3SK233
Table 2 Electrical Characteristics (Ta = 25°C)
Item
Symbol
Min Typ Max Unit Test condition
———————————————————————————————————————————————–
Drain to source breakdown voltage
V
12
—
—
V
I
= 200 µA, V
=
(BR)DSX
D
G1S
–5 V, V
= –5 V
G2S
———————————————————————————————————————————————–
Gate 1 to source breakdown voltage ±10 = ±10 µA,
V
—
—
V
I
G1
(BR)G1SS
V
= V
= 0
G2S
DS
———————————————————————————————————————————————–
Gate 2 to source breakdown voltage ±10 = ±10 µA,
V
—
—
V
I
G2
(BR)G2SS
V
= V
= 0
G1S
DS
———————————————————————————————————————————————–
Gate 1 cutoff current
I
—
—
±100 nA
V
V
= ±8 V,
G1SS
G1S
G2S
= V
= 0
DS
———————————————————————————————————————————————–
Gate 2 cutoff current
I
—
—
±100 nA
V
V
= ±8 V,
G2SS
G2S
G1S
= V
= 0
DS
———————————————————————————————————————————————–
Drain current
I
0
—
2
mA
V
V
= 6 V, V
= 0,
DSS
DS
G1S
= 3 V
G2S
———————————————————————————————————————————————–
Gate 1 to source cutoff voltage –0.7 +0.7 = 10 V, V = 3 V,
V
—
V
V
DS
G1S(off)
G2S
I
= 100 µA
D
———————————————————————————————————————————————–
Gate 2 to source cutoff voltage –0.1 +0.8 = 10 V, V = 3 V,
V
—
V
V
DS
G2S(off)
G1S
I
= 100 µA
D
———————————————————————————————————————————————–
Forward transfer admittance |y | 14 mS = 6 V, V = 3 V,
—
—
V
DS
fs
G2S
I
= 10 mA, f = 1 kHz
D
———————————————————————————————————————————————–
Input capacitance Ciss 0.9 1.25 1.8 pF = 6 V, V = 3 V,
———————————————————————————————————– I = 10 mA, f = 1 MHz
V
DS
G2S
D
Output capacitance
———————————————————————————————————–
Reverse transfer capacitance Crss 0.015 0.03 pF
———————————————————————————————————————————————–
Power gain PG 16 19.4 dB = 4 V, V = 3 V,
———————————————————————————————————– I = 10 mA, f = 900 MHz
Coss
0.4
0.7
1.2
pF
—
—
V
DS
G2S
D
Noise figure
NF
—
2.8
4
dB
———————————————————————————————————————————————–
