ¥ 0.370048

105000+： ¥ 0.357405

150000+： ¥ 0.345092

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