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BZX8V2

型号：

BZX8V2

描述：

1.3W外延稳压二极管[ 1.3W EPITAXIAL ZENER DIODE ]

品牌：

DIOTECH[ DIOTECH COMPANY. ]

页数：

3 页

PDF大小：

1607 K

下载PDF手册
BZX85C3V3 THRU BZX85C56  
1.3W EPITAXIAL ZENER DIODE  
FEATURES  
• Low profile package  
• Built-in strain relief  
• Low inductance  
DO-41(GLASS)  
• High temperature soldering : 260°C /10 seconds at terminals  
• Glass package has Underwriters Laboratory Flammability  
Classification  
• In compliance with EU RoHS 2002/95/EC directives  
MECHANICAL DATA  
• Case: Molded Glass DO-41G  
• Terminals: Axial leads, solderable per MIL-STD-750,  
Method 2026 guaranteed  
• Polarity: Color band denotes positive end  
• Mounting position:Any  
• Weight: 0.012 ounce, 0.336 gram  
All Dimensions in mm  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(LIMITING VALUES)(TA=25℃)  
Symbols  
Value  
Units  
Zener current see table "Characteristics"  
Power dissipation at TA=50℃  
Junction temperature  
W
1.3 1)  
175  
Ptot  
TJ  
℃
℃
-65 to +200  
Storage temperature range  
TSTG  
1)Valid provided that a distance of 8mm from case are kept at ambient temperature  
ELECTRCAL CHARACTERISTICS(TA=25℃)  
Symbols  
RthA  
Min  
Typ  
Max  
170 1)  
1.2  
Units  
℃/W  
V
Thermal resistance junction to ambient  
Forward voltage at IF=200mA  
VF  
1) Valid provided that a distance at 8mm from case are kept at ambient temperature  
BZX85C3V3 THRU BZX85C56  
1.3W EPITAXIAL ZENER DIODE  
Type  
VZnom IZT for VZT and r zjT  
rzjK @ IZK  
IR  
@
VR  
TKVZ  
BZX85C  
2V7  
3V0  
3V3  
3V6  
3V9  
4V3  
4V7  
5V1  
5V6  
6V2  
6V8  
7V5  
8V2  
9V1  
10  
V
mA  
80  
80  
80  
60  
60  
50  
45  
45  
45  
35  
35  
35  
25  
25  
25  
V1)  
Ω
Ω
mA  
μA  
<150  
<100  
<40  
<20  
<10  
<3  
<3  
<1  
<1  
<1  
V
1
1
1
1
1
1
1
1
1
2
3
5
6.2  
6.8  
7.5  
8.2  
9.1  
10  
11  
12  
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16  
18  
20  
22  
24  
27  
30  
33  
36  
39  
43  
%/K  
2.7  
3.0  
3.3  
3.6  
3.9  
4.3  
4.7  
5.1  
5.6  
6.2  
6.8  
7.5  
8.2  
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20  
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24  
27  
30  
33  
36  
39  
43  
47  
51  
56  
2.5~2.9  
2.8~3.2  
3.1~3.5  
3.4~3.8  
3.7~4.1  
4.0~4.6  
4.4~5.0  
4.8~5.4  
5.2~6.0  
5.8~6.6  
6.4~7.2  
7.0~7.9  
7.7~8.7  
8.5~9.6  
9.4~10.6  
<20  
<20  
<20  
<20  
<15  
<13  
<13  
<10  
<7  
<4  
<3.5  
<3  
<5  
<5  
<400  
<400  
<400  
<500  
<500  
<500  
<500  
<500  
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<300  
<200  
<200  
<200  
<200  
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<500  
<500  
<500  
<600  
<600  
<600  
<750  
<1000  
<1000  
<1000  
<1000  
<1000  
<1500  
<1500  
<2000  
1
1
1
1
1
1
1
1
1
-0.09~-0.06  
-0.08~-0.05  
-0.08~-0.05  
-0.08~-0.05  
-0.08~-0.05  
-0.06~-0.03  
-0.05~+0.02  
-0.02~+0.02  
-0.05~+0.05  
0.03~0.06  
0.03~0.07  
0.03~0.07  
0.03~0.08  
0.03~0.09  
0.03~0.1  
0.03~0.11  
0.03~0.11  
0.03~0.11  
0.03~0.11  
0.03~0.11  
0.03~0.11  
0.03~0.11  
0.04~0.12  
0.04~0.12  
0.04~0.12  
0.04~0.12  
0.04~0.12  
0.04~0.12  
0.04~0.12  
0.04~0.12  
0.04~0.12  
0.04~0.12  
0.04~0.12  
1
1
<1  
<1  
<1  
<1  
0.5  
0.5  
0.5  
0.5  
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0.5  
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0.5  
0.5  
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0.25  
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<9  
<0.5  
<0.5  
<0.5  
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<0.5  
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<0.5  
<0.5  
<0.5  
<0.5  
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<0.5  
<0.5  
<0.5  
<0.5  
11  
12  
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15  
16  
18  
20  
22  
24  
27  
30  
33  
36  
39  
43  
47  
20 10.4~11.6  
20 11.4~12.7  
20 12.4~14.1  
15 13.8~15.6  
15 15.3~17.1  
15 16.8~19.1  
10 18.8~21.2  
10 20.8~23.3  
10 22.8~25.6  
<10  
<15  
<15  
<20  
<24  
<25  
<25  
<30  
<30  
<35  
<40  
<50  
<50  
<90  
<115  
<120  
8
8
8
8
6
6
4
4
4
25.1~28.9  
28~32  
31~35  
34~38  
37~41  
40~46  
44~50  
48~54  
52~60  
51  
56  
BZX85C3V3 THRU BZX85C56  
RATINGS AND CHARACTERISTIC CURVES  
Characteristics (Tj=25℃ unless otherwise specified)  
Tamb – Ambient Temperature(℃)  
Figure1.Total Power Dissipation vs. Ambient  
Temperature  
l – Lead Length (mm)  
Figure2. Thermal Resistance vs. Lead Length  
VR=0V  
VR=2V  
VR=5V  
VR=20V  
VR=30V  
Vz-Z-Voltage (V)  
Vz-Z-Voltage (V)  
Figure3. Diode Capacitance vs. Z-Voltage  
Figure4.Differential Z-Resistance vs.Z-Voltage  
tp –Pulse Length (ms)  
Figure5. Thermal Response  
厂商 型号 描述 页数 下载

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 		BZX1.5C 硅平面齐纳二极管[ SILICON PLANAR ZENER DIODES ] 2 页

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