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IHW40N65R5XKSA1

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¥ 37.8477
30+

¥ 20.692280

¥ 620.7684
120+

¥ 16.901973

¥ 2028.23676
510+

¥ 14.119258

¥ 7200.82158
1020+

¥ 13.103568

¥ 13365.63936
2010+

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Infineon Technologies

品牌:

Infineon Technologies

型号:

IHW40N65R5XKSA1

编号:

L44716802

包装:

-

批号:

-

封装:

TO-247-3

毛量:

0.001克(g)

描述:

-

  • 产品参数
  • 产品概述

产品参数

产品属性 属性值
商品目录 IGBT管/模块
IGBT类型 -
集射极击穿电压(Vces) 650V
集电极电流(Ic) 80A
耗散功率(Pd) 230W
栅极阈值电压(Vge(th)) -
栅极电荷量(Qg) 193nC
输入电容(Cies) -
开启延迟时间(Td(on)) -
关断延迟时间(Td(off)) 258ns
导通损耗(Eon) -
关断损耗(Eoff) -
反向恢复时间(Trr) -
工作温度 -40℃~+175℃@(Tj)

PDF描述:Insulated Gate Bipolar Transistor, 80A I(C), 650V V(BR)CES, N-Channel, TO-247, GREEN, PLASTIC PACKAGE-3

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