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FZ500R65KE3NOSA1

型号：

FZ500R65KE3NOSA1

品牌：

INFINEON[ Infineon ]

页数：

9 页

PDF大小：

486 K

下载PDF手册
FZ500R65KE3  
hochisolierendesꢀModul  
highꢀinsulatedꢀmodule  
VCES = 6500V  
IC nom = 500A / ICRM = 1000A  
PotentielleꢀAnwendungen  
• Mittelspannungsantriebe  
• Traktionsumrichter  
PotentialꢀApplications  
• Mediumꢀvoltageꢀconverters  
• Tractionꢀdrives  
ElektrischeꢀEigenschaften  
ElectricalꢀFeatures  
• NiedrigesꢀVCEsat  
• LowꢀVCEsat  
MechanischeꢀEigenschaften  
MechanicalꢀFeatures  
• AlSiC Bodenplatte für erhöhte thermische  
• AlSiC base plate for increased thermal cycling  
Lastwechselfestigkeit  
capability  
• Erweiterter Lagertemperaturbereich bis zu Tstg  
=
• Extended storage temperature down to Tstg =  
-55°C  
-55°C  
• GehäuseꢀmitꢀCTIꢀ>ꢀ600  
• PackageꢀwithꢀCTIꢀ>ꢀ600  
• Gehäuse mit erweiterten  
• Package with enhanced insulation of 10.4kV AC  
Isolationseigenschaftenꢀvonꢀ10,4kVꢀACꢀ10s  
10s  
• GroßeꢀLuft-ꢀundꢀKriechstrecken  
• Highꢀcreepageꢀandꢀclearanceꢀdistances  
ModuleꢀLabelꢀCode  
BarcodeꢀCodeꢀ128  
ContentꢀofꢀtheꢀCode  
ModuleꢀSerialꢀNumber  
Digit  
1ꢀ-ꢀꢀꢀ5  
ModuleꢀMaterialꢀNumber  
ProductionꢀOrderꢀNumber  
Datecodeꢀ(ProductionꢀYear)  
Datecodeꢀ(ProductionꢀWeek)  
6ꢀ-ꢀ11  
12ꢀ-ꢀ19  
20ꢀ-ꢀ21  
22ꢀ-ꢀ23  
DMXꢀ-ꢀCode  
Datasheet  
PleaseꢀreadꢀtheꢀImportantꢀNoticeꢀandꢀWarningsꢀatꢀtheꢀendꢀofꢀthisꢀdocument  
Vꢀ3.1  
www.infineon.com  
2018-01-15  
FZ500R65KE3  
IGBT,Wechselrichterꢀ/ꢀIGBT,Inverter  
HöchstzulässigeꢀWerteꢀ/ꢀMaximumꢀRatedꢀValues  
Kollektor-Emitter-Sperrspannung  
Collector-emitterꢀvoltage  
Tvj = 125°C  
Tvj = 25°C  
Tvj = -50°C  
6500  
6500  
5900  
VCES  
ꢀ
ꢀ
V
Kollektor-Dauergleichstrom  
ContinuousꢀDCꢀcollectorꢀcurrent  
TC = 80°C, Tvj max = 150°C  
tP = 1 ms  
IC nom  
ICRM  
ꢀ
ꢀ
ꢀ
500  
1000  
+/-20  
ꢀ
ꢀ
ꢀ
A
A
V
PeriodischerꢀKollektor-Spitzenstrom  
Repetitiveꢀpeakꢀcollectorꢀcurrent  
Gate-Emitter-Spitzenspannung  
Gate-emitterꢀpeakꢀvoltage  
VGES  
CharakteristischeꢀWerteꢀ/ꢀCharacteristicꢀValues  
min. typ. max.  
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung  
Collector-emitterꢀsaturationꢀvoltage  
IC = 500 A, VGE = 15 V  
IC = 500 A, VGE = 15 V  
Tvj = 25°C  
Tvj = 125°C  
3,00 3,40  
3,70 4,20  
V
V
VCE sat  
VGEth  
QG  
Gate-Schwellenspannung  
Gateꢀthresholdꢀvoltage  
IC = 70,0 mA, VCE = VGE, Tvj = 25°C  
VGE = -15 V ... +15 V, VCE = 3600V  
Tvj = 25°C  
5,40 6,00 6,60  
V
µC  
Ω
Gateladung  
Gateꢀcharge  
20,0  
1,1  
InternerꢀGatewiderstand  
Internalꢀgateꢀresistor  
RGint  
Cies  
Eingangskapazität  
Inputꢀcapacitance  
f = 1 MHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V  
f = 1 MHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V  
VCE = 6500 V, VGE = 0 V, Tvj = 25°C  
VCE = 0 V, VGE = 20 V, Tvj = 25°C  
135  
2,10  
nF  
nF  
Rückwirkungskapazität  
Reverseꢀtransferꢀcapacitance  
Cres  
ICES  
IGES  
td on  
Kollektor-Emitter-Reststrom  
Collector-emitterꢀcut-offꢀcurrent  
5,0 mA  
400 nA  
Gate-Emitter-Reststrom  
Gate-emitterꢀleakageꢀcurrent  
Einschaltverzögerungszeit,ꢀinduktiveꢀLast  
Turn-onꢀdelayꢀtime,ꢀinductiveꢀload  
IC = 500 A, VCE = 3600 V  
VGE = ±15 V  
Tvj = 25°C  
Tvj = 125°C  
0,70  
0,80  
µs  
µs  
RGon = 1,5 Ω  
Anstiegszeit,ꢀinduktiveꢀLast  
Riseꢀtime,ꢀinductiveꢀload  
IC = 500 A, VCE = 3600 V  
VGE = ±15 V  
RGon = 1,5 Ω  
Tvj = 25°C  
Tvj = 125°C  
0,33  
0,40  
µs  
µs  
tr  
td off  
tf  
Abschaltverzögerungszeit,ꢀinduktiveꢀLast  
Turn-offꢀdelayꢀtime,ꢀinductiveꢀload  
IC = 500 A, VCE = 3600 V  
VGE = ±15 V  
RGoff = 10 Ω  
Tvj = 25°C  
Tvj = 125°C  
7,30  
7,60  
µs  
µs  
Fallzeit,ꢀinduktiveꢀLast  
Fallꢀtime,ꢀinductiveꢀload  
IC = 500 A, VCE = 3600 V  
VGE = ±15 V  
Tvj = 25°C  
Tvj = 125°C  
0,40  
0,50  
µs  
µs  
RGoff = 10 Ω  
EinschaltverlustenergieꢀproꢀPuls  
Turn-onꢀenergyꢀlossꢀperꢀpulse  
IC = 500 A, VCE = 3600 V, LS = 280 nH  
VGE = ±15 V, di/dt = 2000 A/µs  
RGon = 1,5 Ω  
Tvj = 25°C  
Tvj = 125°C  
2800  
4300  
mJ  
mJ  
Eon  
Eoff  
AbschaltverlustenergieꢀproꢀPuls  
Turn-offꢀenergyꢀlossꢀperꢀpulse  
IC = 500 A, VCE = 3600 V, LS = 280 nH  
VGE = ±15 V  
Tvj = 25°C  
Tvj = 125°C  
2400  
2800  
mJ  
mJ  
RGoff = 10 Ω  
Kurzschlußverhalten  
SCꢀdata  
VGE ≤ 15 V, VCC = 4500 V  
VCEmax = VCES -LsCE ·di/dt  
ISC  
tP ≤ 10 µs, Tvj = 125°C  
3000  
13,2  
A
Wärmewiderstand,ꢀChipꢀbisꢀGehäuse  
Thermalꢀresistance,ꢀjunctionꢀtoꢀcase  
proꢀIGBTꢀ/ꢀperꢀIGBT  
RthJC  
RthCH  
Tvj op  
13,1 K/kW  
Wärmewiderstand,ꢀGehäuseꢀbisꢀKühlkörper proꢀIGBTꢀ/ꢀperꢀIGBT  
Thermalꢀresistance,ꢀcaseꢀtoꢀheatsink  
K/kW  
λPasteꢀ=ꢀ1ꢀW/(m·K)ꢀꢀꢀ/ꢀꢀꢀꢀλgreaseꢀ=ꢀ1ꢀW/(m·K)  
TemperaturꢀimꢀSchaltbetrieb  
Temperatureꢀunderꢀswitchingꢀconditions  
-50  
125  
°C  
Datasheet  
2
Vꢀ3.1  
2018-01-15  
FZ500R65KE3  
Diode,ꢀWechselrichterꢀ/ꢀDiode,ꢀInverter  
HöchstzulässigeꢀWerteꢀ/ꢀMaximumꢀRatedꢀValues  
PeriodischeꢀSpitzensperrspannung  
Repetitiveꢀpeakꢀreverseꢀvoltage  
Tvj = 125°C  
Tvj = 25°C  
Tvj = -50°C  
6500  
6500  
5900  
VRRM  
ꢀ
ꢀ
V
Dauergleichstrom  
ContinuousꢀDCꢀforwardꢀcurrent  
IF  
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
500  
1000  
210  
ꢀ
ꢀ
A
A
PeriodischerꢀSpitzenstrom  
Repetitiveꢀpeakꢀforwardꢀcurrent  
tP = 1 ms  
IFRM  
I²t  
PRQM  
ton min  
Grenzlastintegral  
I²tꢀ-ꢀvalue  
VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 125°C  
Tvj = 125°C  
ꢀ kA²s  
ꢀ kW  
ꢀ µs  
Spitzenverlustleistung  
Maximumꢀpowerꢀdissipation  
2000  
10,0  
Mindesteinschaltdauer  
Minimumꢀturn-onꢀtime  
CharakteristischeꢀWerteꢀ/ꢀCharacteristicꢀValues  
min. typ. max.  
Durchlassspannung  
Forwardꢀvoltage  
IF = 500 A, VGE = 0 V  
IF = 500 A, VGE = 0 V  
Tvj = 25°C  
Tvj = 125°C  
3,00 3,50  
2,95 3,50  
V
V
VF  
Rückstromspitze  
Peakꢀreverseꢀrecoveryꢀcurrent  
IF = 500 A, - diF/dt = 2000 A/µs (Tvj=125°C) Tvj = 25°C  
730  
800  
A
A
VR = 3600 V  
VGE = -15 V  
Tvj = 125°C  
IRM  
Sperrverzögerungsladung  
Recoveredꢀcharge  
IF = 500 A, - diF/dt = 2000 A/µs (Tvj=125°C) Tvj = 25°C  
570  
1050  
µC  
µC  
VR = 3600 V  
VGE = -15 V  
Tvj = 125°C  
Qr  
AbschaltenergieꢀproꢀPuls  
Reverseꢀrecoveryꢀenergy  
IF = 500 A, - diF/dt = 2000 A/µs (Tvj=125°C) Tvj = 25°C  
930  
2000  
mJ  
mJ  
VR = 3600 V  
VGE = -15 V  
Tvj = 125°C  
Erec  
Wärmewiderstand,ꢀChipꢀbisꢀGehäuse  
Thermalꢀresistance,ꢀjunctionꢀtoꢀcase  
proꢀDiodeꢀ/ꢀperꢀdiode  
RthJC  
RthCH  
Tvj op  
27,9 K/kW  
K/kW  
Wärmewiderstand,ꢀGehäuseꢀbisꢀKühlkörper proꢀDiodeꢀ/ꢀperꢀdiode  
Thermalꢀresistance,ꢀcaseꢀtoꢀheatsink  
21,0  
λ
Pasteꢀ=ꢀ1ꢀW/(m·K)ꢀꢀꢀ/ꢀꢀꢀꢀλgreaseꢀ=ꢀ1ꢀW/(m·K)  
TemperaturꢀimꢀSchaltbetrieb  
Temperatureꢀunderꢀswitchingꢀconditions  
-50  
125  
°C  
Datasheet  
3
Vꢀ3.1  
2018-01-15  
FZ500R65KE3  
Modulꢀ/ꢀModule  
Isolations-Prüfspannung  
Isolationꢀtestꢀvoltage  
RMS, f = 50 Hz, t = 10 s  
RMS, f = 50 Hz, QPD typ 10 pC  
Tvj = 25°C, 100 fit  
VISOL  
VISOL  
VCE D  
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
10,4  
5,1  
ꢀ kV  
ꢀ kV  
Teilentladungs-Aussetzspannung  
Partialꢀdischargeꢀextinctionꢀvoltage  
Kollektor-Emitter-Gleichsperrspannung  
DCꢀstability  
3800  
AlSiC  
AlN  
ꢀ
ꢀ
ꢀ
V
MaterialꢀModulgrundplatte  
Materialꢀofꢀmoduleꢀbaseplate  
InnereꢀIsolation  
Internalꢀisolation  
Basisisolierungꢀ(Schutzklasseꢀ1,ꢀEN61140)  
basicꢀinsulationꢀ(classꢀ1,ꢀIECꢀ61140)  
Kriechstrecke  
Creepageꢀdistance  
Kontaktꢀ-ꢀKühlkörperꢀ/ꢀterminalꢀtoꢀheatsink  
Kontaktꢀ-ꢀKontaktꢀ/ꢀterminalꢀtoꢀterminal  
56,0  
56,0  
ꢀ mm  
ꢀ mm  
ꢀ
Luftstrecke  
Clearance  
Kontaktꢀ-ꢀKühlkörperꢀ/ꢀterminalꢀtoꢀheatsink  
Kontaktꢀ-ꢀKontaktꢀ/ꢀterminalꢀtoꢀterminal  
26,0  
26,0  
VergleichszahlꢀderꢀKriechwegbildung  
Comperativeꢀtrackingꢀindex  
CTI  
LsCE  
> 600  
min. typ. max.  
Modulstreuinduktivität  
Strayꢀinductanceꢀmodule  
20  
nH  
mΩ  
°C  
Modulleitungswiderstand,ꢀAnschlüsseꢀ-  
Chip  
Moduleꢀleadꢀresistance,ꢀterminalsꢀ-ꢀchip  
RCC'+EE'  
RAA'+CC'  
0,18  
0,18  
TCꢀ=ꢀ25°C,ꢀproꢀSchalterꢀ/ꢀperꢀswitch  
Lagertemperatur  
Storageꢀtemperature  
Tstg  
M
-55  
125  
Anzugsdrehmomentꢀf.ꢀModulmontage  
Mountingꢀtorqueꢀforꢀmodulꢀmounting  
SchraubeꢀM6ꢀꢀ-ꢀMontageꢀgem.ꢀgültigerꢀApplikationsschrift  
ScrewꢀM6ꢀꢀ-ꢀMountingꢀaccordingꢀtoꢀvalidꢀapplicationꢀnote  
4,25  
5,75 Nm  
2,1 Nm  
Anzugsdrehmomentꢀf.ꢀelektr.ꢀAnschlüsse  
Terminalꢀconnectionꢀtorque  
SchraubeꢀM4ꢀꢀ-ꢀMontageꢀgem.ꢀgültigerꢀApplikationsschrift  
ScrewꢀM4ꢀꢀ-ꢀMountingꢀaccordingꢀtoꢀvalidꢀapplicationꢀnote  
SchraubeꢀM8ꢀꢀ-ꢀMontageꢀgem.ꢀgültigerꢀApplikationsschrift  
ScrewꢀM8ꢀꢀ-ꢀMountingꢀaccordingꢀtoꢀvalidꢀapplicationꢀnote  
1,8  
8,0  
-
-
M
G
10  
Nm  
g
Gewicht  
Weight  
1000  
Datasheet  
4
Vꢀ3.1  
2018-01-15  
FZ500R65KE3  
AusgangskennlinieꢀIGBT,Wechselrichterꢀ(typisch)  
outputꢀcharacteristicꢀIGBT,Inverterꢀ(typical)  
AusgangskennlinienfeldꢀIGBT,Wechselrichterꢀ(typisch)  
outputꢀcharacteristicꢀIGBT,Inverterꢀ(typical)  
ICꢀ=ꢀfꢀ(VCE  
)
ICꢀ=ꢀfꢀ(VCE)  
VGEꢀ=ꢀ15ꢀV  
Tvjꢀ=ꢀ125°C  
1000  
1000  
Tvj = 25°C  
Tvj = 125°C  
VGE = 20 V  
VGE = 15 V  
VGE = 12 V  
VGE = 10 V  
900  
800  
700  
600  
500  
400  
300  
200  
100  
900  
800  
700  
600  
500  
400  
300  
200  
100  
0
0
0,0  
1,0  
2,0  
3,0  
VCE [V]  
4,0  
5,0  
6,0  
0,0 1,0 2,0 3,0 4,0 5,0 6,0 7,0 8,0 9,0  
VCE [V]  
ÜbertragungscharakteristikꢀIGBT,Wechselrichterꢀ(typisch)  
transferꢀcharacteristicꢀIGBT,Inverterꢀ(typical)  
SchaltverlusteꢀIGBT,Wechselrichterꢀ(typisch)  
switchingꢀlossesꢀIGBT,Inverterꢀ(typical)  
Eonꢀ=ꢀfꢀ(IC),ꢀEoffꢀ=ꢀfꢀ(IC)  
ICꢀ=ꢀfꢀ(VGE  
)
VCEꢀ=ꢀ20ꢀV  
VGEꢀ=ꢀ±15ꢀV,ꢀRGonꢀ=ꢀ1.5ꢀΩ,ꢀRGoffꢀ=ꢀ10ꢀΩ,ꢀVCEꢀ=ꢀ3600ꢀV  
1000  
12000  
Tvj = 25°C  
Eon, Tvj = 125°C  
Tvj = 125°C  
Eoff, Tvj = 125°C  
11000  
900  
800  
700  
600  
500  
400  
300  
200  
100  
10000  
9000  
8000  
7000  
6000  
5000  
4000  
3000  
2000  
1000  
0
0
6
7
8
9
10  
11  
12  
13  
0
100 200 300 400 500 600 700 800 900 1000  
VGE [V]  
IC [A]  
Datasheet  
5
Vꢀ3.1  
2018-01-15  
FZ500R65KE3  
SchaltverlusteꢀIGBT,Wechselrichterꢀ(typisch)  
switchingꢀlossesꢀIGBT,Inverterꢀ(typical)  
Eonꢀ=ꢀfꢀ(RG),ꢀEoffꢀ=ꢀfꢀ(RG)  
TransienterꢀWärmewiderstandꢀIGBT,Wechselrichterꢀ  
transientꢀthermalꢀimpedanceꢀIGBT,Inverterꢀ  
ZthJCꢀ=ꢀfꢀ(t)  
VGEꢀ=ꢀ±15ꢀV,ꢀICꢀ=ꢀ500ꢀA,ꢀVCEꢀ=ꢀ3600ꢀV  
9000  
100  
Eon, Tvj = 125°C  
Eoff, Tvj = 125°C  
ZthJC : IGBT  
8000  
7000  
6000  
5000  
4000  
3000  
2000  
1000  
0
10  
1
i:  
ri[K/kW]: 0,66 8,43 2,51 1,44  
τi[s]: 0,004 0,044 0,405 3,93  
1
2
3
4
0,1  
0,001  
0
2
4
6
8
10  
12  
14  
16  
18  
0,01  
0,1  
1
10  
100  
RG [Ω]  
t [s]  
SichererꢀRückwärts-ArbeitsbereichꢀIGBT,Wechselrichter  
(RBSOA)  
reverseꢀbiasꢀsafeꢀoperatingꢀareaꢀIGBT,Inverterꢀ(RBSOA)  
DurchlasskennlinieꢀderꢀDiode,ꢀWechselrichterꢀ(typisch)  
forwardꢀcharacteristicꢀofꢀDiode,ꢀInverterꢀ(typical)  
IFꢀ=ꢀfꢀ(VF)  
ICꢀ=ꢀfꢀ(VCE  
)
VGEꢀ=ꢀ±15ꢀV,ꢀRGoffꢀ=ꢀ10ꢀΩ,ꢀTvjꢀ=ꢀ125°C  
1200  
1000  
Tvj = 125°C  
Tvj = 25°C  
Tvj = 25°C  
Tvj = 125°C  
1100  
900  
1000  
900  
800  
700  
600  
500  
400  
300  
200  
100  
0
800  
700  
600  
500  
400  
300  
200  
100  
0
0
1000 2000 3000 4000 5000 6000 7000  
0,0  
1,0  
2,0  
3,0  
4,0  
5,0  
VCE [V]  
VF [V]  
Datasheet  
6
Vꢀ3.1  
2018-01-15  
FZ500R65KE3  
SchaltverlusteꢀDiode,ꢀWechselrichterꢀ(typisch)  
switchingꢀlossesꢀDiode,ꢀInverterꢀ(typical)  
Erecꢀ=ꢀfꢀ(IF)  
SchaltverlusteꢀDiode,ꢀWechselrichterꢀ(typisch)  
switchingꢀlossesꢀDiode,ꢀInverterꢀ(typical)  
Erecꢀ=ꢀfꢀ(RG)  
RGonꢀ=ꢀ1.5ꢀΩ,ꢀVCEꢀ=ꢀ3600ꢀV  
IFꢀ=ꢀ500ꢀA,ꢀVCEꢀ=ꢀ3600ꢀV  
3000  
2100  
Erec, Tvj = 125°C  
Erec, Tvj = 125°C  
2700  
2400  
2100  
1800  
1500  
1200  
900  
1800  
1500  
1200  
900  
600  
300  
0
600  
300  
0
0
100 200 300 400 500 600 700 800 900 1000  
IF [A]  
0,0  
0,5  
1,0  
1,5  
2,0  
RG [Ω]  
2,5  
3,0  
3,5  
4,0  
TransienterꢀWärmewiderstandꢀDiode,ꢀWechselrichterꢀ  
transientꢀthermalꢀimpedanceꢀDiode,ꢀInverterꢀ  
ZthJCꢀ=ꢀfꢀ(t)  
SichererꢀArbeitsbereichꢀDiode,ꢀWechselrichterꢀ(SOA)  
safeꢀoperationꢀareaꢀDiode,ꢀInverterꢀ(SOA)  
IRꢀ=ꢀf(VR)  
Tvjꢀ=ꢀ125°C  
100  
1200  
ZthJC : Diode  
IR, Modul  
1100  
1000  
900  
800  
700  
600  
500  
400  
300  
200  
100  
0
10  
1
i:  
ri[K/kW]: 4,04 17,24 4,23 2,41  
τi[s]: 0,005 0,048 0,313 3,348  
1
2
3
4
0,1  
0,001  
0,01  
0,1  
1
10  
100  
0
1000 2000 3000 4000 5000 6000 7000  
t [s]  
VR [V]  
Datasheet  
7
Vꢀ3.1  
2018-01-15  
FZ500R65KE3  
Schaltplanꢀ/ꢀCircuitꢀdiagram  
Gehäuseabmessungenꢀ/ꢀPackageꢀoutlines  
Datasheet  
8
Vꢀ3.1  
2018-01-15  
Trademarks  
Allꢀreferencedꢀproductꢀorꢀserviceꢀnamesꢀandꢀtrademarksꢀareꢀtheꢀpropertyꢀofꢀtheirꢀrespectiveꢀowners.  
ꢀ
ꢀ
ꢀ
Editionꢀ2018-01-15  
©ꢀ2018ꢀInfineonꢀTechnologiesꢀAG.  
AllꢀRightsꢀReserved.  
Publishedꢀby  
InfineonꢀTechnologiesꢀAG  
81726ꢀMünchen,ꢀGermany  
Doꢀyouꢀhaveꢀaꢀquestionꢀaboutꢀthisꢀdocument?  
Email:ꢀerratum@infineon.com  
ꢀ
ꢀ
WICHTIGERꢀHINWEIS  
DieꢀinꢀdiesemꢀDokumentꢀenthaltenenꢀAngabenꢀstellenꢀkeinesfallsꢀGarantienꢀfürꢀdieꢀBeschaffenheitꢀoderꢀEigenschaftenꢀdesꢀProduktes  
(“Beschaffenheitsgarantie“)ꢀdar.ꢀFürꢀBeispiele,ꢀHinweiseꢀoderꢀtypischeꢀWerte,ꢀdieꢀinꢀdiesemꢀDokumentꢀenthaltenꢀsind,ꢀund/oderꢀAngaben,  
dieꢀsichꢀaufꢀdieꢀAnwendungꢀdesꢀProduktesꢀbeziehen,ꢀistꢀjeglicheꢀGewährleistungꢀundꢀHaftungꢀvonꢀInfineonꢀTechnologiesꢀausgeschlossen,  
einschließlich,ꢀohneꢀhieraufꢀbeschränktꢀzuꢀsein,ꢀdieꢀGewährꢀdafür,ꢀdassꢀkeinꢀgeistigesꢀEigentumꢀDritterꢀverletztꢀist.  
DesꢀWeiterenꢀstehenꢀsämtliche,ꢀinꢀdiesemꢀDokumentꢀenthaltenenꢀInformationen,ꢀunterꢀdemꢀVorbehaltꢀderꢀEinhaltungꢀderꢀinꢀdiesem  
DokumentꢀfestgelegtenꢀVerpflichtungenꢀdesꢀKundenꢀsowieꢀallerꢀimꢀHinblickꢀaufꢀdasꢀProduktꢀdesꢀKundenꢀsowieꢀdieꢀNutzungꢀdesꢀInfineon  
ProduktesꢀinꢀdenꢀAnwendungenꢀdesꢀKundenꢀanwendbarenꢀgesetzlichenꢀAnforderungen,ꢀNormenꢀundꢀStandardsꢀdurchꢀdenꢀKunden.  
DieꢀinꢀdiesemꢀDokumentꢀenthaltenenꢀDatenꢀsindꢀausschließlichꢀfürꢀtechnischꢀgeschultesꢀFachpersonalꢀbestimmt.ꢀDieꢀBeurteilungꢀder  
EignungꢀdiesesꢀProduktesꢀfürꢀdieꢀbeabsichtigteꢀAnwendungꢀsowieꢀdieꢀBeurteilungꢀderꢀVollständigkeitꢀderꢀinꢀdiesemꢀDokumentꢀenthaltenen  
ProduktdatenꢀfürꢀdieseꢀAnwendungꢀobliegtꢀdenꢀtechnischenꢀFachabteilungenꢀdesꢀKunden.  
SolltenꢀSieꢀvonꢀunsꢀweitereꢀInformationenꢀimꢀZusammenhangꢀmitꢀdemꢀProdukt,ꢀderꢀTechnologie,ꢀLieferbedingungenꢀbzw.ꢀPreisen  
benötigen,ꢀwendenꢀSieꢀsichꢀbitteꢀanꢀdasꢀnächsteꢀVertriebsbüroꢀvonꢀInfineonꢀTechnologiesꢀ(www.infineon.com).  
WARNHINWEIS  
AufgrundꢀderꢀtechnischenꢀAnforderungenꢀkönnenꢀProdukteꢀgesundheitsgefährdendeꢀSubstanzenꢀenthalten.ꢀBeiꢀFragenꢀzuꢀdenꢀinꢀdiesem  
ProduktꢀenthaltenenꢀSubstanzen,ꢀsetzenꢀSieꢀsichꢀbitteꢀmitꢀdemꢀnächstenꢀVertriebsbüroꢀvonꢀInfineonꢀTechnologiesꢀinꢀVerbindung.  
SofernꢀInfineonꢀTechnologiesꢀnichtꢀausdrücklichꢀinꢀeinemꢀschriftlichen,ꢀvonꢀvertretungsberechtigtenꢀInfineonꢀMitarbeiternꢀunterzeichneten  
Dokumentꢀzugestimmtꢀhat,ꢀdürfenꢀProdukteꢀvonꢀInfineonꢀTechnologiesꢀnichtꢀinꢀAnwendungenꢀeingesetztꢀwerden,ꢀinꢀwelchen  
vernünftigerweiseꢀerwartetꢀwerdenꢀkann,ꢀdassꢀeinꢀFehlerꢀdesꢀProduktesꢀoderꢀdieꢀFolgenꢀderꢀNutzungꢀdesꢀProduktesꢀzu  
Personenverletzungenꢀführen.  
ꢀ
ꢀ
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IMPORTANTꢀNOTICE  
Theꢀinformationꢀgivenꢀinꢀthisꢀdocumentꢀshallꢀinꢀnoꢀeventꢀbeꢀregardedꢀasꢀaꢀguaranteeꢀofꢀconditionsꢀorꢀcharacteristics  
(“Beschaffenheitsgarantie”).ꢀWithꢀrespectꢀtoꢀanyꢀexamples,ꢀhintsꢀorꢀanyꢀtypicalꢀvaluesꢀstatedꢀhereinꢀand/orꢀanyꢀinformationꢀregardingꢀthe  
applicationꢀofꢀtheꢀproduct,ꢀInfineonꢀTechnologiesꢀherebyꢀdisclaimsꢀanyꢀandꢀallꢀwarrantiesꢀandꢀliabilitiesꢀofꢀanyꢀkind,ꢀincludingꢀwithout  
limitationꢀwarrantiesꢀofꢀnon-infringementꢀofꢀintellectualꢀpropertyꢀrightsꢀofꢀanyꢀthirdꢀparty.  
Inꢀaddition,ꢀanyꢀinformationꢀgivenꢀinꢀthisꢀdocumentꢀisꢀsubjectꢀtoꢀcustomer’sꢀcomplianceꢀwithꢀitsꢀobligationsꢀstatedꢀinꢀthisꢀdocumentꢀandꢀany  
applicableꢀlegalꢀrequirements,ꢀnormsꢀandꢀstandardsꢀconcerningꢀcustomer’sꢀproductsꢀandꢀanyꢀuseꢀofꢀtheꢀproductꢀofꢀInfineonꢀTechnologies  
inꢀcustomer’sꢀapplications.  
Theꢀdataꢀcontainedꢀinꢀthisꢀdocumentꢀisꢀexclusivelyꢀintendedꢀforꢀtechnicallyꢀtrainedꢀstaff.ꢀItꢀisꢀtheꢀresponsibilityꢀofꢀcustomer’sꢀtechnical  
departmentsꢀtoꢀevaluateꢀtheꢀsuitabilityꢀofꢀtheꢀproductꢀforꢀtheꢀintendedꢀapplicationꢀandꢀtheꢀcompletenessꢀofꢀtheꢀproductꢀinformationꢀgivenꢀin  
thisꢀdocumentꢀwithꢀrespectꢀtoꢀsuchꢀapplication.  
Forꢀfurtherꢀinformationꢀonꢀtheꢀproduct,ꢀtechnology,ꢀdeliveryꢀtermsꢀandꢀconditionsꢀandꢀpricesꢀpleaseꢀcontactꢀyourꢀnearestꢀInfineon  
Technologiesꢀofficeꢀ(www.infineon.com).  
WARNINGS  
Dueꢀtoꢀtechnicalꢀrequirementsꢀproductsꢀmayꢀcontainꢀdangerousꢀsubstances.ꢀForꢀinformationꢀonꢀtheꢀtypesꢀinꢀquestionꢀpleaseꢀcontactꢀyour  
nearestꢀInfineonꢀTechnologiesꢀoffice.  
ExceptꢀasꢀotherwiseꢀexplicitlyꢀapprovedꢀbyꢀInfineonꢀTechnologiesꢀinꢀaꢀwrittenꢀdocumentꢀsignedꢀbyꢀauthorizedꢀrepresentativesꢀofꢀInfineon  
Technologies,ꢀInfineonꢀTechnologies’ꢀproductsꢀmayꢀnotꢀbeꢀusedꢀinꢀanyꢀapplicationsꢀwhereꢀaꢀfailureꢀofꢀtheꢀproductꢀorꢀanyꢀconsequencesꢀof  
theꢀuseꢀthereofꢀcanꢀreasonablyꢀbeꢀexpectedꢀtoꢀresultꢀinꢀpersonalꢀinjury.  
厂商 型号 描述 页数 下载

ETC

 		FZ500R12KF 晶体管| IGBT | N -CHAN | 1.2KV V（ BR ） CES | 500A I（C ） | M ： HL093HW048\n[ TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 1.2KV V(BR)CES | 500A I(C) | M:HL093HW048 ] 2 页

ETC

 		FZ500R12KL 晶体管| IGBT | N -CHAN | 1.2KV V（ BR ） CES | 500A I（C ） | M ： HL093HW048\n[ TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 1.2KV V(BR)CES | 500A I(C) | M:HL093HW048 ] 2 页

INFINEON

 		FZ500R65KE3 高绝缘模块[ high insulated module ] 9 页

INFINEON

 		FZ500R65KE3T 高绝缘模块[ high insulated module ] 9 页

ETC

 		FZ50A05KN 晶体管| IGBT | N -CHAN | 500V V（ BR ） CES | 50A I（C ） | MODULE -Q\n[ TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 500V V(BR)CES | 50A I(C) | MODULE-Q ] 2 页

ETC

 		FZ50A06KL 晶体管| IGBT功率模块|独立| 600V V（ BR ） CES | 50A I（C ）\n[ TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | INDEPENDENT | 600V V(BR)CES | 50A I(C) ] 1 页

ETC

 		FZ50A10KN 晶体管| IGBT | N -CHAN | 1KV V（ BR ） CES | 50A I（C ） | MODULE -Q\n[ TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 1KV V(BR)CES | 50A I(C) | MODULE-Q ] 2 页

ETC

 		FZ50A12KF 晶体管| IGBT功率模块|独立| 1.2KV V（ BR ） CES | 50A I（C ）\n[ TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | INDEPENDENT | 1.2KV V(BR)CES | 50A I(C) ] 1 页

ETC

 		FZ50A12KL 晶体管| IGBT功率模块|独立| 1.2KV V（ BR ） CES | 50A I（C ）\n[ TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | INDEPENDENT | 1.2KV V(BR)CES | 50A I(C) ] 1 页

MOLEX

 		FZ50P0G1 [ D Subminiature Connector, 50 Contact(s), Male, Solder Terminal, Plug, ROHS COMPLIANT ] 12 页

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