KYZ35A05 ... KYZ35A6, KYZ35K05 ... KYZ35K6
KYZ35A05 ... KYZ35A6, KYZ35K05 ... KYZ35K6
Silicon-Press-Fit-Diodes – High Temperature Diodes
Silizium-Einpress-Dioden – Hochtemperatur-Dioden
Version 2006-04-22
Nominal Current
Nennstrom
35 A
Ø 16±0.5
Repetitive peak reverse voltage
Periodische Spitzensperrspannung
50 ... 600 V
Metal press-fit case with glass seal
Metall-Einpressgehäuse mit Glas-Durchführung
Weight approx. – Gewicht ca.
10 g
Ø 12.77±0.04
Compound has classification UL94V-0
Vergussmasse nach UL94V-0 klassifiziert
Standard packaging: bulk
Standard Lieferform: lose im Karton
Dimensions - Maße [mm]
Maximum ratings
Grenzwerte
Type / Typ
Wire to / Draht an
Repetive peak reverse voltage
Periodische Spitzensperrspannung
Surge peak reverse voltage
Stoßspitzensperrspannung
V
RRM [V]
V
RSM [V]
Anode
Cathode
KYZ35K05
KYZ35K1
KYZ35K2
KYZ35K3
KYZ35K4
KYZ35K6
KYZ35A05
KYZ35A1
KYZ35A2
KYZ35A3
KYZ35A4
KYZ35A6
50
60
100
200
300
400
600
120
240
360
480
700
Max. average forward rectified current, R-load
Dauergrenzstrom in Einwegschaltung mit R-Last
TC = 100°C
f > 15 Hz
TA = 25°C
TA = 25°C
IFAV
IFRM
IFSM
i2t
35 A
130 A 1)
Repetitive peak forward current
Periodischer Spitzenstrom
Peak forward surge current, 50/60 Hz half sine-wave
Stoßstrom für eine 50/60 Hz Sinus-Halbwelle
360/400 A
660 A2s
Rating for fusing, t < 10 ms
Grenzlastintegral, t < 10 ms
Operating junction temperature – Sperrschichttemperatur
Storage temperature – Lagerungstemperatur
Tj
TS
-50...+175°C
-50...+175°C
1
Max. case temperature TC = 150°C – Max. Gehäusetemperatur TC = 150°C
© Diotec Semiconductor AG
http://www.diotec.com/
1