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FZT857

型号：

FZT857

描述：

NPN硅平面高电流（高性能）晶体管[ NPN SILICON PLANAR HIGH CURRENT (HIGH PERFORMANCE)TRANSISTOR ]

品牌：

ZETEX[ ZETEX SEMICONDUCTORS ]

页数：

3 页

PDF大小：

141 K

下载PDF手册
SOT223 NPN SILICON PLANAR HIGH CURRENT  
(HIGH PERFORMANCE)TRANSISTOR  
FZT857  
ISSUE 4 - SEPTEMBER 1997  
FEATURES  
*
*
*
*
Up to 3.5 Amps continuous collector current, up to 5 Amp peak  
CEO = 300V  
Very low saturation voltage  
V
C
Excellent hFE specified up to 3 Amps  
E
PARTMARKING DETAIL -  
COMPLEMENTARY TYPE -  
FZT857  
FZT957  
C
B
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.  
PARAMETER  
SYMBOL  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
ICM  
VALUE  
UNIT  
V
Collector-Base Voltage  
350  
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
300  
V
6
V
Peak Pulse Current  
5
A
Continuous Collector Current  
Power Dissipation at Tamb=25°C  
Operating and Storage Temperature Range  
IC  
3.5  
3
A
Ptot  
W
°C  
Tj:Tstg  
-55 to +150  
*The power which can be dissipated assuming the device is mounted in a typical manner on a  
P.C.B. with copper equal to 2 inches square.  
FZT857  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T  
amb  
= 25°C unless otherwise stated)  
PARAMETER  
SYMBOL MIN. TYP. MAX. UNIT CONDITIONS.  
Collector-Base Breakdown V(BR)CBO  
Voltage  
350  
350  
300  
6
475  
475  
350  
8
V
V
V
V
IC=100 A  
Collector-Emitter  
V(BR)CER  
V(BR)CEO  
V(BR)EBO  
ICBO  
IC=1 A, RB 1k  
IC=10mA*  
IE=100 A  
Breakdown Voltage  
Collector-Emitter  
Breakdown Voltage  
Emitter-Base Breakdown  
Voltage  
Collector Cut-Off Current  
Collector Cut-Off Current  
Emitter Cut-Off Current  
50  
1
nA  
A
VCB=300V  
VCB=300V,  
Tamb=100°C  
ICER  
50  
1
nA  
A
VCB=300V  
VCB=300V,  
Tamb=100°C  
R
1k  
IEBO  
10  
nA  
VEB=6V  
Collector-Emitter  
Saturation Voltage  
VCE(sat)  
100  
155  
230  
345  
mV  
mV  
mV  
mV  
IC=500mA, IB=50mA*  
IC=1A, IB=100mA*  
IC=2A, IB=200mA*  
IC=3.5A, IB=600mA*  
Base-Emitter  
VBE(sat)  
VBE(on)  
hFE  
1250 mV  
IC=3.5A, IB=600mA*  
Saturation Voltage  
Base-Emitter  
Turn-On Voltage  
1.12  
300  
V
IC=3.5A, VCE=10V*  
Static Forward  
Current Transfer  
Ratio  
100  
100  
15  
200  
200  
25  
IC=10mA, VCE=5V  
IC=500mA, VCE=10V*  
IC=2A, VCE=10V*  
IC=3A, VCE=10V*  
15  
Transition Frequency  
fT  
80  
MHz  
pF  
IC==100mA, VCE=10V  
f=50MHz  
Output Capacitance  
Switching Times  
Cobo  
11  
VCB=20V, f=1MHz  
ton  
toff  
100  
5300  
ns  
ns  
IC=250mA, IB1=25mA  
IB2=25mA, VCC=50V  
*Measured under pulsed conditions. Pulse width=300 s. Duty cycle 2%  
Spice parameter data is available upon request for this device  
FZT857  
TYPICAL CHARACTERISTICS  
1.6  
1.4  
1.2  
1.0  
0.8  
0.6  
0.4  
300  
200  
100  
0.8  
IC/IB=10  
VCE=10V  
IC/IB=50  
0.6  
0.4  
0.2  
VCE=2V  
0.2  
0
0
0
0.01  
0.1  
1
10  
0.001  
0.01  
0.1  
1
10  
IC - Collector Current (Amps)  
C
I
-
Collector Current (Amps)  
VCE(sat) v IC  
hFE v IC  
VCE=5V  
2.0  
2.0  
1.5  
1.0  
0.5  
1.5  
1.0  
0.5  
IC/IB=10  
IC/IB=50  
0.1  
0.1  
0.0001  
0.001  
0.01  
1
10  
0.0001  
0.001  
0.01  
1
10  
IC - Collector Current (Amps)  
C
I
- Collector Current (Amps)  
VBE(sat) v IC  
VBE(on) v IC  
Single Pulse Test Tamb=25 °C  
10  
1
DC  
1s  
100ms  
10ms  
1ms  
100  
0.1  
s
0.01  
1
10  
100  
1000  
VCE - Collector Voltage (V)  
Safe Operating Area  
厂商 型号 描述 页数 下载

ZETEX

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