IGBT-Module
FZ 800 R 16 KF4
Höchstzulässige Werte / Maximum rated values
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Kollektor-Emitter-Sperrspannung
Kollektor-Dauergleichstrom
Periodischer Kollektor Spitzenstrom
Gesamt-Verlustleistung
collector-emitter voltage
VCES
IC
1600 V
800 A
DC-collector current
repetitive peak collector current
total power dissipation
gate-emitter peak voltage
DC forward current
tp=1 ms
ICRM
Ptot
VGE
IF
1600 A
6250 W
± 20 V
800 A
tC=25°C, Transistor /transistor
Gate-Emitter-Spitzenspannung
Dauergleichstrom
Periodischer Spitzenstrom
Isolations-Prüfspannung
repetitive peak forw. current
insulation test voltage
tp=1ms
IFRM
VISOL
1600 A
3,4 kV
RMS, f=50 Hz, t= 1 min.
Charakteristische Werte / Characteristic values: Transistor
min.
typ.
3,3
4,4
5,5
130
6
max.
3,7 V
Kollektor-Emitter Sättigungsspannung collector-emitter saturation voltage
iC=800A, vGE=15V, tvj=25°C
vCE sat
-
iC=800A, vGE=15V, tvj=125°C
-
4,8 V
6,5 V
Gate-Schwellenspannung
Eingangskapazität
gate threshold voltage
input capacity
iC=65mA, vCE=vGE, tvj=25°C
vGE(TO)
Cies
4,5
fO=1MHz,tvj=25°C,vCE=25V, vGE=0V
-
-
-
-
-
- nF
Kollektor-Emitter Reststrom
collector-emitter cut-off current
vCE=1600V, vGE=0V, tvj=25°C
vCE=1600V, vGE=0V, tvj=125°C
vCE=0V, vGE=20V, tvj=25°C
vCE=0V, vEG=20V, tvj=25°C
iC=800A,vCE=900V,vL=±15V
vL=±15V, RG=2,4W, tvj=25°C
vL=±15V, RG=2,4W, tvj=125°C
iC=800A,vCE=900V,vL=±15V
vL=±15V, RG=2,4W, tvj=25°C
vL=±15V, RG=2,4W, tvj=125°C
iC=800A,vCE=900V,vL=±15V
vL=±15V, RG=2,4W, tvj=25°C
vL=±15V, RG=2,4W, tvj=125°C
iCES
- mA
- mA
60
-
Gate-Emitter Reststrom
Emitter-Gate Reststrom
Einschaltzeit (induktive Last)
gate leakage current
iGES
iEGS
ton
400 nA
400 nA
gate leakage current
-
turn-on time (inductive load)
-
-
0,8
1
- µs
- µs
Speicherzeit (induktive Last)
Fallzeit (induktive Last)
storage time (inductive load)
fall time (inductive load)
ts
-
-
1,1
1,3
- µs
- µs
tf
-
-
0,25
0,3
- µs
- µs
Charakteristische Werte / Characteristic values
Transistor / Transistor
Einschaltverlustenergie pro Puls
turn-on energy loss per pulse
turn-off energy loss per pulse
iC=800A,vCE=900V,vL=±15V
RG=2,4W, tvj=125°C, LS=70nH
iC=800A,vCE=900V,vL=±15V
RG=2,4W, tvj=125°C, LS=70nH
Eon
Eoff
-
-
340
180
- mWs
Abschaltverlustenergie pro Puls
- mWs
Inversdiode / Inverse diode
Durchlaßspannung
forward voltage
iF=800A, vGE=0V, tvj=25°C
iF=800A, vGE=0V, tvj=125°C
iF=800A, -diF/dt=4,5kA/µs
vRM=900V, vEG=10V, tvj=25°C
vRM=900V, vEG=10V, tvj=125°C
iF=800A, -diF/dt=4,5kA/µs
vF
-
-
2,4
2,2
2,8 V
- V
Rückstromspitze
peak reverse recovery current
IRM
-
-
540
660
- A
- A
Sperrverzögerungsladung
recovered charge
Qr
vRM=900V, vEG=10V, tvj=25°C
vRM=900V, vEG=10V, tvj=125°C
-
-
100
220
- µAs
- µAs
Thermische Eigenschaften / Thermal properties
Innerer Wärmewiderstand
thermal resistance, junction to case
Transistor / transistor, DC
Diode /diode, DC
RthJC
0,02 °C/W
0,05 °C/W
0,01 °C/W
150 °C
Übergangs-Wärmewiderstand
Höchstzul. Sperrschichttemperatur
Betriebstemperatur
thermal resistance, case to heatsink
max. junction temperature
operating temperature
pro Module / per Module
RthCK
tvj max
tc op
-40...+125 °C
Lagertemperatur
storage temperature
tstg
-40...+125 °C
Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties
Innere Isolation
internal insulation
Al2O3
3 Nm
Anzugsdrehmoment f. mech. Befestigung / mounting torque
terminals M6 / tolerance ±10%
terminals M4 / tolerance +5/-10%
terminals M8
M1
M2
Anzugsdrehmoment f. elektr. Anschlüsse / terminal connection torque
2 Nm
8...10 Nm
ca. 1500 g
Gewicht
weight
G
Mit dieser technischen Information werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert. Sie gilt in Verbindung mit den
zugehörigen Technischen Erläuterungen. This technical information specifies semiconductor devices but promises no characteristics. It is valid in
combination with the belonging technical notes.
Bedingung für den Kurzschlußschutz / Conditions for short-circuit protection
tfg = 10 µs
VCC = 1000 V
vCEM = 1300 V
iCMK1 » 8000 A
iCMK2 » 6000 A
vL = ±15V
RGF = RGR = 2,4 W
tvj = 125°C
Unabhängig davon gilt bei abweichenden Bedingungen / with regard to other conditions v CEM = VCES - 15nH x |di c/dt|
