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IXXH60N65B4H1

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IXYS

品牌:

IXYS

型号:

IXXH60N65B4H1

编号:

L33205144

包装:

-

批号:

-

封装:

TO-247-3

毛量:

0.001克(g)

描述:

-

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产品参数

产品属性 属性值
商品目录 IGBT管/模块
IGBT类型 -
集射极击穿电压(Vces) 650V
集电极电流(Ic) -
耗散功率(Pd) -
栅极阈值电压(Vge(th)) -
输入电容(Cies) -
导通损耗(Eon) 3.13mJ
关断损耗(Eoff) 1.15mJ
反向恢复时间(Trr) -
工作温度 -55℃~+175℃@(Tj)

PDF描述:Insulated Gate Bipolar Transistor, 116A I(C), 650V V(BR)CES, N-Channel,

暂无产品概述
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