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首页 > 场效应管(MOSFET) > IRS2186STRPBF
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IRS2186STRPBF

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单价

总价

1+

¥ 20.570000

¥ 20.57
10+

¥ 18.510000

¥ 185.1
25+

¥ 17.410000

¥ 435.25
100+

¥ 14.840000

¥ 1484
250+

¥ 13.960000

¥ 3490
500+

¥ 12.190000

¥ 6095
1000+

¥ 10.650000

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INFINEON

品牌:

INFINEON

型号:

IRS2186STRPBF

编号:

E008809

包装:

-

批号:

-

封装:

-

毛量:

0.000克(g)

描述:

芯片, 场效应管, MOSFET/晶体管, IGBT驱动器, 高/低压侧, SOIC8

  • 产品参数
  • 数据手册PDF
  • 产品概述

产品参数

产品属性 属性值
商品目录 场效应管(MOSFET)
数量 1个N沟道
漏源电压(Vdss) 55V
连续漏极电流(Id) 110A
导通电阻(RDS(on)) 8mΩ@10V,62A
耗散功率(Pd) 200W
阈值电压(Vgs(th)) 4V
栅极电荷量(Qg) 146nC
输入电容(Ciss) 3.247nF
反向传输电容(Crss) 211pF
工作温度 -55℃~+175℃
暂无产品概述

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