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BZX85C8V2

型号：

BZX85C8V2

描述：

BZX85C硅平面功率齐纳二极管[ BZX85C Silicon Planar Power Zener Diodes ]

品牌：

KINGTRONICS[ Kingtronics International Company ]

页数：

4 页

PDF大小：

576 K

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Website: www.kingtronics.com  
Email: info@kingtronics.com Tel: (852) 8106 7033 Fax: (852) 8106 7099  
BZX85C  
Silicon Planar Power Zener Diodes  
DO-41  
FEATURES  
For use in stabilizing and clipping circuits with high  
power rating.  
The Zener voltages are graded according to the  
international E 24 standard. Other tolerances and  
higher Zener voltages are upon request.  
Glass case DO-41 Dimensions in mm  
Absolute Maximum Ratings (Ta = 25℃)  
Symbol  
Value  
UNIT  
Parameter  
1)  
W
Power Dissipation  
Ptot  
Tj  
1.3  
200  
℃
℃
Junction Temperature  
Storage Temperature Range  
Tstg  
- 55 to + 200  
1) Valid provided that leads at a distance of 8 mm from case are kept at ambient temperature.  
Characteristics at Ta = 25℃  
Symbol  
UNIT  
Parameter  
Max.  
1)  
Thermal Resistance Junction to Ambient Air  
RthA  
130  
K/W  
Forward Voltage  
at IF = 200 mA  
VF  
1.2  
V
1) Valid provided that leads at a distance of 8 mm from case are kept at ambient temperature.  
1
Website: www.kingtronics.com  
Email: info@kingtronics.com Tel: (852) 8106 7033 Fax: (852) 8106 7099  
BZX85C  
Characteristics at Ta = 25℃  
Zener Voltage 1)  
Dynamic Resistance  
Reverse Current  
Type  
VZnom  
(V)  
2.7  
3
VZT  
at IZT  
(mA)  
80  
80  
70  
60  
60  
50  
45  
45  
45  
35  
35  
35  
25  
25  
25  
20  
20  
20  
15  
15  
15  
10  
10  
10  
8
ZZT  
Max.(Ω)  
20  
20  
20  
15  
15  
13  
13  
10  
7
at IZT  
(mA)  
80  
80  
70  
60  
60  
50  
45  
45  
45  
35  
35  
35  
25  
25  
25  
20  
20  
20  
15  
15  
15  
10  
10  
10  
8
ZZK  
Max.(Ω)  
400  
400  
400  
500  
500  
500  
600  
500  
400  
300  
300  
200  
200  
200  
200  
300  
350  
400  
500  
500  
500  
600  
600  
600  
750  
1000  
1000  
1000  
at IZK  
(mA)  
1
IR  
Max.(μA)  
150  
100  
40  
at VR  
(V)  
(V)  
1
BZX85C2V7  
BZX85C3V0  
BZX85C3V3  
BZX85C3V6  
BZX85C3V9  
BZX85C4V3  
BZX85C4V7  
BZX85C5V1  
BZX85C5V6  
BZX85C6V2  
BZX85C6V8  
BZX85C7V5  
BZX85C8V2  
BZX85C9V1  
BZX85C10  
BZX85C11  
BZX85C12  
BZX85C13  
BZX85C15  
BZX85C16  
BZX85C18  
BZX85C20  
BZX85C22  
BZX85C24  
BZX85C27  
BZX85C30  
BZX85C33  
BZX85C36  
2.5...2.9  
2.8...3.2  
3.1...3.5  
3.4...3.8  
3.7...4.1  
4...4.6  
1
1
3.3  
3.6  
3.9  
4.3  
4.7  
5.1  
5.6  
6.2  
6.8  
7.5  
8.2  
9.1  
10  
1
1
1
20  
1
1
10  
1
1
3
1
4.4...5  
1
3
1
4.8...5.4  
5.2...6  
1
1
1.5  
2
1
1
5.8...6.6  
6.4...7.2  
7...7.9  
4
1
1
3
3.5  
3
1
1
4
0.5  
0.5  
0.5  
0.5  
0.5  
0.5  
0.5  
0.5  
0.5  
0.5  
0.5  
0.5  
0.5  
0.25  
0.25  
0.25  
0.25  
1
4.5  
6.2  
6.8  
7
7.7...8.7  
8.5...9.6  
9.4...10.6  
10.4...11.6  
11.4...12.7  
12.4...14.1  
13.8...15.6  
15.3...17.1  
16.8...19.1  
18.8...21.2  
20.8...23.3  
22.8...25.6  
25.1...28.9  
28...32  
5
1
5
1
7
0.5  
0.5  
0.5  
0.5  
0.5  
0.5  
0.5  
0.5  
0.5  
0.5  
0.5  
0.5  
0.5  
0.5  
11  
8
8.2  
9.1  
10  
11  
12  
13  
15  
16  
18  
20  
22  
24  
27  
12  
9
13  
10  
15  
15  
20  
24  
25  
25  
30  
30  
35  
40  
15  
16  
18  
20  
22  
24  
27  
30  
8
8
33  
31...35  
8
8
36  
34...38  
8
8
2
Website: www.kingtronics.com  
Email: info@kingtronics.com Tel: (852) 8106 7033 Fax: (852) 8106 7099  
BZX85C  
Characteristics at Ta = 25℃  
Zener Voltage 1)  
Dynamic Resistance  
Reverse Current  
Type  
VZnom  
(V)  
39  
VZT  
at IZT  
ZZT  
Max.(Ω)  
50  
at IZT  
ZZK  
Max.(Ω)  
1000  
1000  
1500  
1500  
2000  
2000  
2000  
2000  
at IZK  
(mA)  
0.25  
0.25  
0.25  
0.25  
0.25  
0.25  
0.25  
0.25  
IR  
Max.(μA)  
0.5  
at VR  
(V)  
(mA)  
(mA)  
(V)  
30  
33  
36  
39  
43  
47  
51  
56  
BZX85C39  
BZX85C43  
BZX85C47  
BZX85C51  
BZX85C56  
BZX85C62  
BZX85C68  
BZX85C75  
37...41  
40...46  
44...50  
48...54  
52...60  
58...66  
64...72  
70...79  
6
6
4
4
4
4
4
4
6
6
4
4
4
4
4
4
43  
50  
0.5  
47  
90  
0.5  
51  
115  
120  
125  
130  
135  
0.5  
56  
0.5  
62  
0.5  
68  
0.5  
75  
0.5  
1) Tested with pulses tp = 20 ms.  
Breakdowm characteristics  
at Tj=constant (pulsed)  
Breakdowm characteristics  
at Tj=constant (pulsed)  
3
Website: www.kingtronics.com  
Email: info@kingtronics.com Tel: (852) 8106 7033 Fax: (852) 8106 7099  
BZX85C  
Admissible power dissipation Versus ambient temperature  
Valid provided that leads are kept at ambient  
Dynamic resistance versus Zener current  
Temperature at a distance of 10 mm from case  
Pulse thermal resistance versus pulse duration  
Valid provided that leads are kept at ambient  
Temperature at a distance of 10 mm from case  
Dynamic resistance versus Zener current  
Thermal resistance versus lead length  
Dynamic resistance versus Zener current  
Note: Specifications are subject to change without notice.  
4
厂商 型号 描述 页数 下载

SEMTECH

 		BZX1.5C 硅平面齐纳二极管[ SILICON PLANAR ZENER DIODES ] 2 页

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 		BZX1.5C10 硅平面齐纳二极管[ SILICON PLANAR ZENER DIODES ] 2 页

SEMTECH

 		BZX1.5C100 硅平面齐纳二极管[ SILICON PLANAR ZENER DIODES ] 2 页

SEMTECH

 		BZX1.5C11 硅平面齐纳二极管[ SILICON PLANAR ZENER DIODES ] 2 页

SEMTECH

 		BZX1.5C110 硅平面齐纳二极管[ SILICON PLANAR ZENER DIODES ] 2 页

SEMTECH

 		BZX1.5C12 硅平面齐纳二极管[ SILICON PLANAR ZENER DIODES ] 2 页

SEMTECH

 		BZX1.5C120 硅平面齐纳二极管[ SILICON PLANAR ZENER DIODES ] 2 页

SEMTECH

 		BZX1.5C13 硅平面齐纳二极管[ SILICON PLANAR ZENER DIODES ] 2 页

SEMTECH

 		BZX1.5C130 硅平面齐纳二极管[ SILICON PLANAR ZENER DIODES ] 2 页

SEMTECH

 		BZX1.5C15 硅平面齐纳二极管[ SILICON PLANAR ZENER DIODES ] 2 页

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