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LY5436-TO

型号：

LY5436-TO

描述：

超5毫米T1 LED ，不扩散超高亮LED[ Hyper 5 mm T1 LED, Non Diffused Hyper-Bright LED ]

品牌：

INFINEON[ Infineon ]

页数：

6 页

PDF大小：

67 K

下载PDF手册
Hyper 5 mm (T1) LED, Non Diffused  
Hyper-Bright LED  
LS 5436, LA 5436, LO 5436  
LY 5436  
Besondere Merkmale  
● eingefärbtes, diffuses Gehäuse  
● zur Einkopplung in Lichtleiter  
● als optischer Indikator einsetzbar  
● Lötspieße mit Aufsetzebene  
● gegurtet lieferbar  
● Störimpulsfest nach DIN 40839  
Features  
● colored, diffused package  
● optical coupling into light pipes  
● for use as optical indicator  
● solder leads with stand-off  
● available taped on reel  
● load dump resistant acc. to DIN 40839  
Typ  
Type  
Emissionsfarbe Gehäusefarbe  
Lichtstärke  
Luminous  
Intensity  
Bestellnummer  
Ordering Code  
Color of  
Color of  
Package  
Emission  
IF = 20 mA  
IV (mcd)  
LS 5436-SO  
LA 5436-TO  
LO 5436-TO  
LY 5436-TO  
super-red  
amber  
colorless clear  
colorless clear  
colorless clear  
colorless clear  
≥ 160 (350 typ.)  
≥ 250 (500 typ.)  
≥ 250 (500 typ.)  
≥ 250 (500 typ.)  
Q62703-Q3626  
Q62703-Q3919  
Q62703-Q3628  
Q62703-Q3630  
orange  
yellow  
Streuung der Lichtstärke in einer Verpackungseinheit IV max / IV min ≤ 2.0.  
Luminous intensity ratio in one packaging unit IV max / IV min ≤ 2.0.  
Semiconductor Group  
1
1998-09-18  
LS 5436, LA 5436, LO 5436, LY 5436  
Grenzwerte  
Maximum Ratings  
Bezeichnung  
Parameter  
Symbol  
Symbol  
Werte  
Values  
Einheit  
Unit  
LS, LO, LA LY  
Betriebstemperatur  
Operating temperature range  
Top  
Tstg  
Tj  
– 55 ... + 100  
˚C  
˚C  
˚C  
mA  
A
Lagertemperatur  
Storage temperature range  
– 55 ... + 100  
+ 100  
Sperrschichttemperatur  
Junction temperature  
Durchlaßstrom  
Forward current  
IF  
30  
1
20  
Stoßstrom  
IFM  
0.2  
Surge current  
t ≤ 10 µs, D = 0.005  
Sperrspanung1)  
Reverse voltage1)  
VR  
3
V
Verlustleistung  
Power dissipation  
TA ≤ 25 ˚C  
Ptot  
80  
55  
mW  
Wärmewiderstand  
Thermal resistance  
Sperrschicht / Umgebung  
Junction / air  
Rth JA  
500  
K/W  
1)  
Belastung in Sperrichtung sollte vermieden werden.  
1)  
Reverse biasing should be avoided.  
Semiconductor Group  
2
1998-09-18  
LS 5436, LA 5436, LO 5436, LY 5436  
Kennwerte (TA = 25 ˚C)  
Characteristics  
Bezeichnung  
Parameter  
Symbol  
Symbol  
Werte  
Values  
Einheit  
Unit  
LS  
LA  
LO  
LY  
Wellenlänge des emittierten Lichtes  
Wavelength at peak emission  
IF = 20 mA  
(typ.) λpeak  
(typ.)  
645  
622  
615  
16  
610  
605  
16  
591  
nm  
nm  
nm  
Dominantwellenlänge  
Dominant wavelength  
IF = 20 mA  
(typ.) λdom  
(typ.)  
632  
16  
587  
15  
Spektrale Bandbreite bei 50% Irel max  
Spectral bandwidth at 50% Irel max  
IF = 20 mA  
(typ.) ∆λ  
(typ.)  
Abstrahlwinkel bei 50% Iv (Vollwinkel)  
Viewing angle at 50% Iv  
2ϕ  
30  
30  
30  
30  
Grad  
deg.  
Durchlaßspannung  
Forward voltage  
IF = 20 mA  
(typ.) VF  
(max.) VF  
2.0  
2.6  
2.0  
2.6  
2.0  
2.6  
2.0  
2.6  
V
V
Sperrstrom  
Reverse current  
VR = 3 V  
(typ.) IR  
(max.) IR  
0.01 0.01 0.01  
10 10 10  
0.01  
10  
µA  
µA  
Temperaturkoeffizient von λdom (IF = 20 mA)  
Temperature coefficient of λdom (IF = 20 mA)  
TC  
0.014 0.062 0.067 0.096 nm/K  
0.14 0.13 0.13 0.13 nm/K  
λ
λ
Temperaturkoeffizient von λpeak  
,
TC  
IF = 20 mA  
Temperature coefficient of λpeak  
IF = 20 mA  
(typ.)  
(typ.)  
,
Temperaturkoeffizient von VF, IF = 20 mA (typ.) TC  
Temperature coefficient of VF, IF = 20 mA (typ.)  
– 1.95 – 1.78 – 1.67 – 2.51 mV/K  
V
Semiconductor Group  
3
1998-09-18  
LS 5436, LA 5436, LO 5436, LY 5436  
Relative spektrale Emission Irel = f (λ), TA = 25 ˚C, IF = 20 mA  
Relative spectral emission  
V (λ) = spektrale Augenempfindlichkeit  
Standard eye response curve  
OHL00235  
100  
%
Ιrel  
80  
60  
40  
20  
0
V
λ
yellow  
orange  
amber  
super-red  
400  
450  
500  
550  
600  
650  
nm  
700  
λ
Abstrahlcharakteristik Irel = f (ϕ)  
Radiation characteristic  
40  
30  
20  
10  
0
OHL00314  
1.0  
50  
0.8  
0.6  
0.4  
60  
70  
0.2  
0
80  
90  
100  
1.0  
0.8  
0.6  
0.4  
0
20  
40  
60  
80  
100  
120  
Semiconductor Group  
4
1998-09-18  
LS 5436, LA 5436, LO 5436, LY 5436  
Durchlaßstrom I = f (VF)  
Forward current  
Maximal zulässiger Durchlaßstrom  
Max. permissible forward current  
F
TA = 25˚C  
I = f (TA)  
F
OHL00232  
OHL00248  
10 2  
mA  
5
35  
mA  
Ι F  
Ι F  
30  
25  
10 1  
5
yellow  
20  
15  
10  
5
10 0  
5
10 -1  
0
1.0  
1.4  
1.8  
2.2  
2.6  
3.0 V 3.4  
VF  
0
20  
40  
60  
80 C 100  
ΤA  
Relative Lichtstärke IV/IV(20 mA) = f (IF)  
Relative luminous intensity  
TA = 25˚C  
Relative Lichtstärke IV / IV(25˚C ) = f (TA)  
Relative luminous intensity  
I = 20 mA  
F
OHL00233  
OHL00238  
10 1  
2.0  
ΙV (25 C)  
ΙV  
Ι V  
Ι V (20 mA)  
1.6  
orange  
yellow  
10 0  
amber  
5
super-red  
1.2  
0.8  
0.4  
0
10 -1  
5
superred  
yellow  
orange/amber  
orange  
10 -2  
5
yellow  
amber  
super-red  
10 -3  
10 -1  
5
10 0  
5
10 1  
mA 10 2  
-20  
0
20  
40  
60  
C
100  
Ι F  
TA  
Semiconductor Group  
5
1998-09-18  
LS 5436, LA 5436, LO 5436, LY 5436  
Zulässige Impulsbelastbarkeit IF = f (tp)  
Permissible pulse handling capability  
LS, LA, LO  
Zulässige Impulsbelastbarkeit IF = f (tp)  
Permissible pulse handling capability  
LY  
Duty cycle D = parameter, TA = 25 ˚C  
Duty cycle D = parameter, TA = 25 ˚C  
OHL00322  
OHL00316  
10 1  
10 0  
tp  
A
tp  
A
tp  
Ι F  
Ι F  
5
Ι F  
tp  
D =  
Ι F  
D =  
T
5
T
T
T
D =  
D =  
0.005  
0.01  
0.02  
0.05  
0.1  
10 0  
5
0.005  
0.01  
0.02  
0.05  
0.1  
0.2  
10 -1  
0.2  
0.5  
10 -1  
5
5
0.5  
10 -2  
10 -2  
10 -5 10 -4 10 -3 10 -2 10 -1 10 0 10 1 s 10 2  
tp  
10 -5 10 -4 10 -3 10 -2 10 -1 10 0 10 1 s 10 2  
tp  
Maßzeichnung  
Package Outlines  
(Maße in mm, wenn nicht anders angegeben)  
(Dimensions in mm, unless otherwise specified)  
Kathodenkennzeichnung:  
Cathode mark:  
Kürzerer Lötspieß  
Short solder lead  
Semiconductor Group  
6
1998-09-18  
厂商 型号 描述 页数 下载

SEOUL

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SEOUL

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POLYFET

 		LY502_14 [ RF POWER LDMOS TRANSISTOR ] 2 页

STMICROELECTRONICS

 		LY503ALH MEMS运动传感器：高性能± 30 ° / s的模拟偏航率陀螺仪[ MEMS motion sensor: high performance ±30 °/s analog yaw-rate gyroscope ] 12 页

STMICROELECTRONICS

 		LY503ALHTR MEMS运动传感器：高性能± 30 ° / s的模拟偏航率陀螺仪[ MEMS motion sensor: high performance ±30 °/s analog yaw-rate gyroscope ] 12 页

LIGITEK

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