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TZ335F

型号：

TZ335F

描述：

SCR /二极管模块\n[ SCR / Diode Modules ]

品牌：

ETC[ ETC ]

页数：

5 页

PDF大小：

215 K

下载PDF手册
European Power-  
Semiconductor and  
Electronics Company  
Marketing Information  
TZ 335 F  
4
5
ø5,5  
37  
45  
M 10  
2
1
80  
92  
101  
2
1
4
5G  
VWK Febr. 1997  
TZ 335 F  
Elektrische Eigenschaften  
Electrical properties  
Höchstzulässige Werte  
Maximum rated values  
und repetitive peak forward off-state tvj = -40°C...tvj max  
1)  
Periodische  
Vorwärts-  
VDRM, VRRM 800, 1000, 1100,  
1200, 1300  
V
Rückwärts-Spitzensperrspannung  
Vorwärts-  
Stoßspitzensperrspannung  
Rückwärts-  
and reverse voltages  
non-repetitive peak forward off- tvj = -40°C...tvj max  
VDSM  
800, 1000, 1100,  
V
V
state voltage  
non-repetitive  
1200, 1300  
900, 1100, 1200,  
peak  
reverse tvj = +25°C...tvj max  
VRSM  
Stoßspitzensperrspannung  
voltage  
1300, 1400  
700  
Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert  
RMS on-state current  
ITRMSM  
ITAVM  
A
A
A
Dauergrenzstrom  
average on-state current  
tc = 85°C  
tc = 68°C  
335  
445  
Stoßstrom-Grenzwert  
Grenzlastintegral  
surge current  
I2 t-value  
tvj = 25°C, tp = 10 ms  
tvj = tvj max, tp = 10 ms  
tvj = 25°C, tp = 10 ms  
tvj = tvj max, tp = 10 ms  
ITSM  
11,3  
10  
638 . 103  
500 . 103  
kA  
kA  
A2s  
A2s  
I2 t  
Kritische Stromsteilheit  
Kritische Spannungssteilheit  
critical rate of rise of on-state currentDIN IEC 747-6, f = 50 Hz  
IGM = 1 A, diG/dt = 1 A/µs  
critical rate of rise of off-state voltagetvj = tvj max, vD = 0,67 VDRM  
(diT/dt)cr  
(dvD/dt)cr  
200 A/µs  
2)  
3)  
6.Kennbuchstabe/6th letter B  
6.Kennbuchstabe/6th letter C  
6.Kennbuchstabe/6th letter L  
6.Kennbuchstabe/6th letter M  
50  
500  
500  
50  
500  
50  
V/µs  
V/µs  
V/µs  
V/µs  
1000  
500  
Charakteristische Werte  
Characteristic values  
Durchlaßspannung  
on-state voltage  
threshold voltage  
slope resistance  
gate trigger current  
gate trigger voltage  
gate non-trigger current  
tvj = tvj max, iT = 1300 A  
tvj = tvj max  
tvj = tvj max  
tvj = 25 °C, vD = 12 V  
tvj = 25 °C, vD = 12 V  
tvj = tvj max, vD = 12 V  
tvj = tvj max, vD = 0,5 VDRM  
tvj = tvj max, vD = 0,5 VDRM  
tvj = 25 °C, vD = 12 V, RA = 10 W  
vT  
VT(TO)  
rT  
IGT  
VGT  
IGD  
max.  
1,85  
1,15  
0,42  
250  
2,2  
10  
5
0,25  
250  
1000  
V
V
mW  
mA  
V
mA  
mA  
V
Schleusenspannung  
Ersatzwiderstand  
Zündstrom  
Zündspannung  
Nicht zündender Steuerstrom  
max.  
max.  
max.  
max.  
max.  
max.  
max.  
Nicht zündende Steuerspannung  
Haltestrom  
gate non-trigger voltage  
holding current  
VGD  
IH  
mA  
mA  
Einraststrom  
latching current  
tvj = 25 °C,vD = 12 V, RGK > = 10 W IL  
iGM = 1 A, diG/dt = 1 A/µs, tg = 20 µs  
Vorwärts- und Rückwärts-Sperrstrom forward off-state and reverse currenttvj = tvj max  
vD = VDRM, vR = VRRM  
iD, iR  
tgd  
max.  
max.  
100  
1,5  
mA  
µs  
Zündverzug  
gate controlled delay time  
DIN IEC 747-6, t vj = 25°C  
iGM = 1 A, diG/dt = 1 A/µs  
tvj = tvj max, iTM = ITAVM  
Freiwerdezeit  
circuit commutated turn-off time  
tq  
vRM = 100 V, vDM = 0,67 VDRM  
-diT/dt = 20 A/µs  
dvD/dt = 6.Kennbuchstabe/6th letter  
5.Kennbuchstabe/5th letter E  
5.Kennbuchstabe/5th letter F  
5.Kennbuchstabe/5th letter G  
RMS, f = 50 Hz, 1 min.  
max.  
max.  
max.  
20  
25  
30  
3
µs  
µs  
µs  
kV  
Isolations-Prüfspannung  
insulation test voltage  
VISOL  
Thermische Eigenschaften  
Thermal properties  
100  
Innerer Wärmewiderstand  
thermal resistance, junction  
pro Modul/per module, Q =180° sin RthJC  
pro Modul/per module, Q =180° sin  
max.  
0,0800 °C/W  
to case  
max.  
max.  
0,0765 °C/W  
0,02 °C/W  
Übergangs-Wärmewiderstand  
Höchstzul.Sperrschichttemperatur  
Betriebstemperatur  
thermal resistance, case to heatsink pro Modul/per module  
max. junction temperature  
operating temperature  
storage temperature  
RthCK  
tvj max  
tc op  
125  
-40...+125  
-40...+130  
°C  
°C  
°C  
Lagertemperatur  
tstg  
Mechanische Eigenschaften  
Gehäuse, siehe Seite  
Mechanical properties  
case, see page  
Si-Elemente mit Druckkontakt  
Innere Isolation  
Anzugsdrehmoment  
mechanische Befestigung  
Anzugsdrehmoment für elektrische terminal connection torque  
Si-pellet with pressure contact  
internal insulation  
für mounting torque  
AlN  
5
Toleranz/tolerance +/- 15%  
Toleranz/tolerance +5%/-10%  
M1  
M2  
G
Nm  
Nm  
12  
Anschlüsse  
Gewicht  
weight  
typ.  
900  
15  
g
Kriechstrecke  
Schwingfestigkeit  
creepage distance  
vibration resistance  
mm  
f = 50 Hz  
50 m/s²  
1)  
1300 V auf Anfrage / 1300 V on demand  
2)  
Werte nach DIN IEC 747-6 (ohne vorausgehende Kommutierung) / Values according to DIN IEC 747-6 (without prior commutation)  
Unmittelbar nach der Freiwerdezeit, vgl. Meßbedingungen für t q. / Immediately after circuit commutated turn-off time, see parameters for t  
3)  
.
q
TZ 335 F  
3
5
10  
3
2
3
2
1
2
10  
10  
c
t
gd  
[µs]  
b
v
[V]  
G
5
5
4
3
a
3
2
1
10  
2
5
0
10  
3
2
5
4
3
0
10  
a
b
5
3
2
2
-1  
-1  
10  
10  
-1  
10  
1
-2  
10  
0
2
3
10  
3
5
5
3
5
2
2
2
10  
2
3
4
5
2
3
4
5
2
3
4
5
-2  
-1  
10  
o
1
10  
10  
10  
i
[A]  
TZ 335 F /5  
TZ 335 F /8  
i
[A]  
GM  
G
Bild / Fig. 1  
Steuercharakteristik v = f(i ) mit Zündbereich für V = 12V  
Bild / Fig. 2  
Zündverzug / Gate controlled delay time t = f(i  
)
G
G
D
gd GM  
Gate characteristic v = f(i )with triggering area for V = 12V  
t
= 25°C, di /dt = i /1µs  
G
G
D
vj  
G
GM  
Höchstzulässige Spitzensteuerverlustleistung / Maximum rated  
a - maximaler Verlauf / limiting characteristic  
peak gate power dissipation P  
a - 20W/10ms b - 40W/1ms  
= f(t ):  
c - 60W/0.5ms  
b - typischer Verlauf / typical characteristic  
GM  
g
0.08  
0.07  
1000  
800  
i
=
TM  
1000A  
500A  
Z
°
(th) JC  
0.06  
[ C/W]  
Q
s
[µAs]  
0.05  
600  
0.04  
0.03  
200A  
100A  
400  
0.02  
0.01  
0
200  
0
50A  
20A  
DC  
0
20  
40  
60  
80  
100  
120  
140  
160  
180 200  
-3  
-2  
10  
-1  
0
1
2
10  
10  
10  
10  
10  
t [s]  
TZ 335 F /7  
TZ 335 F /8  
-di/dt [A/µs]  
Bild / Fig. 3  
Bild / Fig. 4  
Sperrverzögerungsladung Q in Abhängigkeit von der abkommutierenden  
Transienter innerer Wärmewiderstand / Transient thermal impedance  
= f(t)  
s
Stromsteilheit -di/dt bei t = t  
, V = 0,5 V  
, v = 0,8 V  
Z
(th)JC  
vj vj max  
R
RRM RM  
RRM  
Recovered charge Q versus the rate of decay of the forward on-state  
s
current -di/dt at t = t  
, v = 0,5 V  
, v = 0,8 V  
vj vj max  
R
RRM RM RRM  
Parameter: Durchlaßstrom i  
/ On-state current i  
TM  
TM  
Analytische Elemente des transienten Wärmewiderstandes Z  
pro Zweig für DC  
per arm for DC  
thJC  
Analytical elements of transient thermal impedance Z  
thJC  
5
10  
P
+P [kW]  
T
5
TT  
Pos. n  
[°C/W]  
1
2
3
4
5
6
7
3
2
0,00194 0,00584 0,1465 0,0254 0,0287  
0,000732 0,00824 0,108 0,57  
R
100  
200  
60  
10  
thn  
4
3
2
10  
[A]  
40  
20  
4
t
3
[s]  
n
i
T
5
3
2
6
2
Analytische Funktion / Analytical function:  
1
10  
10  
10  
0.6  
n
max  
t
0.4  
5
3
2
-
t n  
)
Z
=
R
(1-e  
thn  
thJC  
0.2  
0.1  
S
n=1  
0.06  
5
3
2
1
2
3
4 5 6  
2
3
4 5 6  
2
3 4 5 6  
0
1
2
3
10  
10  
10  
10  
t [µs]  
TZ 335 F /9  
Bild / Fig. 5  
EDL-Diagramm / EDL-diagram  
Summe aus Einschalt- und Durchlaßverlustleistung P +P  
TT  
/
T
Sum of the turn-on and on-state power loss P +P  
TT  
T
TT 335 F  
4
4
10  
10  
W
[Ws]  
±di dt =25 A/µs  
T/  
7
5
4
7
5
4
tot  
40  
40  
20  
20  
10  
3
3
10  
i
[A]  
10  
i
[A]  
TM  
6
TM  
6
4
2
2
4
2
2
1
1
3
3
0.6  
0.4  
10  
0,6  
7
5
4
7
5
4
3
0,4  
0,2  
0.2  
0.1  
0,1  
0.06  
0.04  
0.02  
3
0,06  
0,04  
2
2
0,02  
0.01  
2
2
2
10  
10  
5 6  
TZ 335 F /10  
2
3
4
5 6  
2
3
4
5 6  
5 6  
TZ 335 F /11  
2
3
4
5 6  
2
3
[µs]  
4 5 6  
3
4
2
3
4
10  
10  
10  
10  
10  
10  
t
w
t [µs]  
p
Bild / Fig. 6  
Bild / Fig. 7  
Steuergenerator /  
Pulse generator:  
RC-Glied/RC-network:  
Steuergenerator /  
Pulse generator:  
RC-Glied/RC-network:  
T
R[W] ³ 0,02 *v [V]  
C £ 0,22µF  
T
T
DM  
T
R[W] ³ 0,02 *v [V]  
DM  
i
=1A  
i
=1A  
G
G
t
p
C £ 0,33µF  
w
di /dt =1A/µs  
di /dt =1A/µs  
G
G
Lastkreis /Load circuit:  
Lastkreis /Load circuit:  
v
v
£ 67% V  
£ 50V  
v
v
£ 67% V  
£ 50V  
EDP-Diagramm /EDP-diagram  
EDP-Diagramm /EDP-diagram  
DM  
DRM  
DM  
DRM  
Gesamtenergie W je Durchlaßstromplus /  
Gesamtenergie W je Durchlaßstromplus /  
RM  
RM  
tot  
tot  
dv /dt £ 100V/µs  
dv /dt £ 100V/µs  
Total energy W per on-state current pulse  
tot  
Total energy W per on-state current pulse  
tot  
R
R
4
4
10  
10  
±di dt =50 A/µs  
W
[Ws]  
T/  
±di dt =25 A/µs  
tot  
T/  
7
5
4
7
5
4
W
[Ws]  
tot  
40  
40  
20  
20  
3
3
10  
10  
i
[A]  
10  
i
[A]  
10  
TM  
TM  
6
6
2
2
4
4
2
2
1
1
3
3
0.6  
0.6  
0.4  
7
5
4
3
7
5
4
0.4  
0.2  
0.15  
0.2  
0.1  
3
0.1  
0.06  
2
0.06  
0.08  
2
2
0.04  
0.02  
2
2
10  
10  
5 6  
2
3
4 5 6  
2
[µs]  
3 4 5 6  
5 6  
3
4
5 6  
2
3
4 5 6  
2
3
4
2
3
4
TZ 335 F /12 10  
10  
10  
10  
10  
10  
TZ 335 F /13  
t
[µs]  
w
t
w
Bild / Fig. 8  
Bild / Fig. 9  
RC-Glied / RC-network  
Steuergenerator /  
Pulse generator:  
RC-Glied/RC-network:  
Steuergenerator /  
Pulse generator:  
T
T
T
T
T
T
R[W]³ 0,02 *v [V]  
DM  
i =1A  
i
=1A  
R[W] ³ 0,02 *V [V]  
C £ 0,33µF  
G
DM  
G
C £ 0,33µF  
w
w
di /dt =1A/µs  
di /dt =1A/µs  
G
G
Lastkreis /Load circuit:  
Lastkreis /Load circuit:  
v
v
£ 67% V  
£ 67% V  
v
v
£ 67% V  
£ 50V  
EDP-Diagramm / EDP-diagram  
EDP-Diagramm /EDP-diagram  
DM  
DRM  
DM  
DRM  
Gesamtenergie W je Durchlaßstromplus /  
Gesamtenergie W je Durchlaßstromplus /  
RM  
RRM  
RM  
tot  
tot  
dv /dt £ 600V/µs  
dv /dt £ 100V/µs  
Total energy W per on-state current pulse  
tot  
Total energy W per on-state current pulse  
tot  
R
R
4
4
10  
10  
±di /dt=100A/µs  
±di dt =50 A/µs  
T
T/  
7
7
W
[Ws]  
40  
20  
10  
5
4
3
5
4
3
tot  
W
[Ws]  
40  
20  
tot  
i
[A]  
10  
i
[A]  
10  
10  
TM  
TM  
6
2
2
6
4
4
2
2
1
3
3
1
0.6  
0.4  
0.3  
0.2  
7
5
4
3
7
5
4
3
0.6  
0.4  
0.2  
0.1  
0.15  
2
2
2
0.06  
2
0.1  
0.04  
2
2
10  
10  
5 6  
3
4
5 6  
2
3
[µs]  
4
5 6  
5 6  
3
4
5 6  
2
3
4 5 6  
2
3
4
2
3
4
10  
10  
10  
10  
TZ 335 F /15  
10  
10  
TZ 335 F /14  
t
[µs]  
t
w
w
Bild / Fig. 11  
Bild / Fig. 10  
RC-Glied/RC-network: Steuergenerator /  
Pulse generator:  
Steuergenerator /  
Pulse generator:  
RC-Glied/RC-network:  
T
T
T
T
T
T
R[W] ³ 0,02 *v [V]  
DM  
i
=1A  
R[W] ³ 0,02 *v [V]  
i
=1A  
G
DM  
G
C £ 0,33µF  
w
di /dt =1A/µs  
w
C £ 0,33µF  
di /dt =1A/µs  
G
G
Lastkreis /Load circuit:  
Lastkreis /Load circuit:  
v
v
£ 67% V  
£ 67% V  
v
v
£ 67% V  
£ 50 V  
EDP-Diagramm /EDP-diagram  
EDP-Diagramm /EDP-diagram  
DM  
DRM  
DM  
DRM  
Gesamtenergie W je Durchlaßstromplus /  
Gesamtenergie W je Durchlaßstromplus /  
RM  
RRM  
RM  
tot  
tot  
dv /dt £ 600V/µs  
dv /dt £ 100V/µs  
Total energy W per on-state current pulse  
tot  
Total energy W per on-state current pulse  
tot  
R
R
TZ 335 F  
4
±di dt=100A/µs  
T/  
10  
7
5
4
W
[Ws]  
tot  
40  
3
20  
i
[A]  
TM  
10  
2
6
4
2
3
10  
1
7
5
4
3
0.6  
0.4  
0.3  
0.2  
2
0.15  
2
10  
5 6  
2
3
4
5 6  
2
3
4 5 6  
2
3
4
10  
10  
10  
TZ 335 F /16  
t
[µs]  
w
Bild / Fig. 12  
Steuergenerator /  
Pulse generator:  
RC-Glied/RC-network:  
T
T
T
R[W] ³ 0,02 *v [V]  
i
=1A  
DM  
G
C £ 0,33µF  
w
di /dt =1A/µs  
G
Lastkreis /Load circuit:  
v
v
£ 67% V  
£ 67% V  
EDP-Diagramm /EDP-diagram  
DM  
DRM  
Gesamtenergie W je Durchlaßstromplus /  
RM  
RRM  
tot  
dv /dt £ 600V/µs  
Total energy W per on-state current pulse  
tot  
R
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