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WV3DG64127V75D2G

型号:

WV3DG64127V75D2G

品牌:

WEDC[ WHITE ELECTRONIC DESIGNS CORPORATION ]

页数:

8 页

PDF大小:

245 K

WV3DG64127V-D2  
White Electronic Designs  
ADVANCED*  
1GB – 2x64Mx64, SDRAM UNBUFFERED  
FEATURES  
DESCRIPTION  
PC100 and PC133 compatible  
The WV3DG64127V is a 2x64Mx64 synchronous DRAM  
module which consists of sixteen stacked 64Mx8 bit  
with 4 banks SDRAM components in TSOP II package  
and one 2K EEPROM which are mounted on a 168 Pin  
DIMM multilayer FR4 Substrate.  
Burst Mode Operation  
Auto and Self Refresh capability  
LVTTL compatible inputs and outputs  
Serial Presence Detect with EEPROM  
Fully synchronous: All signals are registered on the  
positive edge of the system clock  
* This product is under development, is not qualified or characterized and is subject to  
change or cancellation without notice.  
Programmable Burst Lengths: 1, 2, 4, 8 or Full Page  
3.3V 0.3V Power Supply  
168 Pin DIMM  
NOTE: Consult factory for availability of:  
• Lead-free products  
• Vendor source control option  
• Industrial temperature option  
• PCB: 29.41mm (1.158")  
PIN CONFIGURATIONS (FRONT SIDE/BACK SIDE)  
PIN NAMES  
Address input (Multiplexed)  
Select Bank  
Pin  
Front  
VSS  
Pin  
29  
30  
31  
32  
33  
34  
35  
36  
37  
38  
39  
40  
41  
42  
43  
44  
45  
46  
47  
48  
49  
50  
51  
52  
53  
54  
55  
56  
Front  
DQM1  
CS0#  
DNU  
VSS  
Pin  
57  
58  
59  
60  
61  
62  
63  
64  
65  
66  
67  
68  
69  
70  
71  
72  
73  
74  
75  
76  
77  
78  
79  
80  
81  
82  
83  
84  
Front  
DQ18  
DQ19  
VCC  
Pin  
85  
Back  
VSS  
Pin  
113  
114  
115  
116  
117  
118  
119  
120  
121  
122  
123  
124  
125  
126  
127  
128  
129  
130  
131  
132  
133  
134  
135  
136  
137  
138  
139  
140  
Back  
DQM5  
CS1#  
RAS#  
VSS  
Pin  
141  
142  
143  
144  
145  
146  
147  
148  
149  
150  
151  
152  
153  
154  
155  
156  
157  
158  
159  
160  
161  
162  
163  
164  
165  
166  
167  
168  
Back  
DQ50  
DQ51  
VCC  
A0 – A12  
BA0-1  
DQ0-63  
1
2
DQ0  
DQ1  
DQ2  
DQ3  
VCC  
86  
DQ32  
DQ33  
DQ34  
DQ35  
VCC  
Data Input/Output  
Clock input  
CKE0, CKE1 Clock Enable input  
CS0# - CS3# Chip select Input  
3
87  
CLK0-CLK3  
4
DQ20  
NC  
88  
DQ52  
NC  
5
A0  
89  
A1  
6
A2  
NC  
90  
A3  
NC  
RAS#  
CAS#  
WE#  
DQM0-7  
VCC  
VSS  
SDA  
SCL  
Row Address Strobe  
Column Address Strobe  
Write Enable  
DQM  
Power Supply  
Ground  
Serial data I/O  
Serial clock  
Do not use  
7
DQ4  
DQ5  
DQ6  
DQ7  
DQ8  
VSS  
A4  
CKE1  
VSS  
91  
DQ36  
DQ37  
DQ38  
DQ39  
DQ40  
VSS  
A5  
DNU  
VSS  
8
A6  
92  
A7  
9
A8  
DQ21  
DQ22  
DQ23  
VSS  
93  
A9  
DQ53  
DQ54  
DQ55  
VSS  
10  
11  
12  
13  
14  
15  
16  
17  
18  
19  
20  
21  
22  
23  
24  
25  
26  
27  
28  
A10/AP  
BA1  
VCC  
94  
BA0  
A11  
95  
96  
VCC  
DQ9  
DQ10  
DQ11  
DQ12  
DQ13  
VCC  
VCC  
DQ24  
DQ25  
DQ26  
DQ27  
VCC  
97  
DQ41  
DQ42  
DQ43  
DQ44  
DQ45  
VCC  
CLK1  
A12  
DQ56  
DQ57  
DQ58  
DQ59  
VCC  
CLK0  
VSS  
98  
99  
VSS  
DNU  
CS2#  
DQM2  
DQM3  
DNU  
VCC  
100  
101  
102  
103  
104  
105  
106  
107  
108  
109  
110  
111  
112  
CKE0  
CS3#  
DQM6  
DQM7  
NC  
DNU  
NC  
No Connect  
DQ28  
DQ29  
DQ30  
DQ31  
VSS  
DQ60  
DQ61  
DQ62  
DQ63  
VSS  
DQ14  
DQ15  
CBO  
CB1  
Vss  
DQ46  
DQ47  
CB4  
VCC  
NC  
CB5  
NC  
NC  
CLK2  
NC  
VSS  
NC  
CLK3  
NC  
NC  
CB2  
CB3  
VSS  
NC  
CB6  
CB7  
VSS  
NC  
NC  
NC  
SA0  
VCC  
SDA  
SCL  
VCC  
SA1  
WE#  
DQM0  
DQ16  
DQ17  
CAS#  
DQM4  
DQ48  
DQ49  
SA2  
VCC  
VCC  
White Electronic Designs Corp. reserves the right to change products or specifications without notice.  
April 2005  
Rev. 0  
1
White Electronic Designs Corporation • (602) 437-1520 • www.wedc.com  
WV3DG64127V-D2  
White Electronic Designs  
ADVANCED*  
FUNCTIONAL BLOCK DIAGRAM  
CS1#  
CS0#  
DQM0  
DQM4  
DQM  
DQM  
CS#  
DQM  
DQM  
CS#  
CS#  
CS#  
CS#  
CS#  
CS#  
DQ32  
DQ33  
DQ34  
DQ35  
DQ36  
DQ37  
DQ38  
DQ39  
DQ0  
DQ1  
DQ2  
DQ3  
DQ4  
DQ5  
DQ6  
DQ7  
DQ0  
DQ1  
DQ2  
DQ3  
DQ4  
DQ5  
DQ6  
DQ7  
DQ0  
DQ1  
DQ2  
DQ3  
DQ4  
DQ5  
DQ6  
DQ7  
DQ0  
DQ1  
DQ2  
DQ3  
DQ4  
DQ5  
DQ6  
DQ7  
DQ0  
DQ1  
DQ2  
DQ3  
DQ4  
DQ5  
DQ6  
DQ7  
DQM5  
DQM1  
DQM  
DQM  
CS#  
DQM  
DQM  
DQ40  
DQ41  
DQ42  
DQ43  
DQ44  
DQ45  
DQ46  
DQ47  
DQ0  
DQ1  
DQ2  
DQ3  
DQ4  
DQ5  
DQ6  
DQ7  
DQ0  
DQ1  
DQ2  
DQ3  
DQ4  
DQ5  
DQ6  
DQ7  
DQ8  
DQ9  
DQ0  
DQ1  
DQ2  
DQ3  
DQ4  
DQ5  
DQ6  
DQ7  
DQ0  
DQ1  
DQ2  
DQ3  
DQ4  
DQ5  
DQ6  
DQ7  
DQ10  
DQ11  
DQ12  
DQ13  
DQ14  
DQ15  
CS3#  
CS2#  
DQM2  
DQM6  
DQM  
DQM  
CS#  
CS#  
CS#  
CS#  
DQM  
DQM  
CS#  
CS#  
CS#  
CS#  
DQ48  
DQ49  
DQ50  
DQ51  
DQ52  
DQ53  
DQ54  
DQ55  
DQ0  
DQ1  
DQ2  
DQ3  
DQ4  
DQ5  
DQ6  
DQ7  
DQ0  
DQ1  
DQ2  
DQ3  
DQ4  
DQ5  
DQ6  
DQ7  
DQ16  
DQ17  
DQ18  
DQ19  
DQ20  
DQ21  
DQ22  
DQ23  
DQ0  
DQ1  
DQ2  
DQ3  
DQ4  
DQ5  
DQ6  
DQ7  
DQ0  
DQ1  
DQ2  
DQ3  
DQ4  
DQ5  
DQ6  
DQ7  
DQM7  
DQM3  
DQM  
DQM  
DQM  
DQM  
DQ56  
DQ57  
DQ58  
DQ59  
DQ60  
DQ61  
DQ62  
DQ63  
DQ0  
DQ1  
DQ2  
DQ3  
DQ4  
DQ5  
DQ6  
DQ7  
DQ0  
DQ1  
DQ2  
DQ3  
DQ4  
DQ5  
DQ6  
DQ7  
DQ24  
DQ25  
DQ26  
DQ27  
DQ28  
DQ29  
DQ30  
DQ31  
DQ0  
DQ1  
DQ2  
DQ3  
DQ4  
DQ5  
DQ6  
DQ7  
DQ0  
DQ1  
DQ2  
DQ3  
DQ4  
DQ5  
DQ6  
DQ7  
A0 ~ A12, BA0 & 1  
RAS#  
SDRAM  
SCL  
SDA  
SDRAM  
SDRAM  
A0 A1 A2  
VCC  
CAS#  
SA0 SA1 SA2  
WE#  
SDRAM  
SDRAM  
10K Ω  
SDRAM  
CKE0  
CKE1  
SDRAM  
10  
10Ω  
SDRAM  
DQn  
Every DQpin of SDRAM  
CK0/1/2/3  
SDRAM  
SDRAM  
VCC  
Vss  
Two 0.1uF Capacitors  
per each SDRAM  
To all SDRAMs  
White Electronic Designs Corp. reserves the right to change products or specifications without notice.  
April 2005  
Rev. 0  
2
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WV3DG64127V-D2  
White Electronic Designs  
ADVANCED*  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS  
Parameter  
Symbol  
Value  
-1.0 ~ 4.6  
-1.0 ~ 4.6  
-55 ~ +150  
32  
Units  
V
V
°C  
W
Voltage on any pin relative to VSS  
Voltage on VCC supply relative to VSS  
Storage Temperature  
VIN, VOUT  
VCC, VCCQ  
TSTG  
PD  
Power Dissipation  
Short Circuit Current  
IOS  
50  
mA  
Note: Permanent device damage may occur if "ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS" are exceeded.  
Functional operation should be restricted to recommended operating condition.  
Exposure to higher than recommended voltage for extended periods of time could affect device reliability.  
RECOMMENDED DC OPERATING CONDITIONS  
Voltage Referenced to: VSS = 0V, 0°C TA +70°C  
Parameter  
Supply Voltage  
Symbol  
VCC  
VIH  
Min  
3.0  
2.0  
-0.3  
2.4  
Typ  
3.3  
3.0  
Max  
Unit  
V
V
V
V
Note  
3.6  
VCCQ+0.3  
0.8  
0.4  
Input High Voltage  
Input Low Voltage  
Output High Voltage  
Output Low Voltage  
Input Leakage Current  
1
2
VIL  
VOH  
VOL  
ILI  
IOH = -2mA  
IOL = -2mA  
3
V
µA  
-10  
10  
Note:  
1.  
2.  
V
IH (max)= 5.6V AC. The overshoot voltage duration is ≤ 3ns.  
IL (min)= -2.0V AC. The undershoot voltage duration is ≤ 3ns.  
V
3. Any input 0V ≤ VIN ≤ VCC  
Input leakage currents include Hi-Z output leakage for all bi-directional buffers with Tri-State outputs.  
CAPACITANCE  
TA = 25°C, f = 1MHz, VCC = 3.3V, VREF=1.4V ± ±200mV  
Parameter  
Symbol  
Max  
Unit  
Input Capacitance (A0-A12)  
CIN1  
CIN2  
CIN3  
CIN4  
CIN5  
CIN6  
CIN7  
COUT  
150  
150  
80  
pF  
pF  
pF  
pF  
pF  
pF  
pF  
pF  
Input Capacitance (RAS#,CAS#,WE#)  
Input Capacitance (CKE0-CKE1)  
Input Capacitance (CK0-CK3)  
45  
Input Capacitance (CS0#-CS3#)  
Input Capacitance (DQM0-DQM7)  
Input Capacitance (BA0-BA1)  
45  
30  
150  
30  
Data input/output capacitance (DQ0-DQ63)  
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White Electronic Designs  
ADVANCED*  
IDD SPECIFICATIONS AND CONDITIONS  
VCC, VCCQ = +3.3V 0.3V; SDRAM component values only  
Version  
75  
Parameter  
Symbol Test Condition  
Unit  
Note  
7
10  
Operating current  
(One bank active)  
ICC1  
Burst length = 1, tRC ≥ tRC(min), IO = 0 mA  
2080  
1920  
1920  
mA  
mA  
1
ICC2P  
CKE ≤ VIL(max), tCC = 10ns  
64  
64  
Precharge standby current  
in power-down mode  
ICC2PS  
CKE & CLK ≥ VIL(max), tCC = ∞  
CKE ≥ VIH(min), CS# ≥ VIH(min), tCC = 10ns  
Input signals are changed one time during 20ns  
ICC2N  
640  
320  
mA  
mA  
Precharge standby current  
in non power-down mode  
CKE ≥ VIH(min), CLK ≤ VIL(max), tCC = ∞  
Input signals are stable  
ICC2NS  
ICC3P  
CKE ≤ VIL(max), tCC = 10ns  
200  
200  
Active standby current in  
power-down mode  
ICC3PS  
CKE & CLK ≤ VIL(max), tCC = ∞  
CKE ≥ VIH(min), CS# ≥ VIH(min), tCC = 10ns  
Input signals are changed one time during 20ns  
ICC3N  
960  
800  
mA  
mA  
Active standby current in  
non power-down mode  
(One bank active)  
CKE ≥ VIH(min), CLK ≤ VIL(max), tCC = ∞  
Input signals are stable  
ICC3NS  
IO = 0 mA  
Operating current  
(Burst mode)  
Page burst  
ICC4  
2240  
4000  
2240  
2080  
3520  
mA  
1
2
4banks Activated.  
tCCD = 2CLKs  
Refresh current  
ICC5  
ICC6  
tRC ≥ tRC(min)  
CKE ≤ 0.2V  
3680  
96  
mA  
mA  
Self refresh current  
C
Notes:  
1. Measured with outputs open.  
2. Refresh period is 64ms.  
3. Unless otherwise noted, input swing is CMOS (VIH/VIL = VCCQ/VJSQ  
)
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White Electronic Designs  
ADVANCED*  
AC OPERATING TEST CONDITIONS  
VCC, VCCQ = +3.3v 0.3V, 0°C - 70°C  
Parameter  
Value  
Unit  
V
AC input levels (VIH/VIL)  
2.4/0.4  
1.4  
Input timing measurement reference level  
Input rise and fall time  
V
tR/tF = 1/1  
1.4  
ns  
V
Output timing measurement reference level  
Output load condition  
See Fig. 2  
DC OUTPUT LOAD CIRCUIT  
AC OUTPUT LOAD CIRCUIT  
3.3V  
Vtt = 1.4V  
1200Ω  
50Ω  
V
V
OH (DC) = 2.4V, IOH = -2mA  
OL (DC) = 0.4V, IOL = 2mA  
Output  
Z0 = 50Ω  
Output  
50pF  
50pF  
870Ω  
OPERATING AC PARAMETER  
VCC, VCCQ = +3.3v 0.3V, 0°C - 70°C)  
Parameter  
Symbol  
Version  
Unit  
Note  
7
75  
15  
20  
20  
10  
20  
20  
20  
50  
Row active to row active delay  
RAS# to CAS# delay  
Row precharge time  
Row active time  
tRRD(min)  
tRCD(min)  
tRP(min)  
tRAS(min)  
tRAS(max)  
tRC(min)  
tRDL(min)  
tDAL(min)  
tCDL(min)  
tBDL(min)  
tCCD(min)  
15  
15  
15  
45  
ns  
ns  
ns  
ns  
us  
ns  
CLK  
CLK  
CLK  
CLK  
ea  
1
1
1
1
45  
100  
65  
2
Row cycle time  
Last data in to row precharge  
Last data in to Active delay  
Last data in to new col. address delay  
Last data in to burst stop  
Col. address to col. address delay  
Number of valid output data  
60  
70  
1
2
2 CLK + tRP  
1
1
1
2
1
2
2
3
4
CAS latency=3  
CAS latency=2  
Notes:  
1. The minimum number of clock cycles is determined by dividing the minimum time required with clock cycle time and then rounding off to the next higher integer.  
2. Minimum delay is required to complete write.  
3. All parts allow every cycle column address change.  
4. In case of row precharge interrupt, auto precharge and read burst stop.  
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ADVANCED*  
OPERATING AC PARAMETERS  
VCC, VCCQ = +3.3v 0.3V, 0°C - 70°C  
7
75  
10  
Parameter  
Symbol  
tCC  
Unit  
ns  
Note  
1
Min  
7.5  
7.5  
Max  
Min  
7.5  
10  
Max  
Min  
10  
Max  
CAS latency=3  
CAS latency=2  
CAS latency=3  
CAS latency=2  
CAS latency=3  
CAS latency=2  
CLK cycle time  
1000  
1000  
1000  
10  
5.4  
5.4  
5.4  
6
6
6
CLK to valid output delay  
Output data hold time  
tSAC  
ns  
1, 2  
2
3
3
3
3
3
3
2
1
1
tOH  
ns  
3
3
CLK high pulse width  
CLK low pulse width  
Input setup time  
tCH  
tCL  
2.5  
2.5  
1.5  
0.8  
1
2.5  
2.5  
1.5  
0.8  
1
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
3
3
3
3
2
tSS  
tSH  
tSLZ  
Input hold time  
CLK to output in Low-Z  
CAS latency=3  
CAS latency=2  
5.4  
5.4  
5.4  
6
6
6
CLK to outpu in Hi-Z  
tSHZ  
Notes :  
1. Parameters depend on programmed CAS latency.  
2. If clock rising time is longer than 1ns, (tr/2-0.5)ns should be added to the parameter.  
3. Assumed input rise and fall time (tr & tf) = 1ns.  
If tr & tf is longer than 1ns, transient time compensation should be considered,  
i.e., [(tr + tf)/2-1]ns should be added to the parameter.  
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ADVANCED*  
ORDERING INFORMATION  
Part Number  
Speed  
100MHz  
133MHz  
133MHz  
CAS Latency  
CL=2  
Height*  
WV3DG64127V10D2  
WV3DG64127V7D2  
WV3DG64127V75D2  
29.41 (1.158")  
29.41 (1.158")  
29.41 (1.158")  
CL=2  
CL=3  
NOTES:  
• Consult Factory for availability of Lead-Free products. (F = Lead-Free, G = RoHS Compliant)  
• Vendor specific part numbers are used to provide memory components source control. The place holder for this is shown as  
lower case “x” in the part numbers above and is to be replaced with the respective vendors code. Consult factory for qualified  
sourcing options. (M = Micron, S = Samsung & consult factory for others)  
• Consult factory for availability of industrial temperature (-40°C to 85°C) option  
PACKAGE DIMENSIONS  
133.350 (5.250)  
127.350 (5.014)  
3.000  
(0.118)  
6.85  
(0.270)  
MAX  
R 2.00  
(R 0.079)  
4.00 0.100  
(0.157 0.004)  
4.00  
(0.157)  
MIN  
29.413  
(1.158)  
17.780  
(0.700)  
2.540  
(0.100) MIN  
3.000DIA 0.100  
(0.118DIA 0.004)  
6.350  
(0.250)  
6.350  
(0.250)  
1.270 0.10  
(0.050 0.0039)  
8.890  
(0.350)  
36.830  
(1.450)  
54.61  
(2.150)  
11.43  
(0.45)  
115.57  
(4.550)  
*ALL DIMENSIONS ARE IN MILLIMETERS AND (INCHES)  
White Electronic Designs Corp. reserves the right to change products or specifications without notice.  
April 2005  
Rev. 0  
7
White Electronic Designs Corporation • (602) 437-1520 • www.wedc.com  
WV3DG64127V-D2  
White Electronic Designs  
ADVANCED*  
Document Title  
1GB - 2x64Mx64, SDRAM UNBUFFERED  
Revision History  
Rev #  
History  
Release Date Status  
Rev 0  
Created  
4-05  
Advanced  
White Electronic Designs Corp. reserves the right to change products or specifications without notice.  
April 2005  
Rev. 0  
8
White Electronic Designs Corporation • (602) 437-1520 • www.wedc.com  
厂商 型号 描述 页数 下载

WEDC

WV3DG64127V-D2 1GB - 2x64Mx64 , SDRAM UNBUFFERED[ 1GB - 2x64Mx64, SDRAM UNBUFFERED ] 8 页

WEDC

WV3DG64127V10D2 1GB - 2x64Mx64 , SDRAM UNBUFFERED[ 1GB - 2x64Mx64, SDRAM UNBUFFERED ] 8 页

WEDC

WV3DG64127V75D2 1GB - 2x64Mx64 , SDRAM UNBUFFERED[ 1GB - 2x64Mx64, SDRAM UNBUFFERED ] 8 页

WEDC

WV3DG64127V75D2F [ DRAM, ] 8 页

WEDC

WV3DG64127V7D2 1GB - 2x64Mx64 , SDRAM UNBUFFERED[ 1GB - 2x64Mx64, SDRAM UNBUFFERED ] 8 页

WEDC

WV3DG64127V7D2F [ DRAM, ] 8 页

WEDC

WV3DG64127V7D2G [ 暂无描述 ] 8 页

WEDC

WV3DG72256V-AD2 2GB - 2x128Mx72 SDRAM ,注册[ 2GB - 2x128Mx72 SDRAM, REGISTERED ] 9 页

MICROSEMI

WV3DG72256V10AD2MG [ Synchronous DRAM Module, 256MX72, 5.4ns, CMOS, ROHS COMPLIANT, DIMM-168 ] 9 页

MICROSEMI

WV3DG72256V10AD2SG [ Synchronous DRAM Module, 256MX72, 5.4ns, CMOS, ROHS COMPLIANT, DIMM-168 ] 9 页

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