NPN SILICON TRANSISTOR
9013
TO 92
FEATURES
1.EMITTER
发 射 极
2.BASE
特
征
Power dissipation
最大耗散功率
基 极
PCM : 0.625
Collector current
ICM
W
Tamb=25
3.COLLECTOR
最大集电极电流
集
电 极
:
0.5
A
1 2 3
Collector-base voltage
V(BR)CBO : 45
集电极--基极击穿电压
V
ELECTRICAL CHARACTERISTICS Tamb=25
环境温度
unless otherwise specified
电
特
性
除
非
另
有
规
定
Parameter
Symbol
Test conditions
MIN
最小值
TYP
典型值
MAX
最大值
UNIT
单位
参
数
符
号
测
试
条
件
Collector-base breakdown voltage
V(BR)CBO
V(BR)CEO
V(BR)EBO
ICBO
45
25
5
V
V
V
A
A
A
Ic= 100
A
IE=0
集
电 极 - - 基 极 击 穿 电 压
Collector-emitter breakdown voltage
集 电 极 - - 发 射 极 击 穿 电 压
Ic= 0. 1 mA
IB=0
IC=0
IE=0
IB=0
IC=0
Emitter-base breakdown voltage
IE= 100
VCB= 40
VCE= 20
A
V
V
V
发
射 极 - - 基 极 击 穿 电 压
Collector cut-off current
集 电 极 - - 基 极 截 止 电 流
0.1
0.1
0.1
300
Collector cut-off current
集 电 极 - - 发 射 极 截 止 电 流
ICEO
Emitter cut-off current
发 射 极 - - 基 极 截 止 电 流
IEBO
VEB=
5
HFE
VCE= 1 V, IC= 50 mA
VCE= 1V, IC =500 mA
IC= 500 mA, IB=50 mA
IC= 500mA, IB= 50 mA
IE=100mA
64
40
1
DC current gain(note)
直
流
电
流
增
益
HFE
2
Collector-emitter saturation voltage
集 电 极 - - 发 射 极 饱 和 压 降
VCE(sat)
VBE(sat)
VBE
0.6
1.2
1.4
V
V
V
Base-emitter saturation voltage
基极--发射极饱和压降
Base-emitter voltage
基极--发射极正向电压
VCE= 6 V, IC= 20 mA
f =30MHz
Transition frequency
150
MHz
fT
特
征
频
率
CLASSIFICATION OF HFE(1)
分类
Rank
档次
D
E
F
G
H
I
Range
范围
64-91
78-112
96-135
112-166
144-220
190-300
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