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FZ400R33KL2CB5NOSA1

型号：

FZ400R33KL2CB5NOSA1

品牌：

INFINEON[ Infineon ]

页数：

8 页

PDF大小：

306 K

下载PDF手册
FZ400R33KL2C_B5  
VorläufigeꢀDatenꢀ/ꢀPreliminaryꢀData  
IGBT,Wechselrichterꢀ/ꢀIGBT,Inverter  
HöchstzulässigeꢀWerteꢀ/ꢀMaximumꢀRatedꢀValues  
Kollektor-Emitter-Sperrspannung  
Collector-emitterꢀvoltage  
Tvj = 25°C  
Tvj = -25°C  
3300  
3300  
VCES  
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
V
Kollektor-Dauergleichstrom  
ContinuousꢀDCꢀcollectorꢀcurrent  
TC = 80°C, Tvj max = 150°C  
TC = 25°C, Tvj max = 150°C  
IC nom  
IC  
400  
750  
A
A
PeriodischerꢀKollektor-Spitzenstrom  
Repetitiveꢀpeakꢀcollectorꢀcurrent  
tP = 1 ms  
ICRM  
800  
A
V
Gate-Emitter-Spitzenspannung  
Gate-emitterꢀpeakꢀvoltage  
VGES  
+/-20  
CharakteristischeꢀWerteꢀ/ꢀCharacteristicꢀValues  
min. typ. max.  
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung  
Collector-emitterꢀsaturationꢀvoltage  
IC = 400 A, VGE = 15 V  
IC = 400 A, VGE = 15 V  
Tvj = 25°C  
Tvj = 125°C  
3,00 3,65  
3,70 4,45  
V
V
VCE sat  
VGEth  
QG  
Gate-Schwellenspannung  
Gateꢀthresholdꢀvoltage  
IC = 40,0 mA, VCE = VGE, Tvj = 25°C  
VGE = -15 V ... +15 V, VCE = 1800V  
Tvj = 25°C  
4,20 5,10 6,00  
V
µC  
Ω
Gateladung  
Gateꢀcharge  
7,50  
1,3  
InternerꢀGatewiderstand  
Internalꢀgateꢀresistor  
RGint  
Cies  
Eingangskapazität  
Inputꢀcapacitance  
f = 1 MHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V  
f = 1 MHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V  
VCE = 3300 V, VGE = 0 V, Tvj = 25°C  
VCE = 0 V, VGE = 20 V, Tvj = 25°C  
48,0  
2,70  
nF  
nF  
Rückwirkungskapazität  
Reverseꢀtransferꢀcapacitance  
Cres  
ICES  
IGES  
td on  
Kollektor-Emitter-Reststrom  
Collector-emitterꢀcut-offꢀcurrent  
5,0 mA  
400 nA  
Gate-Emitter-Reststrom  
Gate-emitterꢀleakageꢀcurrent  
Einschaltverzögerungszeit,ꢀinduktiveꢀLast  
Turn-onꢀdelayꢀtime,ꢀinductiveꢀload  
IC = 400 A, VCE = 1800 V  
VGE = ±15 V  
Tvj = 25°C  
Tvj = 125°C  
1,00  
1,00  
µs  
µs  
RGon = 13 Ω, CGE = 100 nF  
Anstiegszeit,ꢀinduktiveꢀLast  
Riseꢀtime,ꢀinductiveꢀload  
IC = 400 A, VCE = 1800 V  
VGE = ±15 V  
RGon = 13 Ω, CGE = 100 nF  
Tvj = 25°C  
Tvj = 125°C  
0,40  
0,40  
µs  
µs  
tr  
td off  
tf  
Abschaltverzögerungszeit,ꢀinduktiveꢀLast  
Turn-offꢀdelayꢀtime,ꢀinductiveꢀload  
IC = 400 A, VCE = 1800 V  
VGE = ±15 V  
RGoff = 13 Ω, CGE = 100 nF  
Tvj = 25°C  
Tvj = 125°C  
3,70  
3,90  
µs  
µs  
Fallzeit,ꢀinduktiveꢀLast  
Fallꢀtime,ꢀinductiveꢀload  
IC = 400 A, VCE = 1800 V  
VGE = ±15 V  
Tvj = 25°C  
Tvj = 125°C  
0,25  
0,35  
µs  
µs  
RGoff = 13 Ω, CGE = 100 nF  
EinschaltverlustenergieꢀproꢀPuls  
Turn-onꢀenergyꢀlossꢀperꢀpulse  
IC = 400 A, VCE = 1800 V, LS = 60 nH  
VGE = ±15 V, di/dt = 3000 A/µs  
RGon = 6,2 Ω, CGE = 100 nF  
Tvj = 25°C  
Tvj = 125°C  
900  
1200  
mJ  
mJ  
Eon  
Eoff  
AbschaltverlustenergieꢀproꢀPuls  
Turn-offꢀenergyꢀlossꢀperꢀpulse  
IC = 400 A, VCE = 1800 V, LS = 60 nH  
VGE = ±15 V  
Tvj = 25°C  
Tvj = 125°C  
440  
600  
mJ  
mJ  
RGoff = 13 Ω, CGE = 100 nF  
Kurzschlußverhalten  
SCꢀdata  
VGE ≤ 15 V, VCC = 2500 V  
VCEmax = VCES -LsCE ·di/dt  
ISC  
tP ≤ 10 µs, Tvj = 125°C  
1800  
24,0  
A
Wärmewiderstand,ꢀChipꢀbisꢀGehäuse  
Thermalꢀresistance,ꢀjunctionꢀtoꢀcase  
proꢀIGBTꢀ/ꢀperꢀIGBT  
RthJC  
RthCH  
Tvj op  
25,5 K/kW  
Wärmewiderstand,ꢀGehäuseꢀbisꢀKühlkörper proꢀIGBTꢀ/ꢀperꢀIGBT  
Thermalꢀresistance,ꢀcaseꢀtoꢀheatsink  
K/kW  
λPasteꢀ=ꢀ1ꢀW/(m·K)ꢀꢀꢀ/ꢀꢀꢀꢀλgreaseꢀ=ꢀ1ꢀW/(m·K)  
TemperaturꢀimꢀSchaltbetrieb  
Temperatureꢀunderꢀswitchingꢀconditions  
-40  
125  
°C  
Datasheet  
1
Vꢀ2.1  
2018-01-15  
FZ400R33KL2C_B5  
VorläufigeꢀDaten  
PreliminaryꢀData  
Diode,ꢀWechselrichterꢀ/ꢀDiode,ꢀInverter  
HöchstzulässigeꢀWerteꢀ/ꢀMaximumꢀRatedꢀValues  
PeriodischeꢀSpitzensperrspannung  
Repetitiveꢀpeakꢀreverseꢀvoltage  
Tvj = 25°C  
Tvj = -25°C  
3300  
3300  
VRRM  
IF  
IFRM  
I²t  
PRQM  
ton min  
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
V
A
A
Dauergleichstrom  
ContinuousꢀDCꢀforwardꢀcurrent  
400  
PeriodischerꢀSpitzenstrom  
Repetitiveꢀpeakꢀforwardꢀcurrent  
tP = 1 ms  
800  
72,0  
600  
Grenzlastintegral  
I²tꢀ-ꢀvalue  
VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 125°C  
Tvj = 125°C  
ꢀ kA²s  
ꢀ kW  
ꢀ µs  
Spitzenverlustleistung  
Maximumꢀpowerꢀdissipation  
Mindesteinschaltdauer  
Minimumꢀturn-onꢀtime  
10,0  
CharakteristischeꢀWerteꢀ/ꢀCharacteristicꢀValues  
min. typ. max.  
Durchlassspannung  
Forwardꢀvoltage  
IF = 400 A, VGE = 0 V  
IF = 400 A, VGE = 0 V  
Tvj = 25°C  
Tvj = 125°C  
2,60 t.b.d.  
2,55  
V
V
VF  
Rückstromspitze  
Peakꢀreverseꢀrecoveryꢀcurrent  
IF = 400 A, - diF/dt = 3000 A/µs (Tvj=125°C) Tvj = 25°C  
600  
670  
A
A
VR = 1800 V  
VGE = -15 V  
Tvj = 125°C  
IRM  
Sperrverzögerungsladung  
Recoveredꢀcharge  
IF = 400 A, - diF/dt = 3000 A/µs (Tvj=125°C) Tvj = 25°C  
270  
480  
µC  
µC  
VR = 1800 V  
VGE = -15 V  
Tvj = 125°C  
Qr  
AbschaltenergieꢀproꢀPuls  
Reverseꢀrecoveryꢀenergy  
IF = 400 A, - diF/dt = 3000 A/µs (Tvj=125°C) Tvj = 25°C  
250  
500  
mJ  
mJ  
VR = 1800 V  
VGE = -15 V  
Tvj = 125°C  
Erec  
Wärmewiderstand,ꢀChipꢀbisꢀGehäuse  
Thermalꢀresistance,ꢀjunctionꢀtoꢀcase  
proꢀDiodeꢀ/ꢀperꢀdiode  
RthJC  
RthCH  
Tvj op  
51,0 K/kW  
K/kW  
Wärmewiderstand,ꢀGehäuseꢀbisꢀKühlkörper proꢀDiodeꢀ/ꢀperꢀdiode  
Thermalꢀresistance,ꢀcaseꢀtoꢀheatsink  
48,0  
λ
Pasteꢀ=ꢀ1ꢀW/(m·K)ꢀꢀꢀ/ꢀꢀꢀꢀλgreaseꢀ=ꢀ1ꢀW/(m·K)  
TemperaturꢀimꢀSchaltbetrieb  
Temperatureꢀunderꢀswitchingꢀconditions  
-40  
125  
°C  
Datasheet  
2
Vꢀ2.1  
2018-01-15  
FZ400R33KL2C_B5  
VorläufigeꢀDaten  
PreliminaryꢀData  
Modulꢀ/ꢀModule  
Isolations-Prüfspannung  
Isolationꢀtestꢀvoltage  
RMS, f = 50 Hz, t = 10 s  
VISOL  
VISOL  
VCE D  
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
10,4  
5,1  
ꢀ kV  
ꢀ kV  
Teilentladungs-Aussetzspannung  
Partialꢀdischargeꢀextinctionꢀvoltage  
RMS, f = 50 Hz, QPD typ 10 pC  
Tvj = 25°C, 100 fit  
Kollektor-Emitter-Gleichsperrspannung  
DCꢀstability  
2150  
AlSiC  
AlN  
ꢀ
ꢀ
ꢀ
V
MaterialꢀModulgrundplatte  
Materialꢀofꢀmoduleꢀbaseplate  
InnereꢀIsolation  
Internalꢀisolation  
Basisisolierungꢀ(Schutzklasseꢀ1,ꢀEN61140)  
basicꢀinsulationꢀ(classꢀ1,ꢀIECꢀ61140)  
Kriechstrecke  
Creepageꢀdistance  
Kontaktꢀ-ꢀKühlkörperꢀ/ꢀterminalꢀtoꢀheatsink  
Kontaktꢀ-ꢀKontaktꢀ/ꢀterminalꢀtoꢀterminal  
64,0  
56,0  
ꢀ mm  
ꢀ mm  
ꢀ
Luftstrecke  
Clearance  
Kontaktꢀ-ꢀKühlkörperꢀ/ꢀterminalꢀtoꢀheatsink  
Kontaktꢀ-ꢀKontaktꢀ/ꢀterminalꢀtoꢀterminal  
40,0  
26,0  
VergleichszahlꢀderꢀKriechwegbildung  
Comperativeꢀtrackingꢀindex  
CTI  
> 600  
min. typ. max.  
Wärmewiderstand,ꢀGehäuseꢀbisꢀKühlkörper proꢀModulꢀ/ꢀperꢀmodule  
RthCH  
LsCE  
16,0  
25  
K/kW  
nH  
Thermalꢀresistance,ꢀcaseꢀtoꢀheatsink  
λPasteꢀ=ꢀ1ꢀW/(m·K)ꢀ/ꢀλgreaseꢀ=ꢀ1ꢀW/(m·K)  
Modulstreuinduktivität  
Strayꢀinductanceꢀmodule  
Modulleitungswiderstand,ꢀAnschlüsseꢀ-  
Chip  
TCꢀ=ꢀ25°C,ꢀproꢀSchalterꢀ/ꢀperꢀswitch  
RCC'+EE'  
0,37  
mΩ  
Moduleꢀleadꢀresistance,ꢀterminalsꢀ-ꢀchip  
Lagertemperatur  
Storageꢀtemperature  
Tstg  
M
-40  
4,25  
8,0  
125  
°C  
Anzugsdrehmomentꢀf.ꢀModulmontage  
Mountingꢀtorqueꢀforꢀmodulꢀmounting  
SchraubeꢀM6ꢀꢀ-ꢀMontageꢀgem.ꢀgültigerꢀApplikationsschrift  
ScrewꢀM6ꢀꢀ-ꢀMountingꢀaccordingꢀtoꢀvalidꢀapplicationꢀnote  
5,75 Nm  
Anzugsdrehmomentꢀf.ꢀelektr.ꢀAnschlüsse  
Terminalꢀconnectionꢀtorque  
SchraubeꢀM8ꢀꢀ-ꢀMontageꢀgem.ꢀgültigerꢀApplikationsschrift  
ScrewꢀM8ꢀꢀ-ꢀMountingꢀaccordingꢀtoꢀvalidꢀapplicationꢀnote  
M
-
10  
Nm  
g
Gewicht  
Weight  
G
500  
Datasheet  
3
Vꢀ2.1  
2018-01-15  
FZ400R33KL2C_B5  
VorläufigeꢀDaten  
PreliminaryꢀData  
AusgangskennlinieꢀIGBT,Wechselrichterꢀ(typisch)  
outputꢀcharacteristicꢀIGBT,Inverterꢀ(typical)  
AusgangskennlinienfeldꢀIGBT,Wechselrichterꢀ(typisch)  
outputꢀcharacteristicꢀIGBT,Inverterꢀ(typical)  
ICꢀ=ꢀfꢀ(VCE  
)
ICꢀ=ꢀfꢀ(VCE)  
VGEꢀ=ꢀ15ꢀV  
Tvjꢀ=ꢀ125°C  
800  
800  
Tvj = 25°C  
Tvj = 125°C  
VGE = 20V  
VGE = 15V  
VGE = 12V  
VGE = 10V  
VGE = 9V  
VGE = 8V  
700  
600  
500  
400  
300  
200  
100  
0
700  
600  
500  
400  
300  
200  
100  
0
0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 3,5 4,0 4,5 5,0 5,5 6,0 6,5 7,0  
0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 3,5 4,0 4,5 5,0 5,5 6,0 6,5 7,0  
VCE [V]  
VCE [V]  
ÜbertragungscharakteristikꢀIGBT,Wechselrichterꢀ(typisch)  
transferꢀcharacteristicꢀIGBT,Inverterꢀ(typical)  
SchaltverlusteꢀIGBT,Wechselrichterꢀ(typisch)  
switchingꢀlossesꢀIGBT,Inverterꢀ(typical)  
Eonꢀ=ꢀfꢀ(IC),ꢀEoffꢀ=ꢀfꢀ(IC)  
ICꢀ=ꢀfꢀ(VGE  
)
VCEꢀ=ꢀ20ꢀV  
VGEꢀ=ꢀ±15ꢀV,ꢀRGonꢀ=ꢀ6.2ꢀΩ,ꢀRGoffꢀ=ꢀ13ꢀΩ,ꢀVCEꢀ=ꢀ1800ꢀV,ꢀCGEꢀ=ꢀ100ꢀnF  
800  
3000  
Tvj = 25°C  
Tvj = 125°C  
Eon, Tvj = 125°C  
Eoff, Tvj = 125°C  
2700  
700  
600  
500  
400  
300  
200  
100  
2400  
2100  
1800  
1500  
1200  
900  
600  
300  
0
5
0
6
7
8
9
10  
11  
12  
13  
0
100 200 300 400 500 600 700 800  
VGE [V]  
IC [A]  
Datasheet  
4
Vꢀ2.1  
2018-01-15  
FZ400R33KL2C_B5  
VorläufigeꢀDaten  
PreliminaryꢀData  
SchaltverlusteꢀIGBT,Wechselrichterꢀ(typisch)  
switchingꢀlossesꢀIGBT,Inverterꢀ(typical)  
Eonꢀ=ꢀfꢀ(RG),ꢀEoffꢀ=ꢀfꢀ(RG)  
TransienterꢀWärmewiderstandꢀIGBT,Wechselrichterꢀ  
transientꢀthermalꢀimpedanceꢀIGBT,Inverterꢀ  
ZthJCꢀ=ꢀfꢀ(t)  
VGEꢀ=ꢀ±15ꢀV,ꢀICꢀ=ꢀ400ꢀA,ꢀVCEꢀ=ꢀ1800ꢀV,ꢀCGEꢀ=ꢀ100ꢀnF  
4000  
100  
Eon, Tvj = 125°C  
Eoff, Tvj = 125°C  
ZthJC : IGBT  
3600  
3200  
2800  
2400  
2000  
1600  
1200  
800  
10  
1
i:  
ri[K/kW]: 11,475 6,375 1,53 6,12  
τi[s]: 0,03 0,1 0,3  
1
2
3
4
400  
1
0
0,1  
0,001  
0
5
10  
15  
20  
25  
30  
35  
40  
45  
0,01  
0,1  
t [s]  
1
10  
RG [Ω]  
SichererꢀRückwärts-ArbeitsbereichꢀIGBT,Wechselrichter  
(RBSOA)  
reverseꢀbiasꢀsafeꢀoperatingꢀareaꢀIGBT,Inverterꢀ(RBSOA)  
DurchlasskennlinieꢀderꢀDiode,ꢀWechselrichterꢀ(typisch)  
forwardꢀcharacteristicꢀofꢀDiode,ꢀInverterꢀ(typical)  
IFꢀ=ꢀfꢀ(VF)  
ICꢀ=ꢀfꢀ(VCE  
)
VGEꢀ=ꢀ±15ꢀV,ꢀRGoffꢀ=ꢀ13ꢀΩ,ꢀTvjꢀ=ꢀ125°C,ꢀCGEꢀ=ꢀ100ꢀnF  
1000  
800  
IC, Modul  
IC, Chip  
Tvj = 25°C  
Tvj = 125°C  
700  
600  
500  
400  
300  
200  
100  
0
800  
600  
400  
200  
0
0
500  
1000 1500 2000 2500 3000 3500  
0,0  
0,5  
1,0  
1,5  
2,0  
VF [V]  
2,5  
3,0  
3,5  
4,0  
VCE [V]  
Datasheet  
5
Vꢀ2.1  
2018-01-15  
FZ400R33KL2C_B5  
VorläufigeꢀDaten  
PreliminaryꢀData  
SchaltverlusteꢀDiode,ꢀWechselrichterꢀ(typisch)  
switchingꢀlossesꢀDiode,ꢀInverterꢀ(typical)  
Erecꢀ=ꢀfꢀ(IF)  
SchaltverlusteꢀDiode,ꢀWechselrichterꢀ(typisch)  
switchingꢀlossesꢀDiode,ꢀInverterꢀ(typical)  
Erecꢀ=ꢀfꢀ(RG)  
RGonꢀ=ꢀ6.2ꢀΩ,ꢀVCEꢀ=ꢀ1800ꢀV  
IFꢀ=ꢀ400ꢀA,ꢀVCEꢀ=ꢀ1800ꢀV  
800  
600  
Erec, Tvj = 125°C  
Erec, Tvj = 125°C  
700  
600  
500  
400  
300  
200  
100  
0
500  
400  
300  
200  
100  
0
0
100 200 300 400 500 600 700 800  
0
5
10  
15  
20  
25  
30  
35  
IF [A]  
RG [Ω]  
TransienterꢀWärmewiderstandꢀDiode,ꢀWechselrichterꢀ  
transientꢀthermalꢀimpedanceꢀDiode,ꢀInverterꢀ  
ZthJCꢀ=ꢀfꢀ(t)  
SichererꢀArbeitsbereichꢀDiode,ꢀWechselrichterꢀ(SOA)  
safeꢀoperationꢀareaꢀDiode,ꢀInverterꢀ(SOA)  
IRꢀ=ꢀf(VR)  
Tvjꢀ=ꢀ125°C  
100  
1000  
ZthJC : Diode  
IR, Modul  
800  
600  
400  
200  
0
10  
1
i:  
ri[K/kW]: 22,95 12,75 3,06 12,24  
τi[s]: 0,03 0,1 0,3  
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t [s]  
1
10  
0
500  
1000 1500 2000 2500 3000 3500  
VR [V]  
Datasheet  
6
Vꢀ2.1  
2018-01-15  
FZ400R33KL2C_B5  
VorläufigeꢀDaten  
PreliminaryꢀData  
Schaltplanꢀ/ꢀCircuitꢀdiagram  
Gehäuseabmessungenꢀ/ꢀPackageꢀoutlines  
Datasheet  
7
Vꢀ2.1  
2018-01-15  
Trademarks  
Allꢀreferencedꢀproductꢀorꢀserviceꢀnamesꢀandꢀtrademarksꢀareꢀtheꢀpropertyꢀofꢀtheirꢀrespectiveꢀowners.  
ꢀ
ꢀ
ꢀ
Editionꢀ2018-01-15  
©ꢀ2018ꢀInfineonꢀTechnologiesꢀAG.  
AllꢀRightsꢀReserved.  
Publishedꢀby  
InfineonꢀTechnologiesꢀAG  
81726ꢀMünchen,ꢀGermany  
Doꢀyouꢀhaveꢀaꢀquestionꢀaboutꢀthisꢀdocument?  
Email:ꢀerratum@infineon.com  
ꢀ
ꢀ
WICHTIGERꢀHINWEIS  
DieꢀinꢀdiesemꢀDokumentꢀenthaltenenꢀAngabenꢀstellenꢀkeinesfallsꢀGarantienꢀfürꢀdieꢀBeschaffenheitꢀoderꢀEigenschaftenꢀdesꢀProduktes  
(“Beschaffenheitsgarantie“)ꢀdar.ꢀFürꢀBeispiele,ꢀHinweiseꢀoderꢀtypischeꢀWerte,ꢀdieꢀinꢀdiesemꢀDokumentꢀenthaltenꢀsind,ꢀund/oderꢀAngaben,  
dieꢀsichꢀaufꢀdieꢀAnwendungꢀdesꢀProduktesꢀbeziehen,ꢀistꢀjeglicheꢀGewährleistungꢀundꢀHaftungꢀvonꢀInfineonꢀTechnologiesꢀausgeschlossen,  
einschließlich,ꢀohneꢀhieraufꢀbeschränktꢀzuꢀsein,ꢀdieꢀGewährꢀdafür,ꢀdassꢀkeinꢀgeistigesꢀEigentumꢀDritterꢀverletztꢀist.  
DesꢀWeiterenꢀstehenꢀsämtliche,ꢀinꢀdiesemꢀDokumentꢀenthaltenenꢀInformationen,ꢀunterꢀdemꢀVorbehaltꢀderꢀEinhaltungꢀderꢀinꢀdiesem  
DokumentꢀfestgelegtenꢀVerpflichtungenꢀdesꢀKundenꢀsowieꢀallerꢀimꢀHinblickꢀaufꢀdasꢀProduktꢀdesꢀKundenꢀsowieꢀdieꢀNutzungꢀdesꢀInfineon  
ProduktesꢀinꢀdenꢀAnwendungenꢀdesꢀKundenꢀanwendbarenꢀgesetzlichenꢀAnforderungen,ꢀNormenꢀundꢀStandardsꢀdurchꢀdenꢀKunden.  
DieꢀinꢀdiesemꢀDokumentꢀenthaltenenꢀDatenꢀsindꢀausschließlichꢀfürꢀtechnischꢀgeschultesꢀFachpersonalꢀbestimmt.ꢀDieꢀBeurteilungꢀder  
EignungꢀdiesesꢀProduktesꢀfürꢀdieꢀbeabsichtigteꢀAnwendungꢀsowieꢀdieꢀBeurteilungꢀderꢀVollständigkeitꢀderꢀinꢀdiesemꢀDokumentꢀenthaltenen  
ProduktdatenꢀfürꢀdieseꢀAnwendungꢀobliegtꢀdenꢀtechnischenꢀFachabteilungenꢀdesꢀKunden.  
SolltenꢀSieꢀvonꢀunsꢀweitereꢀInformationenꢀimꢀZusammenhangꢀmitꢀdemꢀProdukt,ꢀderꢀTechnologie,ꢀLieferbedingungenꢀbzw.ꢀPreisen  
benötigen,ꢀwendenꢀSieꢀsichꢀbitteꢀanꢀdasꢀnächsteꢀVertriebsbüroꢀvonꢀInfineonꢀTechnologiesꢀ(www.infineon.com).  
WARNHINWEIS  
AufgrundꢀderꢀtechnischenꢀAnforderungenꢀkönnenꢀProdukteꢀgesundheitsgefährdendeꢀSubstanzenꢀenthalten.ꢀBeiꢀFragenꢀzuꢀdenꢀinꢀdiesem  
ProduktꢀenthaltenenꢀSubstanzen,ꢀsetzenꢀSieꢀsichꢀbitteꢀmitꢀdemꢀnächstenꢀVertriebsbüroꢀvonꢀInfineonꢀTechnologiesꢀinꢀVerbindung.  
SofernꢀInfineonꢀTechnologiesꢀnichtꢀausdrücklichꢀinꢀeinemꢀschriftlichen,ꢀvonꢀvertretungsberechtigtenꢀInfineonꢀMitarbeiternꢀunterzeichneten  
Dokumentꢀzugestimmtꢀhat,ꢀdürfenꢀProdukteꢀvonꢀInfineonꢀTechnologiesꢀnichtꢀinꢀAnwendungenꢀeingesetztꢀwerden,ꢀinꢀwelchen  
vernünftigerweiseꢀerwartetꢀwerdenꢀkann,ꢀdassꢀeinꢀFehlerꢀdesꢀProduktesꢀoderꢀdieꢀFolgenꢀderꢀNutzungꢀdesꢀProduktesꢀzu  
Personenverletzungenꢀführen.  
ꢀ
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IMPORTANTꢀNOTICE  
Theꢀinformationꢀgivenꢀinꢀthisꢀdocumentꢀshallꢀinꢀnoꢀeventꢀbeꢀregardedꢀasꢀaꢀguaranteeꢀofꢀconditionsꢀorꢀcharacteristics  
(“Beschaffenheitsgarantie”).ꢀWithꢀrespectꢀtoꢀanyꢀexamples,ꢀhintsꢀorꢀanyꢀtypicalꢀvaluesꢀstatedꢀhereinꢀand/orꢀanyꢀinformationꢀregardingꢀthe  
applicationꢀofꢀtheꢀproduct,ꢀInfineonꢀTechnologiesꢀherebyꢀdisclaimsꢀanyꢀandꢀallꢀwarrantiesꢀandꢀliabilitiesꢀofꢀanyꢀkind,ꢀincludingꢀwithout  
limitationꢀwarrantiesꢀofꢀnon-infringementꢀofꢀintellectualꢀpropertyꢀrightsꢀofꢀanyꢀthirdꢀparty.  
Inꢀaddition,ꢀanyꢀinformationꢀgivenꢀinꢀthisꢀdocumentꢀisꢀsubjectꢀtoꢀcustomer’sꢀcomplianceꢀwithꢀitsꢀobligationsꢀstatedꢀinꢀthisꢀdocumentꢀandꢀany  
applicableꢀlegalꢀrequirements,ꢀnormsꢀandꢀstandardsꢀconcerningꢀcustomer’sꢀproductsꢀandꢀanyꢀuseꢀofꢀtheꢀproductꢀofꢀInfineonꢀTechnologies  
inꢀcustomer’sꢀapplications.  
Theꢀdataꢀcontainedꢀinꢀthisꢀdocumentꢀisꢀexclusivelyꢀintendedꢀforꢀtechnicallyꢀtrainedꢀstaff.ꢀItꢀisꢀtheꢀresponsibilityꢀofꢀcustomer’sꢀtechnical  
departmentsꢀtoꢀevaluateꢀtheꢀsuitabilityꢀofꢀtheꢀproductꢀforꢀtheꢀintendedꢀapplicationꢀandꢀtheꢀcompletenessꢀofꢀtheꢀproductꢀinformationꢀgivenꢀin  
thisꢀdocumentꢀwithꢀrespectꢀtoꢀsuchꢀapplication.  
Forꢀfurtherꢀinformationꢀonꢀtheꢀproduct,ꢀtechnology,ꢀdeliveryꢀtermsꢀandꢀconditionsꢀandꢀpricesꢀpleaseꢀcontactꢀyourꢀnearestꢀInfineon  
Technologiesꢀofficeꢀ(www.infineon.com).  
WARNINGS  
Dueꢀtoꢀtechnicalꢀrequirementsꢀproductsꢀmayꢀcontainꢀdangerousꢀsubstances.ꢀForꢀinformationꢀonꢀtheꢀtypesꢀinꢀquestionꢀpleaseꢀcontactꢀyour  
nearestꢀInfineonꢀTechnologiesꢀoffice.  
ExceptꢀasꢀotherwiseꢀexplicitlyꢀapprovedꢀbyꢀInfineonꢀTechnologiesꢀinꢀaꢀwrittenꢀdocumentꢀsignedꢀbyꢀauthorizedꢀrepresentativesꢀofꢀInfineon  
Technologies,ꢀInfineonꢀTechnologies’ꢀproductsꢀmayꢀnotꢀbeꢀusedꢀinꢀanyꢀapplicationsꢀwhereꢀaꢀfailureꢀofꢀtheꢀproductꢀorꢀanyꢀconsequencesꢀof  
theꢀuseꢀthereofꢀcanꢀreasonablyꢀbeꢀexpectedꢀtoꢀresultꢀinꢀpersonalꢀinjury.  
厂商 型号 描述 页数 下载

ETC

 		FZ400R06KF 晶体管| IGBT | N -CHAN | 600V V（ BR ） CES | 400A I（C ） | M ： HL093HW048\n[ TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 400A I(C) | M:HL093HW048 ] 1 页

ETC

 		FZ400R06KF2 晶体管| IGBT | N -CHAN | 600V V（ BR ） CES | 400A I（C ） | M ： HL093HW048\n[ TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 400A I(C) | M:HL093HW048 ] 2 页

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 		FZ400R06KF3 晶体管| IGBT功率模块|独立| 600V V（ BR ） CES | 400A I（C ）\n[ TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | INDEPENDENT | 600V V(BR)CES | 400A I(C) ] 1 页

ETC

 		FZ400R06KL 晶体管| IGBT | N -CHAN | 600V V（ BR ） CES | 400A I（C ） | M ： HL093HW048\n[ TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 400A I(C) | M:HL093HW048 ] 1 页

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 		FZ400R06KL2 晶体管| IGBT功率模块|独立| 600V V（ BR ） CES | 400A I（C ）\n[ TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | INDEPENDENT | 600V V(BR)CES | 400A I(C) ] 2 页

ETC

 		FZ400R10KF2 晶体管| IGBT | N -CHAN | 1KV V（ BR ） CES | 400A I（C ） | M ： HL093HW048\n[ TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 1KV V(BR)CES | 400A I(C) | M:HL093HW048 ] 1 页

EUPEC

 		FZ400R12KE3 IGBT逆变器[ IGBT-inverter ] 8 页

INFINEON

 		FZ400R12KE3B1 [ Insulated Gate Bipolar Transistor, 650A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, ] 8 页

INFINEON

 		FZ400R12KE3B1HOSA1 [ Insulated Gate Bipolar Transistor, 650A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, ] 8 页

INFINEON

 		FZ400R12KE3HOSA1 [ Insulated Gate Bipolar Transistor, 650A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-5 ] 8 页

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