产品描述：场效应管, MOSFET, N沟道, 50V, 0.2A, SOT23-3
产品参数
| 产品属性 |
属性值 |
| 商品目录 |
场效应管(MOSFET) |
| 数量 |
1个N沟道 |
| 漏源电压(Vdss) |
50V |
| 连续漏极电流(Id) |
200mA |
| 导通电阻(RDS(on)) |
3.5Ω@10V，220mA |
| 耗散功率(Pd) |
300mW |
| 阈值电压(Vgs(th)) |
1.5V |
| 输入电容(Ciss) |
50pF@10V |
| 工作温度 |
-55℃~+150℃@(Tj) |
PDF描述：N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR N沟道增强型网络场效晶体管
