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6SI75N12

型号:

6SI75N12

描述:

绝缘栅双极型晶体管( IGBT ),绝缘栅双极型晶体管( IGBT的) , NPT技术的IGBT模块NPT IGBT模块(无穿通技术) 。[ 绝缘栅双极型晶体管(IGBT)Isolated Gate Bipolar Transistor (IGBTs),NPT技术的IGBT模块NPT IGBT Modules (None Punch Through Technology). ]

品牌:

SIRECTIFIER[ SIRECTIFIER SEMICONDUCTORS ]

页数:

2 页

PDF大小:

557 K

6SI75N12  
NPT IGBT Modules  
Dimensions in mm (1mm = 0.0394")  
T C, unless otherwise specified  
= 25o  
C
Absolute Maximum Ratings  
Symbol  
Conditions  
Units  
Values  
1200  
V
CES  
V
A
I
C
103(75)  
206(150)  
T
C
C
= 25(80)o  
= 25(80)oC, tP =1ms  
C
I
CRM  
T
A
_
+20  
V
GES  
V
200  
Ptot  
W
oC  
_
_
TVj,(Tstg)  
TOPERATION < Tstg  
+150( 40...+125)  
AC, 1min  
Visol  
2500  
V
_
<
RthJC  
0.235  
0.55  
K/W  
_
<
RthJCD  
R
Sirectifier  
6SI75N12  
NPT IGBT Modules  
T C, unless otherwise specified  
= 25o  
C
Electeical Characteristics  
Symbol  
Conditions  
min.  
typ.  
max.  
Units  
Static Characteristics  
V
GE(th)  
4.5  
5.5  
6.5  
1.5  
V
mA  
nA  
V
V
V
V
GE = VCE, I = 3mA  
C
GE = 0; VCE = 1200V; T  
j
= 25(125)o  
C
I
CES  
1(4)  
I
GES  
320  
GE = 20V, VCE = 0  
V
CE(sat)  
2.5(3.1) 3.0(3.7)  
IC  
=75A; VGE = 15V; T  
j
= 25(125)o  
C
AC Characteristics  
C
iss  
oss  
rss  
fs  
under following conditions  
GE = 0, VCE = 25V, f = 1MHz  
5.1  
0.72  
0.38  
nF  
S
C
V
C
g
VCE=20V  
,
I
C=75A  
31  
Switching Characteristics  
t
d(on)  
30  
70  
60  
V
CC = 600V, I  
Gon = RGoff =15 , T  
GE = ± 15V  
C
= 75A  
R
j
= 125o  
C
tr  
140  
600  
100  
ns  
t
d(off)  
450  
70  
V
tf  
FWD under following conditions:  
V
F
2.3(1.8)  
0.125  
2.8  
V
I
F
= 75A, VGE = 0V, T  
_
j
= 25(125)o  
C
IF  
=75A, V  
R
= 600V, VGE=0V,di/dt= 900A/us, T  
j
= 125o  
C
_
trr  
us  
_
IF  
= 75A, VGE = 0V, V  
R
= 600V  
uC  
Q
rr  
10(3.2)  
di/dt= 900A/us, T C  
= 25(125)o  
j
_
Mechanical Data  
2.5-4.0/22-35  
2.5-4.0/22-35  
Mounting torque (M5)  
Terminal connection torque (M5)  
Nm/lb.in.  
g
Md  
w
190  
R
Sirectifier  
厂商 型号 描述 页数 下载

SIRECTIFIER

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