找货询价

一对一服务 找料无忧

专属客服

服务时间

周一 - 周六 9:00-18:00

QQ咨询

一对一服务 找料无忧

专属客服

服务时间

周一 - 周六 9:00-18:00

技术支持

一对一服务 找料无忧

专属客服

服务时间

周一 - 周六 9:00-18:00

售后咨询

一对一服务 找料无忧

专属客服

服务时间

周一 - 周六 9:00-18:00

3SK196

型号:

3SK196

品牌:

HITACHI[ HITACHI SEMICONDUCTOR ]

页数:

6 页

PDF大小:

533 K

3SK196  
Silicon N Channel Dual Gate MOS FET  
VHF/UHF TV Tuner RF Amplifier  
Features  
MPAK-4  
• Compact package.  
• Low noise amplifier for VHF to UHF band,  
capable of RF amplifier for CATV wide band  
tuner.  
2
Table 1 Absolute Maximum Ratings  
3
(Ta = 25°C)  
1
4
Item  
——————————————————————–  
Drain to source voltage 12  
——————————————————————–  
Gate 1 to source voltage ±10  
——————————————————————–  
Gate 2 to source voltage ±10  
——————————————————————–  
Drain current 35 mA  
——————————————————————–  
Channel power dissipation Pch 150 mW  
——————————————————————–  
Channel temperature Tch 125 °C  
——————————————————————–  
Storage temperature Tstg –55 to +125 °C  
——————————————————————–  
Symbol Rating  
Unit  
V
V
DS  
1. Source  
2. Gate 1  
3. Gate 2  
4. Drain  
V
V
G1S  
V
V
G2S  
I
D
3SK196  
3SK196  
Table 2 Electrical Characteristics (Ta = 25°C)  
Item  
———————————————————————————————————————————————–  
Drain to source breakdown voltage 12 = V = –5 V,  
Symbol  
Min Typ Max Unit Test condition  
V
V
V
G1S  
(BR)DSX  
G2S  
I
= 200 µA  
D
———————————————————————————————————————————————–  
Gate 1 to source breakdown voltage ±10 = ±10 µA,  
V
V
I
G1  
(BR)G1SS  
V
= V  
= 0  
G2S  
DS  
———————————————————————————————————————————————–  
Gate 2 to source breakdown voltage ±10 = ±10 µA,  
V
V
I
G2  
(BR)G2SS  
V
= V  
= 0  
G1S  
DS  
———————————————————————————————————————————————–  
Gate 1 cutoff current  
I
±100 nA  
V
V
= ±8 V,  
G1SS  
G1S  
G2S  
= V  
= 0  
DS  
———————————————————————————————————————————————–  
Gate 2 cutoff current  
I
±100 nA  
V
V
= ±8 V,  
G2SS  
G2S  
G1S  
= V  
= 0  
DS  
———————————————————————————————————————————————–  
Gate 1 to source cutoff voltage –0.5 +1.5 = 10 V, V = 3 V,  
V
V
V
DS  
G1S(off)  
G2S  
I
= 100 µA  
D
———————————————————————————————————————————————–  
Gate 2 to source cutoff voltage +0.5 +1.5 = 10 V, V = 3 V,  
V
V
V
DS  
G2S(off)  
G1S  
I
= 100 µA  
D
———————————————————————————————————————————————–  
Drain current  
I
0
0.16  
1
mA  
V
V
= 6 V, V  
= 3 V,  
DSS  
DS  
G2S  
= 0  
G1S  
———————————————————————————————————————————————–  
Forward transfer admittance |y | 14 21 mS = 6 V, V = 3 V,  
V
DS  
fs  
G2S  
I
= 10 mA, f = 1 kHz  
D
———————————————————————————————————————————————–  
Input capacitance Ciss 2.4 3.5 pF = 6 V, V = 3 V,  
———————————————————————————————————– I = 10 mA, f = 1 MHz  
V
DS  
G2S  
D
Output capacitance  
———————————————————————————————————–  
Reverse transfer capacitance Crss 0.02 pF  
———————————————————————————————————————————————–  
Power gain PG 12 14 dB = 6 V, V = 3 V,  
———————————————————————————————————– I = 10 mA, f = 900 MHz  
Coss  
1.1  
2.5  
pF  
V
DS  
G2S  
D
Noise figure  
———————————————————————————————————————————————–  
Noise figure NF 3.3 dB = 12 V, V  
NF  
3.6  
4.5  
dB  
4
V
=
AGC  
DD  
10.5 V, f = 60 MHz  
———————————————————————————————————————————————–  
Power gain PG 25 32 dB = 6 V, V = 3 V,  
———————————————————————————————————– I = 10 mA, f = 200 MHz  
V
DS  
G2S  
D
Noise figure  
NF  
1.0  
2
dB  
———————————————————————————————————————————————–  
• Marking is “XI-”.  
厂商 型号 描述 页数 下载

ETC

3SK101 晶体管| MOSFET | N沟道| 20V V( BR ) DSS |我30MA (D ) | MICRO -X\n[ TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 20V V(BR)DSS | 30MA I(D) | MICRO-X ] 1 页

ETC

3SK102 晶体管| MOSFET | N沟道| 20V V( BR ) DSS |我30MA (D ) | MICRO -X\n[ TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 20V V(BR)DSS | 30MA I(D) | MICRO-X ] 1 页

ETC

3SK107 晶体管| MOSFET | N沟道| 20V V( BR ) DSS |我30MA (D ) | DIP\n[ TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 20V V(BR)DSS | 30MA I(D) | DIP ] 11 页

ETC

3SK107E 晶体管| MOSFET | N沟道| 20V V( BR ) DSS |我30MA (D ) | DIP\n[ TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 20V V(BR)DSS | 30MA I(D) | DIP ] 11 页

ETC

3SK107F 晶体管| MOSFET | N沟道| 20V V( BR ) DSS |我30MA (D ) | DIP\n[ TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 20V V(BR)DSS | 30MA I(D) | DIP ] 11 页

ETC

3SK107G 晶体管| MOSFET | N沟道| 20V V( BR ) DSS |我30MA (D ) | DIP\n[ TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 20V V(BR)DSS | 30MA I(D) | DIP ] 11 页

ETC

3SK108 晶体管| MOSFET | N沟道\n[ TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL ] 1 页

ETC

3SK108Q 晶体管| MOSFET | N沟道| 20V V( BR ) DSS |我30MA (D ) | DIP\n[ TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 20V V(BR)DSS | 30MA I(D) | DIP ] 1 页

ETC

3SK108R 晶体管| MOSFET | N沟道| 20V V( BR ) DSS |我30MA (D ) | DIP\n[ TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 20V V(BR)DSS | 30MA I(D) | DIP ] 1 页

ETC

3SK108S 晶体管| MOSFET | N沟道| 20V V( BR ) DSS |我30MA (D ) | DIP\n[ TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 20V V(BR)DSS | 30MA I(D) | DIP ] 1 页

PDF索引:

A

B

C

D

E

F

G

H

I

J

K

L

M

N

O

P

Q

R

S

T

U

V

W

X

Y

Z

0

1

2

3

4

5

6

7

8

9

IC型号索引:

A

B

C

D

E

F

G

H

I

J

K

L

M

N

O

P

Q

R

S

T

U

V

W

X

Y

Z

0

1

2

3

4

5

6

7

8

9

Copyright 2024 gkzhan.com Al Rights Reserved 京ICP备06008810号-21 京

0.198198s