产品参数
| 产品属性 |
属性值 |
| 商品目录 |
场效应管(MOSFET) |
| 数量 |
1个N沟道 |
| 漏源电压(Vdss) |
40V |
| 连续漏极电流(Id) |
5.6A |
| 导通电阻(RDS(on)) |
51mΩ@4.5V,5.1A |
| 耗散功率(Pd) |
2.1W |
| 阈值电压(Vgs(th)) |
2.5V@250uA |
| 栅极电荷量(Qg) |
2.9nC@4.5V |
| 输入电容(Ciss) |
340pF |
| 反向传输电容(Crss) |
30pF |
| 工作温度 |
-55℃~+150℃ |
| 类型 |
N沟道 |
| 输出电容(Coss) |
60pF |
PDF描述:TRANSISTOR 5600 mA, 40 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-236AB, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, TO-236, 3 PIN, FET General Purpose Small Signal