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WTS772

型号：

WTS772

描述：

PNP / NPN外延平面晶体管[ PNP/NPN Epitaxial Planar Transistors ]

品牌：

WEITRON[ WEITRON TECHNOLOGY ]

页数：

5 页

PDF大小：

232 K

下载PDF手册
WTS772  
WTS882  
PNP/NPN Epitaxial Planar Transistors  
TO-92  
1. EMITTER  
2. COLLECTOR  
3. BASE  
1
2
3
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS  
(Ta=25 C)  
Rating  
Collector-Emitter Voltage  
Collector-Base Voltage  
Emitter-Base VOltage  
Collector Current (DC)  
Symbol  
PNP/WTS772  
Unit  
Vdc  
Vdc  
Vdc  
Adc  
NPN/WTS882  
V
30  
40  
5.0  
3.0  
-30  
-40  
-5.0  
-3.0  
CEO  
V
V
CBO  
EBO  
I
C(DC)  
Collector Current (Pulse)(1)  
(Pulse)  
-7.0  
-0.6  
Adc  
Adc  
I
C
7.0  
0.6  
I
(Pulse)  
Base Current  
B
P
Total Device Dissipation T =25 C  
W
C
A
D
0.625  
150  
Junction Temperature  
Storage, Temperature  
T
j
Tstg  
C
-55 to +150  
Device Marking  
WTS772=B772 , WTS882=D882  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS  
Characteristics  
Symbol  
Min  
Max  
Unit  
-
Collector-Emitter Breakdown Voltage (I = -10/10 mAdc, I =0)  
V
-30/30  
Vdc  
C
B
(BR)CEO  
-
-
-40/40  
Vdc  
Collector-Base Breakdown Voltage (I = -100/100 µAdc, I =0)  
V
V
C
E
(BR)CBO  
Vdc  
-5.0/5.0  
Emitter-Base Breakdown Voltage (I = -100/100 µAdc, I =0)  
(BR)EBO  
E
C
uAdc  
I
I
CE0  
-1.0/1.0  
-1.0/1.0  
Collector Cutoff Current (V = -30/30 Vdc, I =0)  
-
-
CE  
B
uAdc  
Collector Cutoff Current (V = -40/40 Vdc, I =0)  
CB  
CBO  
EBO  
E
-
I
-1.0/1.0 uAdc  
d
Emitter Cutoff Current (V = -6.0/6.0V c, I =0)  
EB  
C
NOTE: 1.PW 350us, duty cycle 2%  
WEITRON  
http://www.weitron.com.tw  
WTS772  
WTS882  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T =25 C unless otherwise noted) (Countinued)  
A
Max  
Characteristics  
Symbol  
Min  
TYP  
Unit  
ON CHARACTERISTICS  
DC Current Gain  
(I = -1.0/1.0 Adc,V  
C
h
-
-
400  
-
(1)  
FE  
60  
-
-
)
CE=-2.0/2.0Vdc  
DC Current Gain  
h
32  
-
(2)  
FE  
(I = -100/100 mAdc,V = -2.0/2.0 Vdc)  
C
CE  
Collector-Emitter Saturation Voltage  
(I = -2.0/2.0 Adc, I = -0.2/0.2mAdc)  
-
V
-0.5/0.5  
Vdc  
Vdc  
CE(sat)  
BE(sat)  
C
B
Base-Emitter Saturation Voltage  
(I = -2.0/2.0 Adc, I = -0.2/0.2mAdc)  
-
-
-
-2.0/2.0  
V
C
B
Current-Gain-Bandwidth Product  
(I = -0.1/0.1 mAdc,V =-5.0/5.0 Vdc, f=10MHz)  
80/90  
f
T
-
MHz  
C
CE  
Classification of h  
FE(1)  
R
Y
Rank  
O
GR  
200-400  
Range  
100-200  
160-320  
60-120  
WEITRON  
http://www.weitron.com.tw  
WTS772  
WTS882  
F1. Total Power Dissipation VS.  
Ambient Temperature  
F.2 Derating Curve for All Types  
1.0  
100  
S
/
b
0.8  
0.6  
80  
60  
l
i
m
D
i
i
t
e
s
d
s
i
p
a
t
i
o
n
40  
20  
0
0.4  
0.2  
l
i
m
i
t
e
d
0
50  
100  
0
50  
100  
150  
150  
°
Ta-Amient Temperature- C  
Tc,Case Temperature(°C)  
F3. Thermal Resistance VS.  
Pulse Width  
F4. Safe Operating Areas  
<
PW 10 ms  
−
−
<
10  
(
Duty Cycle 50 %  
)
P
W
Ic(max),Pulse  
V
CE=10V  
0
1
=
1
0
.
1
1
m
m
I =1.0A  
0
m
C
Duty=0.001  
S
°
S
0
Ic(max),DC  
D
S
u
30  
10  
3
1
s
i
s
s
m
i
i
p
L
(
a
d
i
S
t
i
i
o
n
n
t
e
g
l
e
n
o
n
s
v
r
/
e
b
p
L
e
i
t
m
i
t
i
3
1
i
t
e
0.3  
0.1  
e
d
p
u
l
s
e
)
NOTE  
1. Tc=25 C  
2. Curves must be derated  
linearly with increase of  
temperature and Duty Cycle.  
0.03  
0.01  
0.3  
0.1  
1
3
6
10  
30  
60 100  
0.3  
1
3
10  
30  
100 300 1000  
V
-Collector to Emitter Voltage-V  
CE  
PW-Pulse Width-ms  
WTS772  
F5. Collector Current VS. Collector  
To Emitter Voltage  
WTS882  
F6. Collector Current VS. Collector  
To Emitter Voltage  
-2.0  
-1.6  
-1.2  
Pulse Test  
2.0  
Pulse Test  
IB=-10mA  
IB=-9mA  
IB=10mA  
IB=9mA  
1.6  
1.2  
IB=-8MA  
IB=-7mA  
IB=8MA  
IB=7mA  
IB=-6mA  
IB=-5mA  
IB=6mA  
IB=5mA  
-0.8  
-0.4  
0
IB=-4mA  
0.8  
0.4  
0
IB=4mA  
IB=-3mA  
IB=-2mA  
IB=-1mA  
IB=3mA  
IB=2mA  
IB=1mA  
0
-4  
-8  
-12  
-16  
-20  
0
4
8
12  
16  
20  
vCE  
-Collector-Emitter Voltage(V)  
vCE  
-Collector-Emitter Voltage(V)  
WEITRON  
http://www.weitron.com.tw  
WTS772  
WTS882  
F8.  
-I  
,
c
VCE(sat), VBE(sat)  
,
FE  
F7. h  
VBE-I  
c
10  
6
1000  
600  
VCE=2.0V  
Puse Test  
3
WTS772  
WTS882  
WTS772  
V
BE(sat)  
300  
1
0.6  
h
FE  
2
8
8
S
T
W
100  
60  
0.3  
0.1  
30  
0.06  
0.03  
WTS772  
WTS882  
10  
6
VBE  
0.01  
0.006  
0.003  
2
8
8
S
T
W
3
1
0.001 0.003 0.01 0.03  
0.001  
0.003 0.01 0.03 0.1  
0.3  
1
3
10  
0.1 0.3  
1
3
10  
Ic-Collector Current(A)  
Ic-Collector Current(A)  
Cob-VCB  
,
F10.  
Cib-VCE  
F9. fT - I  
c
1000  
f=1.0MHz  
IE =0(Cob)  
IC=0(Cib)  
V
=5.0V  
CE  
Forecd air  
Cooling  
(with heat sink)  
300  
W
T
S
300  
100  
8
8
2
Cib  
W
T
S
7
100  
60  
WTS882  
7
2
W
T
S
7
7
2
WTS772  
Cob  
30  
W
T
S
8
8
2
30  
10  
10  
6
3
3
1
1
3
6
10  
30  
60  
0.01  
0.03  
0.1  
0.3  
1
VCB-Collector to Base Voltage(V)  
VEB-Emitter to Base Voltage(V)  
Ic-Collector Current(A)  
WEITRON  
http://www.weitron.com.tw  
WTS772  
WTS882  
TO-92 Outline Dimensions  
unit:mm  
E
TO-92  
Dim  
A
B
C
D
Min  
3.30  
1.10  
0.38  
0.36  
4.40  
3.43  
4.30  
Max  
3.70  
1.40  
0.55  
0.51  
4.70  
-
C
E
G
H
J
4.70  
J
1.270TYP  
K
K
L
2.44  
14.10  
2.64  
14.50  
G
WEITRON  
http://www.weitron.com.tw  
厂商 型号 描述 页数 下载

WINBOND

 		WTS701 WINBOND单片文本到语音处理器[ WINBOND SINGLE-CHIP TEXT-TO-SPEECH PROCESSOR ] 77 页

WINBOND

 		WTS701E/T [ Consumer Circuit, PDSO56, TSOP-56 ] 73 页

WINBOND

 		WTS701EF WINBOND单片文本到语音处理器[ WINBOND SINGLE-CHIP TEXT-TO-SPEECH PROCESSOR ] 77 页

WINBOND

 		WTS701EF/T WINBOND单片文本到语音处理器[ WINBOND SINGLE-CHIP TEXT-TO-SPEECH PROCESSOR ] 77 页

WINBOND

 		WTS701EM WINBOND单片文本到语音处理器[ WINBOND SINGLE-CHIP TEXT-TO-SPEECH PROCESSOR ] 77 页

WINBOND

 		WTS701EM/T WINBOND单片文本到语音处理器[ WINBOND SINGLE-CHIP TEXT-TO-SPEECH PROCESSOR ] 77 页

WINBOND

 		WTS701MF WINBOND单片文本到语音处理器[ WINBOND SINGLE-CHIP TEXT-TO-SPEECH PROCESSOR ] 77 页

WINBOND

 		WTS701MF/T WINBOND单片文本到语音处理器[ WINBOND SINGLE-CHIP TEXT-TO-SPEECH PROCESSOR ] 77 页

WINBOND

 		WTS701MM WINBOND单片文本到语音处理器[ WINBOND SINGLE-CHIP TEXT-TO-SPEECH PROCESSOR ] 77 页

WINBOND

 		WTS701MM/T WINBOND单片文本到语音处理器[ WINBOND SINGLE-CHIP TEXT-TO-SPEECH PROCESSOR ] 77 页

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