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BZX84C2V4W

型号:

BZX84C2V4W

描述:

平面片建设, 200mW的功率耗散[ Planar Die Construction, 200mW Power Dissipation ]

品牌:

TYSEMI[ TY Semiconductor Co., Ltd ]

页数:

2 页

PDF大小:

116 K

Product specification  
BZX84C2V4W  
Features  
Planar Die Construction  
200mW Power Dissipation  
Ultra-Small Surface Mount Package  
Absolute Maximum Ratings Ta = 25  
Parameter  
Forward Voltage @ IF = 10mA  
Symbol  
VF  
Rating  
0.9  
Unit  
V
Power Dissipation  
PD  
200  
mW  
K/W  
Thermal Resistance, Junction to Ambient Air  
Operating and Storage Temperature Range  
R
JA  
625  
Tj, TSTG  
-65 to +150  
Electrical Characteristics @ TA = 25 C unless otherwise specified  
Maximum  
Reverse Current  
*1  
Temperature  
Coefficient of  
Zener Voltage  
@ IZT = 5mA  
(mV/ C)  
Zener Voltage  
Range *1  
Maximum Zener Impedance*2  
Type  
Number  
VZ @ IZT  
IZT  
ZZT @ IZT ZZK @ IZK  
IZK  
IR  
@VR  
Nom (V) Min (V)  
2.4 2.2  
Max (V)  
2.6  
mA  
5
mA  
1
V
1
Min  
-3.5  
Max  
0
A
BZX84C2V4W  
100  
600  
50  
*1. Short duration test pulse used to minimize self-heating effect.  
*2. f = 1KHz.  
Marking  
Marking  
KRB  
http://www.twtysemi.com  
1 of 2  
sales@twtysemi.com  
4008-318-123  
Product specification  
BZX84C2V4W  
300  
200  
50  
40  
T = 25°C  
j
C3V9  
C5V6  
C2V7  
C3V3  
C6V8  
C4V7  
C8V2  
30  
20  
100  
Test Current IZ  
5.0mA  
10  
0
0
100  
0
200  
0
1
2
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5
6
8
9
10  
7
VZ, ZENER VOLTAGE (V)  
TA, AMBIENT TEMPERATURE, (°C)  
Fig. 1. Power Derating Curve  
Fig. 2 Zener Breakdown Characteristics  
1000  
30  
Tj = 25°C  
C10  
C12  
Tj = 25 °C  
VR = 1V  
VR = 2V  
C15  
20  
10  
0
100  
C18  
VR = 1V  
C22  
C27  
VR = 2V  
Test current IZ  
5mA  
C33  
C36 C39  
10  
10  
1
100  
VZ, NOMINAL ZENER VOLTAGE (V)  
0
10  
VZ, ZENER VOLTAGE (V)  
Fig. 3. Zener Breakdown Characteristics  
20  
30  
40  
Fig. 4. Total Capacitance vs Nominal Zener Voltage  
http://www.twtysemi.com  
sales@twtysemi.com  
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4008-318-123  
厂商 型号 描述 页数 下载

SEMTECH

BZX1.5C 硅平面齐纳二极管[ SILICON PLANAR ZENER DIODES ] 2 页

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