请登录

免费注册
全部商品
电子元器件
方案中心
工业品
PDF资料
购物车 0
上传BOM

产品分类

找货询价

一对一服务 找料无忧

专属客服

服务时间

周一 - 周六 9:00-18:00

QQ咨询

一对一服务 找料无忧

专属客服

服务时间

周一 - 周六 9:00-18:00

会员中心
购物车
技术支持

一对一服务 找料无忧

专属客服

服务时间

周一 - 周六 9:00-18:00

售后咨询

一对一服务 找料无忧

专属客服

服务时间

周一 - 周六 9:00-18:00

FZ2400R12KL4C

型号：

FZ2400R12KL4C

描述：

IGBT模块\n[ IGBT Module ]

品牌：

ETC[ ETC ]

页数：

8 页

PDF大小：

101 K

下载PDF手册
Technische Information / Technical Information  
IGBT-Module  
IGBT-Modules  
FZ 2400 R 12 KL4C  
Höchstzulässige Werte / Maximum rated values  
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties  
Kollektor-Emitter-Sperrspannung  
collector-emitter voltage  
VCES  
1200  
V
T
C = 80 °C  
IC,nom.  
IC  
2400  
3700  
A
A
Kollektor-Dauergleichstrom  
DC-collector current  
TC = 25 °C  
Periodischer Kollektor Spitzenstrom  
repetitive peak collector current  
tP = 1 ms, TC = 80°C  
ICRM  
4800  
14,8  
A
kW  
V
Gesamt-Verlustleistung  
total power dissipation  
TC=25°C, Transistor  
Ptot  
Gate-Emitter-Spitzenspannung  
gate-emitter peak voltage  
VGES  
+/- 20V  
2400  
4800  
1200  
2,5  
Dauergleichstrom  
DC forward current  
IF  
A
Periodischer Spitzenstrom  
repetitive peak forw. current  
tP = 1 ms  
IFRM  
A
Grenzlastintegral der Diode  
I2t - value, Diode  
I2t  
kA2s  
kV  
VR = 0V, tp = 10ms, TVj = 125°C  
RMS, f = 50 Hz, t = 1 min.  
Isolations-Prüfspannung  
insulation test voltage  
VISOL  
Charakteristische Werte / Characteristic values  
min. typ. max.  
Transistor / Transistor  
I
C = 2400A, VGE = 15V, Tvj = 25°C  
VCE sat  
-
-
2,1  
2,4  
2,6  
2,9  
V
V
Kollektor-Emitter Sättigungsspannung  
collector-emitter saturation voltage  
IC = 2400A, VGE = 15V, Tvj = 125°C  
Gate-Schwellenspannung  
gate threshold voltage  
IC = 96mA, VCE = VGE, Tvj = 25°C  
VGE(th)  
4,5  
5,5  
26  
6,5  
V
Gateladung  
gate charge  
VGE = -15V...+15V  
QG  
-
-
-
-
-
-
µC  
nF  
nF  
Eingangskapazität  
input capacitance  
f = 1MHz,Tvj = 25°C,VCE = 25V, VGE = 0V  
f = 1MHz,Tvj = 25°C,VCE = 25V, VGE = 0V  
Cies  
170  
11  
Rückwirkungskapazität  
reverse transfer capacitance  
Cres  
ICES  
VCE = 1200V, VGE = 0V, Tvj = 25°C  
-
-
0,06  
5
3
-
mA  
mA  
Kollektor-Emitter Reststrom  
collector-emitter cut-off current  
VCE = 1200V, VGE = 0V, Tvj = 125°C  
Gate-Emitter Reststrom  
gate-emitter leakage current  
VCE = 0V, VGE = 20V, Tvj = 25°C  
IGES  
-
-
600  
nA  
prepared by: Mark Münzer  
approved by: M. Hierholzer  
date of publication: 02.09.1999  
revision: 2  
1(8)  
Seriendatenblatt_FZ2400R12KL4C  
Technische Information / Technical Information  
IGBT-Module  
IGBT-Modules  
FZ 2400 R 12 KL4C  
Charakteristische Werte / Characteristic values  
min. typ. max.  
Transistor / Transistor  
I
C = 2400A, VCE = 600V  
Einschaltverzögerungszeit (ind. Last)  
turn on delay time (inductive load)  
td,on  
VGE = ±15V, RG = 0,56Ω, Tvj = 25°C  
VGE = ±15V, RG = 0,56Ω, Tvj = 125°C  
-
-
0,35  
0,37  
-
-
µs  
µs  
I
C = 2400A, VCE = 600V  
Anstiegszeit (induktive Last)  
rise time (inductive load)  
tr  
VGE = ±15V, RG = 0,56Ω, Tvj = 25°C  
VGE = ±15V, RG = 0,56Ω, Tvj = 125°C  
-
-
0,23  
0,21  
-
-
µs  
µs  
I
C = 2400A, VCE = 600V  
Abschaltverzögerungszeit (ind. Last)  
turn off delay time (inductive load)  
td,off  
VGE = ±15V, RG = 0,56Ω, Tvj = 25°C  
VGE = ±15V, RG = 0,56Ω, Tvj = 125°C  
-
-
1,13  
1,21  
-
-
µs  
µs  
I
C = 2400A, VCE = 600V  
Fallzeit (induktive Last)  
fall time (inductive load)  
tf  
VGE = ±15V, RG = 0,56Ω, Tvj = 25°C  
VGE = ±15V, RG = 0,56Ω, Tvj = 125°C  
-
-
0,17  
0,18  
-
-
µs  
µs  
I
C = 2400A, VCE = 600V, VGE = 15V  
RG = 0,56Ω, Tvj = 125°C, LS = 35nH  
C = 2400A, VCE = 600V, VGE = 15V  
RG = 0,56Ω, Tvj = 125°C, LS = 35nH  
P ≤ 10µsec, VGE ≤ 15V, RG = 0,56Ω  
Vj≤125°C, VCC=900V, VCEmax=VCES -LsCE ·dI/dt  
Einschaltverlustenergie pro Puls  
turn-on energy loss per pulse  
Eon  
Eoff  
-
-
320  
400  
-
-
mWs  
mWs  
I
Abschaltverlustenergie pro Puls  
turn-off energy loss per pulse  
t
Kurzschlußverhalten  
SC Data  
ISC  
T
-
-
20000  
12  
-
-
A
Modulinduktivität  
stray inductance module  
LsCE  
nH  
Modul Leitungswiderstand, Anschlüsse – Chip  
module lead resistance, terminals – chip  
TC=25°C  
RCC‘+EE‘  
-
0,08  
-
mΩ  
Charakteristische Werte / Characteristic values  
min. typ. max.  
Diode / Diode  
IF = 2400A, VGE = 0V, Tvj = 25°C  
Durchlaßspannung  
VF  
IRM  
Qr  
-
-
1,8  
1,7  
2,3  
2,2  
V
V
forward voltage  
IF = 2400A, VGE = 0V, Tvj = 125°C  
IF = 2400A, - diF/dt = 12000A/µsec  
Rückstromspitze  
peak reverse recovery current  
V
R = 600V, VGE = -15V, Tvj = 25°C  
R = 600V, VGE = -15V, Tvj = 125°C  
-
-
1200  
1800  
-
-
A
A
V
IF = 2400A, - diF/dt = 12000A/µsec  
VR = 600V, VGE = -15V, Tvj = 25°C  
Sperrverzögerungsladung  
recovered charge  
-
-
210  
470  
-
-
µAs  
µAs  
VR = 600V, VGE = -15V, Tvj = 125°C  
IF = 2400A, - diF/dt = 12000A/µsec  
VR = 600V, VGE = -15V, Tvj = 25°C  
Abschaltenergie pro Puls  
reverse recovery energy  
Erec  
-
-
90  
-
-
mWs  
mWs  
VR = 600V, VGE = -15V, Tvj = 125°C  
160  
2(8)  
Seriendatenblatt_FZ2400R12KL4C  
Technische Information / Technical Information  
IGBT-Module  
IGBT-Modules  
FZ 2400 R 12 KL4C  
Thermische Eigenschaften / Thermal properties  
min. typ. max.  
RthJC  
Transistor / transistor, DC  
Diode/Diode, DC  
-
-
-
-
0,0084  
0,0140  
K/W  
K/W  
Innerer Wärmewiderstand  
thermal resistance, junction to case  
pro Modul / per module  
Übergangs-Wärmewiderstand  
thermal resistance, case to heatsink  
RthCK  
-
0,004  
-
K/W  
°C  
λPaste = 1 W/m * K  
/ λgrease = 1 W/m * K  
Höchstzulässige Sperrschichttemperatur  
maximum junction temperature  
Tvj  
-
-
-
-
150  
125  
125  
Betriebstemperatur  
operation temperature  
Top  
-40  
-40  
°C  
Lagertemperatur  
storage temperature  
Tstg  
°C  
Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties  
Gehäuse, siehe Anlage  
case, see appendix  
Innere Isolation  
internal insulation  
Al2O3  
32  
Kriechstrecke  
creepage distance  
mm  
mm  
Luftstrecke  
clearance  
20  
CTI  
> 400  
comperative tracking index  
M1  
M2  
4,25  
5
5,75  
Nm  
Anzugsdrehmoment f. mech. Befestigung  
mounting torque  
terminals M4  
terminals M8  
1,7  
8
2
2,3  
10  
Nm  
Nm  
Anzugsdrehmoment f. elektr. Anschlüsse  
terminal connection torque  
Gewicht  
weight  
G
2250  
g
Mit dieser technischen Information werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert.  
Sie gilt in Verbindung mit den zugehörigen Technischen Erläuterungen.  
This technical information specifies semiconductor devices but promises no characteristics. It is  
valid in combination with the belonging technical notes.  
3(8)  
Seriendatenblatt_FZ2400R12KL4C  
Technische Information / Technical Information  
IGBT-Module  
IGBT-Modules  
FZ 2400 R 12 KL4C  
Ausgangskennlinie (typisch)  
Output characteristic (typical)  
I = f (VCE)  
C
VGE = 15V  
4800  
4200  
3600  
3000  
2400  
1800  
1200  
600  
Tj = 25°C  
Tj = 125°C  
0
0,0  
0,5  
1,0  
1,5  
2,0  
2,5  
3,0  
3,5  
4,0  
VCE [V]  
Ausgangskennlinienfeld (typisch)  
Output characteristic (typical)  
I = f (VCE)  
C
Tvj = 125°C  
4800  
4200  
3600  
3000  
2400  
1800  
1200  
600  
VGE = 17V  
VGE = 15V  
VGE = 13V  
VGE = 11V  
VGE = 9V  
VGE = 7V  
0
0,0  
0,5  
1,0  
1,5  
2,0  
VCE [V]  
2,5  
3,0  
3,5  
4,0  
4,5  
4(8)  
Seriendatenblatt_FZ2400R12KL4C  
Technische Information / Technical Information  
IGBT-Module  
IGBT-Modules  
FZ 2400 R 12 KL4C  
Übertragungscharakteristik (typisch)  
Transfer characteristic (typical)  
I = f (VGE)  
C
VCE = 20V  
4800  
4200  
3600  
3000  
2400  
1800  
1200  
600  
Tj = 25°C  
Tj = 125°C  
0
5
6
7
8
9
10  
11  
12  
VGE [V]  
Durchlaßkennlinie der Inversdiode (typisch)  
I = f (VF)  
F
Forward characteristic of inverse diode (typical)  
4800  
4200  
3600  
3000  
2400  
1800  
1200  
600  
Tj = 25°C  
Tj = 125°C  
0
0,0  
0,5  
1,0  
1,5  
2,0  
2,5  
3,0  
VF [V]  
5(8)  
Seriendatenblatt_FZ2400R12KL4C  
Technische Information / Technical Information  
IGBT-Module  
IGBT-Modules  
FZ 2400 R 12 KL4C  
Schaltverluste (typisch)  
Switching losses (typical)  
Eon = f (IC) , Eoff = f (IC) , Erec = f (IC)  
Rgon = Rgoff =0,56 Ω, VCE = 600V, Tj = 125°C  
1000  
900  
800  
700  
600  
500  
400  
300  
200  
100  
0
Eoff  
Eon  
Erec  
0
400  
800 1200 1600 2000 2400 2800 3200 3600 4000 4400 4800  
IC [A]  
Schaltverluste (typisch)  
Switching losses (typical)  
E = f (RG) , Eoff = f (RG) , Erec = f (RG)  
on  
IC = 2400A , VCE = 600V , Tj = 125°C  
2500  
2250  
2000  
1750  
1500  
1250  
1000  
750  
Eoff  
Eon  
Erec  
500  
250  
0
0
2
3
5
6
8
9
RG [Ω]  
6(8)  
Seriendatenblatt_FZ2400R12KL4C  
Technische Information / Technical Information  
IGBT-Module  
IGBT-Modules  
FZ 2400 R 12 KL4C  
Transienter Wärmewiderstand  
Transient thermal impedance  
ZthJC = f (t)  
0,1  
0,01  
Zth:Diode  
Zth:IGBT  
0,001  
0,001  
0,01  
0,1  
1
10  
100  
t [sec]  
1
2
3
4
i
ri [K/kW]  
: IGBT  
: IGBT  
: Diode  
: Diode  
0,14  
2,67  
0,0187  
3,13  
4,92  
0,080  
8,70  
0,503  
0,66  
0,50  
1,95  
0,06  
τi [sec]  
ri [K/kW]  
τi [sec]  
0,00006  
0,21  
0,00014  
0,0218  
Sicherer Arbeitsbereich (RBSOA)  
Reverse bias safe operation area (RBSOA) VGE= +15V, Rg = 0,56Ohm, Tvj= 125°C  
5000  
4500  
4000  
3500  
3000  
IC,Modul  
IC,Chip  
2500  
2000  
1500  
1000  
500  
0
0
200  
400  
600  
800  
1000  
1200  
1400  
VCE [V]  
7(8)  
Seriendatenblatt_FZ2400R12KL4C  
Technische Information / Technical Information  
IGBT-Module  
IGBT-Modules  
FZ 2400 R 12 KL4C  
8(8)  
Seriendatenblatt_FZ2400R12KL4C  
厂商 型号 描述 页数 下载

POWERVOLT

 		FZ20-300 电路安装架，小型电源变压器[ CIRCUIT MOUNT, LOW PROFILE POWER TRANSFORMER ] 1 页

ETC

 		FZ200R10KF2 晶体管| IGBT | N -CHAN | 1KV V（ BR ） CES | 200A I（C ） | M ： HL093HW048\n[ TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 1KV V(BR)CES | 200A I(C) | M:HL093HW048 ] 1 页

ETC

 		FZ200R10KN 晶体管| IGBT | N -CHAN |双| 1KV V（ BR ） CES | 200A I（C ） | M ： HL093HW048\n[ TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | DUAL | 1KV V(BR)CES | 200A I(C) | M:HL093HW048 ] 1 页

ETC

 		FZ200R12KF 晶体管| IGBT | N -CHAN | 1.2KV V（ BR ） CES | 200A I（C ） | M ： HL093HW048\n[ TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 1.2KV V(BR)CES | 200A I(C) | M:HL093HW048 ] 2 页

EUPEC

 		FZ200R12KF2 晶体管| IGBT | N -CHAN | 1.2KV V（ BR ） CES | 200A I（C ） | M ： HL083HD5.6[ TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 1.2KV V(BR)CES | 200A I(C) | M:HL083HD5.6 ] 2 页

ETC

 		FZ200R65KF1 规模的高电压IGBT驱动器[ SCALE High Voltage IGBT Driver ] 6 页

INFINEON

 		FZ200R65KF1NOSA1 [ Insulated Gate Bipolar Transistor, 400A I(C), 6300V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-5 ] 10 页

INFINEON

 		FZ200R65KF2 IGBT模块[ IGBT-modules ] 8 页

POWERVOLT

 		FZ24-2000 电路安装架，小型电源变压器[ CIRCUIT MOUNT, LOW PROFILE POWER TRANSFORMER ] 1 页

INFINEON

 		FZ2400R12HP4 IHM -B模块，软交换沟槽IGBT4[ IHM-B module with soft-switching Trench-IGBT4 ] 9 页

购物指南

支付方式

配送服务

售后服务

发票须知

优惠券使用规则

特色服务

PCBA制造

国产品牌推荐

国产料号替代

质量保证

技术资料

行业资讯

关于我们

关于壹壹捌

联系我们

联系我们

服务热线：400-618-9990

企业邮箱：sales@ic118.com

服务时间：周一至周六 8:30-17:30

壹壹捌官方微信号

PDF索引：

A

B

C

D

E

F

G

H

I

J

K

L

M

N

O

P

Q

R

S

T

U

V

W

X

Y

Z

0

1

2

3

4

5

6

7

8

9

IC型号索引：

A

B

C

D

E

F

G

H

I

J

K

L

M

N

O

P

Q

R

S

T

U

V

W

X

Y

Z

0

1

2

3

4

5

6

7

8

9

Copyright 2024 gkzhan.com Al Rights Reserved 京ICP备06008810号-21 京

深圳网络警察报警平台
公共信息安全网络监察
经营性网站备案信息
不良信息举报中心
工商网监电子标识
全国公安机关备案
0.220840s