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PZTA92

型号：

PZTA92

描述：

高电压PNP晶体管表面贴装[ High-Voltage PNP Transistor Surface Mount ]

品牌：

WEITRON[ WEITRON TECHNOLOGY ]

页数：

4 页

PDF大小：

156 K

下载PDF手册
PZTA92  
COLLECTOR  
2,4  
High-Voltage PNP Transistor  
Surface Mount  
4
1. BASE  
2.COLLECTOR  
1
3.EMITTER  
4.COLLECTOR  
1
2
3
BASE  
P b  
Lead(Pb)-Free  
3
SOT-223  
EMITTER  
Maximum Ratings  
Rating  
Symbol  
Value  
Unit  
Collector-E mitter Voltage  
Collector-B ase Voltage  
-300  
V
V
V
Vdc  
CE O  
CB O  
E B O  
-300  
Vdc  
E mitter-B ase Vo ltage  
-5.0  
Vdc  
I
mAdc  
Collector Current-Continuous  
Total Device Dissipation  
Junction and S torage, Temperature  
-500  
C
P
W
C
2.0  
D
T
-55 to +150  
J,Tstg  
Device Marking  
PZTA92 = A92  
Electrical Characteristics (T =25ºC Unless Otherwise noted)  
A
Characteristics  
Symbol  
Unit  
Min  
Max  
Off Characteristics  
-
-
-
Collector-E mitter B reakdown Voltage (I =-1.0mAdc, IB =0)  
C
V(B R )CE O  
-300  
-300  
Vdc  
Collector-B ase B reakdown Voltage (I =-100 Adc, I =0)  
V(B R )CB O  
V(B R )E B O  
Vdc  
Vdc  
C
E
E mitter-B ase B reakdown Voltage (I =-100 Adc, I =0)  
-5.0  
E
C
-
-
I
-0.25  
-0.1  
Collect Cutoff Current (V = -200Vdc, I =0)  
Adc  
Adc  
CB O  
CB  
E
E mitte Cutoff Current (V =-3V, I =0)  
E B  
C
I
E B O  
WEITRON  
http://www.weitron.com.tw  
1/4  
23-Sep-05  
PZTA92  
Electrical Characteristics(T =25˚C unless otherwise noted) (Countinued)  
A
Symbol  
Max  
Unit  
Characteristics  
Min  
On Characteristics  
DC Current Gain  
(1)  
(2)  
(3)  
(I = -1.0 mAdc, V = -10Vdc)  
CE  
H
FE  
H
FE  
H
FE  
25  
40  
25  
-
-
-
C
-
(I = -10 mAdc, V = -10Vdc)  
CE  
C
(I = -30 mAdc, V = -10Vdc)  
C
CE  
Collector-Emitter Saturation Voltage  
(I = -20 mAdc, I = -2.0mAdc)  
-
Vdc  
0.5  
0.9  
-
V
V
CE(sat)  
C
B
Base-Emitter Saturation Voltage  
(I = -20 mAdc, I = -2.0 mAdc)  
-
BE(sat)  
Vdc  
C
B
Current-Gain-Bandwidth Product  
f
T
MHz  
50  
(I = -10 mAdc, V = -20Vdc, f=100MHz)  
C
CE  
WEITRON  
http://www.weitron.com.tw  
2/4  
23-Sep-05  
PZTA92  
Characteristics Curve  
10  
1
100  
VCE = 10V  
VBE(sat) @IC = 10IB  
10  
0.1  
0.01  
VCE(sat) @IC = 10IB  
1
0.01  
1
10  
100  
1000  
0.1  
1
10  
100  
1000  
Collector Current - IC (mA)  
Collector Current - IC (mA)  
Fig.2 Saturation Voltage & Collector Current  
Fig.1 Current Gain & Collector Current  
100  
100  
VCE = 20V  
10  
10  
Cob  
1
1
0.1  
1
10  
100  
1
10  
100  
Collector Current - IC (mA)  
Reverse-Biased Voltage (V)  
Fig.4 Cutoff Frequeny & Collector Current  
Fig.3 Capacitance & Reverse-Biased Voltage  
10000  
PT = 1ms  
1000  
PT = 100ms  
100  
PT = 1s  
10  
1
1
10  
100  
Forward Voltage (V)  
Fig.5 Safe Operating Area  
WEITRON  
http://www.weitron.com.tw  
3/4  
23-Sep-05  
PZTA92  
SOT-223 Outline Dimensions  
unit:mm  
MILLIMETERS  
A
F
MIN  
6.30  
3.30  
1.50  
0.60  
2.90  
2.20  
MAX  
6.70  
3.70  
1.75  
0.89  
3.20  
2.40  
DIM  
A
B
C
D
F
G
H
J
K
L
4
S
B
1
2
3
D
0.020 0.100  
L
G
0.24  
1.50  
0.85  
0
0.35  
2.00  
1.05  
10  
J
C
M
M
S
H
K
6.70  
7.30  
WEITRON  
http://www.weitron.com.tw  
4/4  
23-Sep-05  
厂商 型号 描述 页数 下载

SECOS

 		PZT13003 1.5A ， 700V NPN硅中功率晶体管[ 1.5A , 700V NPN Silicon Medium Power Transistor ] 2 页

SECOS

 		PZT157 PNP晶体管的硅平面高性能晶体管[ PNP Transistor Silicon Planar High Performance Transistor ] 2 页

SECOS

 		PZT158 硅平面高电流晶体管[ Silicon Planar High Current Transistor ] 2 页

WEITRON

 		PZT159 PNP硅平面高电流晶体管[ PNP Silicon Planar High Current Transistor ] 4 页

SECOS

 		PZT159 高电流晶体管[ High Current Transistor ] 2 页

UTC

 		PZT1816 HIGH CURRENT SWITCHIG应用[ HIGH CURRENT SWITCHIG APPLICATIONS ] 12 页

UTC

 		PZT1816G-X-AA3-R HIGH CURRENT SWITCHIG应用[ HIGH CURRENT SWITCHIG APPLICATIONS ] 12 页

UTC

 		PZT1816L-X-AA3-R HIGH CURRENT SWITCHIG应用[ HIGH CURRENT SWITCHIG APPLICATIONS ] 12 页

UTC

 		PZT1816_15 [ HIGH CURRENT SWITCHIG APPLICATIONS ] 12 页

SECOS

 		PZT194 硅平面中功率晶体管[ Silicon Planar Medium Power Transistor ] 2 页

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