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3TT40AB

型号：

3TT40AB

品牌：

JSMC[ JILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD. ]

页数：

6 页

PDF大小：

278 K

下载PDF手册
双向晶闸管  
TRIACS  
R
3TT40AB  
封装 Package  
主要参数 MAIN CHARACTERISTICS  
IT(RMS)  
VDRM  
IGT  
40A  
600V or 800V  
50mA  
序号  
Pin  
1
引线名称  
Description  
主电极1 MT1  
主电极2 MT2  
2
3
门极  
G
用途  
APPLICATIONS  
z 交流开关  
z 相位控制  
z AC switching  
z Phase control  
TO-3PB  
产品特性  
FEATURES  
z 玻璃钝化芯片， z Glass-passivated mesa  
高可靠性和一  
致性  
chip for reliability and  
uniform  
z 三象限可控硅，  
触发电流的一  
致性好  
z Uniform gate trigger  
currents in three  
quadrants  
z 环保RoHS产品  
z RoHS products  
订货信息 ORDER MESSAGES  
订 货 型 号  
印
记
封
装
包
装
Order code  
Marking  
Package  
Packaging  
3TT40AB-O-AB-N-B  
3TT40AB  
TO-3PB  
条管 Tube  
概述 GENERAL DESCRIPTION  
3TT40AB是玻璃钝化芯片结构的三象限双向晶闸管，产品在第四象限不可触发，具有较高  
的使用可靠性。可适用于容易出现较高dV/dt或dI/dt的交流全波控制线路中，特别推荐应用与电  
感性负载控制（如电机控制线路）。器件封装形式为TO-3PB。  
3TT40AB are Glass passivated three quadrant triacs, designed for high performance  
full-wave ac control applications where high static and dynamic dV/dt and high dI/dt can  
occur. They are specially recommended for use on inductive loads such as motor control  
circuits. Available package is TO-3PB.  
版本：201510E  
1/6  
R
3TT40AB  
绝对最大额定值 ABSOLUTE RATINGS (TC=25℃)  
项
目
符 号  
试 验 条 件  
数 值 单位  
Parameter  
重复峰值断态电压  
Symbol  
Condition  
Value Unit  
±600  
V
VDRM  
Repetitive peak off-state voltage  
±800  
通态方均根电流On-state RMS current  
IT(RMS) full sine wave,  
full sine wave ,t=20ms  
40  
A
A
非重复浪涌峰值通态电流 Non-  
320  
350  
300  
ITSM  
repetitive surge peak on-state current  
full sine wave ,t=16.7ms  
t=10ms  
A
A2s  
I2t  
通态电流临界上升率 Repetitive rate of  
ITM=45A, IG=0.2A,  
dIG/dt=0.2A/μs  
dI/dt  
100 A/μs  
rise of on-state current after triggering  
峰值门极电流 Peak gate current  
峰值门极电压 Peak gate voltage  
峰值门极功率 Peak gate power  
平均门极功率 Average gate power  
IGM  
VGM  
PGM  
2
5
A
V
5
W
W
PG(AV) over any 20ms period  
0.5  
存储温度  
Storage temperature  
Tstg  
TVJ  
-40~150 ℃  
125  
操作结温Operation junction temperature  
℃
版本：201510E  
2/6  
R
3TT40AB  
电特性 ELECTRICAL CHARACTERISTIC (TC=25℃)  
项
目
符 号  
测 试 条 件  
最小 典型 最大 单位  
Parameter  
峰值重复断态电流  
Peak Repetitive Blocking  
Current  
Symbol  
Condition  
Min Typ Max Unit  
10 μA  
VDM=VDRM, Tj=25℃, gate open  
-
-
-
-
IDRM  
5.0  
V
DM=VDRM, Tj=125℃, gate open  
mA  
V
峰值通态电压  
VTM ITM=55A  
-
-
1.7  
Peak on-state voltage  
MT1(-),MT2(+),G(+)  
MT1(-),MT2(+),G(-)  
MT1(+),MT2(-),G(-)  
MT1(-),MT2(+),G(+)  
MT1(-),MT2(+),G(-)  
MT1(+),MT2(-),G(-)  
5
5
5
-
-
50  
50  
mA  
mA  
mA  
V
门极触发电流  
V
DM=12V,  
IGT  
-
Gate trigger current  
RL=100Ω  
-
50  
0.7  
0.7  
0.7  
1.5  
1.5  
1.5  
门极触发电压  
V
DM=12V,  
VGT  
-
V
Gate trigger voltage  
RL=100Ω  
-
V
维持电流  
IH  
VDM=12V, IGT=0.1A  
-
-
50  
mA  
Holding current  
MT1(-),MT2(+),G(+)  
MT1(-),MT2(+),G(-)  
MT1(+),MT2(-),G(-)  
-
-
-
-
-
-
60  
90  
60  
mA  
mA  
mA  
擎住电流  
V
DM=12V,  
IL  
Latching current  
IGT=0.1A  
断态临界电压上升率  
VDM=67% VDRM(MAX),  
dV/dt  
tgt  
1000  
-
-
-
-
V/μs  
μs  
Rise of off- state voltage  
Tj=125℃, gate open  
门极开通时间 Gate  
ITM=55A, VDM=VDRM(MAX),  
2
controlled turn-on time  
IG=0.1A, dIG/dt=5A/μS  
热特性THERMAL CHARACTERISTIC  
项
目
符 号  
条
件
最小 典型 最大 单位  
Condition  
Min Typ Max Unit  
Parameter  
Symbol  
结到管壳的热阻  
Thermal resistance  
junction to case  
full cycle(TO-3PB)  
Rth(j-c)  
0.6 ℃/W  
版本：201510E  
3/6  
R
3TT40AB  
特征曲线 ELECTRICAL CHARACTERISTICS (curves)  
Ptot- IT(RMS)  
IT(RMS) – Tc  
通态方均根电流IT  
（A）  
）
RMS  
基座温度Tc(℃)  
（
ITSM - tp  
IT(RMS)- ts  
脉冲宽度tp(ms)  
冲击持续时间ts(s)  
IGT(Tj)/IGT(25℃) - Tj  
VTM - IT  
结温Tj(℃)  
通态压降VTM(V)  
版本：201510E  
4/6  
R
3TT40AB  
外形尺寸 PACKAGE MECHANICAL DATA  
TO-3PB  
单位Unit ：mm  
版本：201510E  
5/6  
R
3TT40AB  
注意事项  
NOTE  
1. 吉林华微电子股份有限公司的产品销售  
分为直销和销售代理，无论哪种方式，  
订货时请与公司核实。  
1. Jilin Sino-microelectronics co., Ltd sales its  
product either through direct sales or sales  
agent , thus, for customers, when ordering,  
please check with our company.  
2. 购买时请认清公司商标，如有疑问请与  
2. We strongly recommend customers check  
carefully on the trademark when buying our  
product, if there is any question, please  
don’t be hesitate to contact us.  
公司本部联系。  
3. 在电路设计时请不要超过器件的绝对最  
3. Please do not exceed the absolute  
maximum ratings of the device when circuit  
designing.  
大额定值，否则会影响整机的可靠性。  
4. 本说明书如有版本变更不另外告知  
4. Jilin Sino-microelectronics co., Ltd reserves  
the right to make changes in this  
specification sheet and is subject to change  
without prior notice.  
联系方式  
CONTACT  
吉林华微电子股份有限公司  
JILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD.  
ADD: No.99 Shenzhen Street, Jilin City,  
Jilin Province, China.  
公司地址：吉林省吉林市深圳街99 号  
邮编：132013  
Post Code: 132013  
总机：86-432-64678411  
传真：86-432-64665812  
网址：www.hwdz.com.cn  
销售业务部  
Tel： 86-432-64678411  
Fax： 86-432-64665812  
Web Site： www.hwdz.com.cn  
MARKET DEPARTMENT  
地址：吉林省吉林市深圳街99 号  
ADD: No.99 Shenzhen Street, Jilin City,  
Jilin Province, China.  
邮编：132013  
Post Code: 132013  
电话：86-432-64675588  
64675688  
Tel:  
86-432-64675588  
64675688  
64678411  
64678411  
传真：86-432-64671533  
Fax:  
86-432-64671533  
附录（Appendix）：修订记录（Revision History）  
日期 Date  
2009-5-15  
2009-11-3  
2015-10-21  
旧版本Last Rev.  
新版本 New Rev. 修订内容Description of Changes  
200901B  
200905C  
200911D  
200905C  
200911D  
201510E  
中英文格式改版  
修改电话号码  
修改热阻参数  
版本：201510E  
6/6  
厂商 型号 描述 页数 下载

JSMC

 		3TT12C-O-C-N-B [ TRIACS ] 9 页

JSMC

 		3TT12F-O-HF-N-B [ TRIACS ] 9 页

JSMC

 		3TT12J-O-J-N-B [ TRIACS ] 9 页

JSMC

 		3TT12Z-O-Z-N-B [ TRIACS ] 9 页

JSMC

 		3TT12ZCJF [ TRIACS ] 9 页

JSMC

 		3TT16C-O-C-N-B [ TRIACS ] 10 页

JSMC

 		3TT16F [ TRIACS ] 10 页

JSMC

 		3TT16F-O-F1-N-B [ TRIACS ] 10 页

JSMC

 		3TT16F-O-HF-N-B [ TRIACS ] 10 页

JSMC

 		3TT16F1 [ TRIACS ] 10 页

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