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LY5469-FJ

型号：

LY5469-FJ

描述：

LC 5毫米T1 3/4 LED ，扩散低电流LED[ LC 5 mm T1 3/4 LED, Diffused Low Current LED ]

品牌：

INFINEON[ Infineon ]

页数：

7 页

PDF大小：

365 K

下载PDF手册
LC 5 mm (T1 3/4) LED, Diffused  
Low Current LED  
LS 5469, LY 5469, LG 5469  
Besondere Merkmale  
● eingefärbtes, diffuses Gehäuse  
● als optischer Indikator einsetzbar  
● hohe Lichtstärke bei kleinen Stömen (typ. 2 mA)  
● Lötspieße ohne Aufsetzebene  
● gegurtet lieferbar  
● Störimpulsfest nach DIN 40839  
Features  
● colored, diffused package  
● for use as optical indicator  
● high luminous intensity at low currents (typ. 2 mA)  
● solder leads without stand-off  
● available taped on reel  
● load dump resistant acc. to DIN 40839  
Typ  
Type  
Emissionsfarbe Gehäusefarbe  
Lichtstärke  
Luminous  
Intensity  
IF = 2 mA  
IV (mcd)  
Bestellnummer  
Ordering Code  
Color of  
Color of  
Package  
Emission  
LS 5469-EH  
LS 5469-G  
LS 5469-H  
LS 5469-GK  
super-red  
yellow  
red diffused  
0.63 … 5.0  
1.60 … 3.2  
2.50 … 5.0  
1.60 … 12.5  
Q62703-Q1751  
Q62703-Q2344  
Q62703-Q2345  
Q62703-Q3833  
LY 5469-EH  
LY 5469-F  
LY 5469-G  
LY 5469-H  
LY 5469-FJ  
yellow diffused  
0.63 … 5.0  
1.00 … 2.0  
1.60 … 3.2  
2.50 … 5.0  
1.00 … 8.0  
Q62703-Q1752  
Q62703-Q3834  
Q62703-Q3835  
Q62703-Q3836  
Q62703-Q3837  
LG 5469-EH  
LG 5469-F  
LG 5469-G  
LG 5469-FJ  
green  
green diffused  
0.63 … 5.0  
1.00 … 2.0  
1.60 … 3.2  
1.00 … 8.0  
Q62703-Q1753  
Q62703-Q3856  
Q62703-Q3857  
Q62703-Q3858  
Streuung der Lichtstärke in einer Verpackungseinheit IV max / IV min ≤ 2.0.  
Luminous intensity ratio in one packaging unit IV max / IV min ≤ 2.0.  
Semiconductor Group  
1
11.96  
LS 5469, LY 5469, LG 5469  
Grenzwerte  
Maximum Ratings  
Bezeichnung  
Parameter  
Symbol  
Symbol  
Werte  
Values  
Einheit  
Unit  
Betriebstemperatur  
T
op  
– 55 … + 100  
˚C  
Operating temperature range  
Lagertemperatur  
Storage temperature range  
T
– 55 … + 100  
+ 100  
˚C  
stg  
Sperrschichttemperatur  
Junction temperature  
T
j
˚C  
Durchlaßstrom  
Forward current  
IF  
7.5  
mA  
mA  
Stoßstrom  
IFM  
150  
Surge current  
t ≤ 10 µs, D = 0.005  
Sperrspannung  
Reverse voltage  
VR  
5
V
Verlustleistung  
Power dissipation  
TA ≤ 25 ˚C  
P
tot  
20  
mW  
Wärmewiderstand  
Thermal resistance  
Sperrschicht / Luft  
Junction / air  
Rth JA  
500  
K/W  
Semiconductor Group  
2
LS 5469, LY 5469, LG 5469  
Kennwerte (TA = 25 ˚C)  
Characteristics  
Bezeichnung  
Parameter  
Symbol  
Symbol  
Werte  
Values  
Einheit  
Unit  
LS  
LY  
LG  
Wellenlänge des emittierten Lichtes (typ.) λpeak  
635  
586  
590  
45  
565  
nm  
nm  
nm  
Wavelength at peak emission  
(typ.)  
IF = 7.5 mA  
Dominantwellenlänge  
Dominant wavelength  
IF = 7.5 mA  
(typ.) λdom  
(typ.)  
628  
45  
570  
25  
Spektrale Bandbreite bei 50 % Irel max (typ.) ∆λ  
Spectral bandwidth at 50 % Irel max  
IF = 7.5 mA  
(typ.)  
Abstrahlwinkel bei 50 % IV (Vollwinkel)  
Viewing angle at 50 % IV  
2ϕ  
50  
50  
50  
Grad  
deg.  
Durchlaßspannung  
Forward voltage  
IF = 2 mA  
(typ.) VF  
(max.) VF  
1.8  
2.6  
2.0  
2.7  
1.9  
2.6  
V
V
Sperrstrom  
Reverse current  
VR = 5 V  
(typ.) IR  
(max.) IR  
0.01  
10  
0.01  
10  
0.01  
10  
µA  
µA  
Kapazität  
(typ.) C0  
3
3
15  
pF  
Capacitance  
VR = 0 V, ƒ = 1 MHz  
Schaltzeiten:  
Switching times:  
IV from 10 % to 90 %  
IV from 90 % to 10 %  
IF = 100 mA, tP = 10 µs, RL = 50 Ω  
(typ.) tr  
(typ.) tf  
200  
150  
200  
150  
450  
200  
ns  
ns  
Semiconductor Group  
3
LS 5469, LY 5469, LG 5469  
Relative spektrale Emission Irel = f (λ), TA = 25 ˚C, IF = 7.5 mA  
Relative spectral emission  
V (λ) = spektrale Augenempfindlichkeit  
Standard eye response curve  
Abstrahlcharakteristik Irel = f (ϕ)  
Radiation characteristic  
Semiconductor Group  
4
LS 5469, LY 5469, LG 5469  
Durchlaßstrom IF = f (VF)  
Forward current  
TA = 25 ˚C  
Relative Lichtstärke IV/IV(2 mA) = f (IF)  
Relative luminous intensity  
TA = 25 ˚C  
Zulässige Impulsbelastbarkeit IF = f (tP)  
Permissible pulse handling capability  
Duty cycle D = parameter, TA = 25 ˚C  
Maximal zulässiger Durchlaßstrom  
Max. permissible forward current  
IF = f (TA)  
Semiconductor Group  
5
LS 5469, LY 5469, LG 5469  
Wellenlänge der Strahlung λpeak = f (TA)  
Wavelength at peak emission  
IF = 7.5 mA  
Dominantwellenlänge λdom = f (TA)  
Dominant wavelength  
IF = 7.5 mA  
Durchlaßspannung VF = f (TA)  
Forward voltage  
IF = 2 mA  
Relative Lichtstärke IV/IV(25 °C) = f (TA)  
Relative luminous intensity  
IF = 2 mA  
Semiconductor Group  
6
LS 5469, LY 5469, LG 5469  
Maßzeichnung  
Package Outlines  
(Maße in mm, wenn nicht anders angegeben)  
(Dimensions in mm, unless otherwise specified)  
Kathodenkennzeichnung:  
Cathode mark:  
Kürzerer Lötspieß  
Short solder lead  
Semiconductor Group  
7
厂商 型号 描述 页数 下载

SEOUL

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POLYFET

 		LY502_14 [ RF POWER LDMOS TRANSISTOR ] 2 页

STMICROELECTRONICS

 		LY503ALH MEMS运动传感器：高性能± 30 ° / s的模拟偏航率陀螺仪[ MEMS motion sensor: high performance ±30 °/s analog yaw-rate gyroscope ] 12 页

STMICROELECTRONICS

 		LY503ALHTR MEMS运动传感器：高性能± 30 ° / s的模拟偏航率陀螺仪[ MEMS motion sensor: high performance ±30 °/s analog yaw-rate gyroscope ] 12 页

LIGITEK

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