3SK238
Table 2 Electrical Characteristics (Ta = 25°C)
Item
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
Test conditions
———————————————————————————————————————————
Drain to source
V
12
—
—
V
I
= 200 µA, V
= –5 V,
(BR)DSX
D
G1S
breakdown voltage
V
= –5 V
G2S
———————————————————————————————————————————
Gate1 to source
V
±10
—
—
V
I
= ±10 µA,
(BR)G1SS
G1
breakdown voltage
V
= V
= 0
G2S
DS
———————————————————————————————————————————
Gate2 to source
V
±10
—
—
V
I
= ±10 µA,
(BR)G2SS
G2
breakdown voltage
V
= V
= 0
G1S
DS
———————————————————————————————————————————
Gate1 leakage
current
I
—
—
±100
nA
V
V
= ±8 V,
G1SS
G1S
G2S
= V
= 0
DS
———————————————————————————————————————————
Gate2 leakage
current
I
—
—
±100
nA
V
V
= ±8 V,
G2SS
G2S
G1S
= V
= 0
DS
———————————————————————————————————————————
Drain current
I
0
—
2
mA
V
= 6 V, V
= 0,
DSS
DS
G1S
V
= 3 V
G2S
———————————————————————————————————————————
Gate1 to source
V
–0.7
—
+0.7
V
V
= 10 V, V
= 3V,
G1S(off)
DS
G2S
cutoff voltage
I
= 100 µA
D
———————————————————————————————————————————
Gate2 to source
V
–0.1
—
+0.8
V
V
= 10 V, V
= 3V,
G2S(off)
DS
G1S
cutoff voltage
I
= 100 µA
D
———————————————————————————————————————————
Forward transfer
|y |
14
—
—
mS
V
= 6V, V
= 3 V,
fs
DS
G2S
admittance
I
= 10 mA, f = 1 kHz
D
———————————————————————————————————————————
Input capacitance
Ciss
0.9
1.25
1.8
pF
V
= 6 V,
DS
——————————————————————————————
V
= 3 V,I = 10 mA,
D
G2S
Output capacitance
Coss
0.4
0.7
1.2
pF
f = 1 MHz
——————————————————————————————
Reverse transfer
Crss
—
0.015
0.03
pF
capacitance
———————————————————————————————————————————
Power gain
PG
16
19.4
—
dB
V
= 4 V, V
= 3 V,
DS
G2S
——————————————————————————————
I = 10 mA, f = 900 MHz
D
Noise figure
NF
—
2.8
4
dB
———————————————————————————————————————————
