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WTL2622

型号：

WTL2622

描述：

双N沟道增强型MOSFET[ Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET ]

品牌：

WEITRON[ WEITRON TECHNOLOGY ]

页数：

6 页

PDF大小：

544 K

下载PDF手册
WTL2622  
6 DRAIN  
Dual N-Channel Enhancement  
Mode MOSFET  
DRAIN CURRENT  
2.5 AMPERES  
P b  
Lead(Pb)-Free  
DRAIN SOURCE VOLTAGE  
20 VOLTAGE  
1 GATE  
2 SOURCE  
4 DRAIN  
Features:  
6
5
4
*Super High Dense Cell Design For Low R  
DS(ON)  
1
2
3
R
< 80mΩ@V =4.5V  
DS(ON)  
GS  
*Rugged and Reliable  
*Capable of 2.5V Gate Drive  
*Simple Drive Requirement  
*SOT-26 Package  
SOT-26  
3 GATE  
5 SOURCE  
Maximum Ratings (T =25˚C Unless Otherwise Specified)  
A
Rating  
Symbol  
Value  
20  
Unit  
Drain-Source Voltage  
V
DS  
GS  
V
±10  
2.5  
Gate-Source Voltage  
V
I
Continuous Drain Current1, V @4.5V, T =25˚C  
D
GS  
A
-Pulsed2  
A
I
8
DM  
Drain-Source Diode Forward Current1  
S
I
1.25  
Total Power Dissipation1 (T =25˚C)  
1
W
˚C/W  
˚C  
P
D
A
Maximum Junction-ambient1  
125  
R
θJA  
Operating Junction and Storage Temperature Range  
T ,T  
J
-55~+150  
stg  
Device Marking  
WTL2622=STS2622  
WEITRON  
http:www.weitron.com.tw  
19-Sep-05  
1/6  
WTL2622  
Electrical Characteristics(TA = 25℃ Unless otherwise noted)  
Characteristic  
Symbol Min  
Typ3  
Max  
Unit  
OFF Characteristics  
Drain-Source Breakdown Voltage  
20  
-
-
BVDSS  
V
VGS=0,ID=250μA  
Drain-SourceLeakage Current  
VDS=16V,VGS=0V  
μA  
IDSS  
IGSS  
-
-
-
-
1
Gate-Source Leakage current  
±100  
nA  
VGS=±10V, V =0V  
DS  
ON Characteristics2  
Gate-Source Threshold Voltage  
0.5  
0.8  
1.5  
V
VGS(Th)  
VDS=VGS,ID=250μA  
Drain-SourceOn-Resistance  
VGS=4.5V,ID=2.5A  
80  
-
-
65  
90  
RDS(on)  
mΩ  
110  
VGS=2.5V,ID=2.0A  
On-State Drain Current  
VDS=5V,VGS=4.5V  
ID(ON)  
A
S
6
-
-
-
-
Forward Transconductance  
VDS=5V,ID=2.5A  
gfs  
7
Dynamic Characteristics3  
Input Capacitance  
-
-
-
220  
67  
-
-
-
Ciss  
Coss  
Crss  
VGS=0V,VDS=10V,f=1.0MHz  
Output Capacitance  
VGS=0V,VDS=10V,f=1.0MHz  
pF  
Reverse Transfer Capacitance  
VGS=0V,VDS=10V,f=1.0MHz  
50  
WEITRON  
http:www.weitron.com.tw  
2/6  
19-Sep-05  
WTL2622  
Electrical Characteristics(TA = 25℃ Unless otherwise noted)  
Characteristic  
Symbol Min  
Typ3  
Max  
Unit  
Switching Characteristics3  
Turn-on Delay Time2  
-
-
-
-
-
-
-
10.2  
8.3  
13.5  
12.7  
4
-
-
-
-
-
-
-
td(on)  
VDS=10V, VGS=4.5V, ID=1A, RGEN=6Ω  
Rise Time  
VDS=10V, VGS=4.5V, ID=1A, RGEN=6Ω  
tr  
ns  
Turn-off Delay Time  
VDS=10V, VGS=4.5V, ID=1A, RGEN=6Ω  
td(off)  
Fall Time  
VDS=10V, VGS=4.5V, ID=1A, RGEN=6Ω  
tf  
Total Gate Charge2  
Qg  
VDS=10V,VGS=4.5V,ID=2.5A  
Gate-Source Charge  
VDS=10V,VGS=4.5V,ID=2.5A  
Qgs  
nC  
1.5  
0.7  
Gate-Source Change  
VDS=10V,VGS=4.5V,ID=2.5A  
Qgd  
Source-Drain Diode Characteristics2  
Forward On Voltage  
-
0.84  
1.2  
V
VSD  
VGS=0V,IS=1.25A  
Note: 1. Surface mounted on 1 in2 copper pad of FR4 board, t ≤ 10sec.  
2. Pulse Test : Pulse width ≤ 300µs, duty cycle ≤ 2%.  
3. Guaranteed by design, not subject to production testing.  
WEITRON  
http:www.weitron.com.tw  
3/6  
19-Sep-05  
WTL2622  
15  
12  
20  
25 C  
VGS=10V  
V
GS=4V  
VGS=4.5V  
16  
12  
-55 C  
VGS=3V  
Tj=125 C  
9
6
8
4
0
VGS=2V  
3
0
0.0  
0.6  
2.4  
3.0  
3.6  
1.2  
1.8  
1
2.5  
3
0
0.5  
2
1.5  
VDS, Drain-to-Source Voltage (V)  
VGS, Gate-to-Source Voltage (V)  
Fig.1 Output Characteristics  
Fig.2 Transfer Characteristics  
2.2  
VGS=4.5V  
500  
ID=2.5A  
1.8  
400  
300  
200  
1.4  
1.0  
Ciss  
0.6  
0.2  
0
100  
0
Coss  
Crss  
-50 -25  
0
25  
50  
100 125  
75  
0
5
10  
15  
20  
25  
30  
Tj (˚C)  
VDS, Drain-to Source Voltage (V)  
Fig.4 On-Resistance Variation with  
Temperature  
Fig.3 Capacitance with Drain to Source  
Voltage  
1.3  
1.3  
VDS=VGS  
ID=250uA  
1.2  
ID=250uA  
1.2  
1.1  
1.0  
0.9  
1.1  
1.0  
0.9  
0.8  
0.7  
0.8  
0.7  
0.6  
-50 -25  
0
25 50 75 100 125  
-50 -25  
0
25 50 75 100 125  
Tj, Junction Temperature (˚C)  
Tj, Junction Temperature (˚C)  
Fig.5 Gate Threshold Voltage Variation  
with Temperature  
Fig.6 Breakdown Voltage Variation  
with Temperature  
WEITRON  
http://www.weitron.com.tw  
4/6  
19-Sep-05  
WTL2622  
12  
20  
10  
10  
8
6
4
2
0
1
0
TJ=25˚C  
VDS=5V  
0.4  
0.8  
1.2  
1.6  
2.0  
2.4  
0
3
6
9
12  
15  
VSD, Body Diode Forward Voltage (V)  
IDS, Drain-Source Current (A)  
Fig.7 Transconductance Variation  
with Drain Current  
Fig.8 Body Diode Forward Voltage  
Variation with Source Current  
50  
10  
5
VDS=4.5V  
4
ID=2.5A  
t
i
m
i
L
)
1
N
0
m
O
(
s
RDS  
1
3
2
0
0
m
s
1
1
s
D
C
VGS=4.5V  
Single Pulse  
Tc=25˚C  
0.1  
1
0
0.03  
0
0.7 1.4 2.1 2.8 3.5 4.2 4.9 5.6  
0.1  
1
10 20  
50  
Qg, Total Gate Charge (nC)  
VDS, Drain-Source Voltage (V)  
Fig.10 Maximum Safe Operating Area  
Fig.9 Gate Charge  
VDD  
on  
t
toff  
d(off)  
t
r
t
d(on)  
t
R L  
f
t
V IN  
90%  
10%  
90%  
D
OUT  
V
OUT  
V
V
10%  
VGS  
INVERTED  
R GEN  
G
90%  
50%  
50%  
S
IN  
10%  
PULSE WIDTH  
Fig.12 Switching Waveforms  
Fig.11 Switching Test Circuit  
WEITRON  
http://www.weitron.com.tw  
5/6  
19-Sep-05  
WTL2622  
10  
1
0.5  
0.2  
0.1  
DM  
P
t1  
0.1  
0.05  
t2  
0.02  
0.01  
1. RθJA (t)=r (t) * RθJA  
2. RθJA=See Datasheet  
3. TJM-TA = PDM* RθJA (t)  
4. Duty Cycle, D=t1/t2  
Single Pulse  
0.0001 0.001  
0.01  
0.00001  
0.01  
0.1  
1
10  
100  
1000  
Square Wave Pulse Duration(sec)  
Normalized Thermal Transient Impedance Curve  
SOT-26 Outline Dimension  
Unit:mm  
A
G
SOT-26  
Dim  
A
B
C
D
E
Min  
2.70  
2.60  
1.40  
0.30  
0.00  
0˚  
Max  
3.10  
3.00  
1.80  
0.55  
0.10  
10˚  
Top View  
F
L
0.08  
0.25  
F1  
G
H
I
J
K
1.90 REF  
Front View  
1.20 REF  
0.12 REF  
0.37 REF  
0.60 REF  
0.95 REF  
F
J
K
D
L
Side View  
WEITRON  
http://www.weitron.com.tw  
6/6  
19-Sep-05  
厂商 型号 描述 页数 下载

ROCKWELL

 		WTL1164-080-GC [ Multiplier, MOS, CPGA68 ] 46 页

ROCKWELL

 		WTL1164-12GC [ Multiplier, MOS, CPGA68 ] 46 页

ROCKWELL

 		WTL1164-12JC [ Multiplier, MOS, CDIP64 ] 46 页

ROCKWELL

 		WTL1164-12LC [ Multiplier, MOS, CQCC68 ] 46 页

ROCKWELL

 		WTL1164-16GC [ Multiplier, MOS, CPGA68 ] 46 页

ROCKWELL

 		WTL1164-16LC [ Multiplier, MOS, CQCC68 ] 46 页

ETC

 		WTL1164JC 周边IC\n[ Peripheral IC ] 47 页

ETC

 		WTL1164JM 周边IC\n[ Peripheral IC ] 47 页

ETC

 		WTL1164LC 周边IC\n[ Peripheral IC ] 47 页

ETC

 		WTL1164LM 周边IC\n[ Peripheral IC ] 47 页

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