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IXFN100N10S3

型号:

IXFN100N10S3

描述:

HiPerFET功率MOSFET与肖特基二极管[ HiPerFET Power MOSFETs with Schottky Diodes ]

品牌:

IXYS[ IXYS CORPORATION ]

页数:

2 页

PDF大小:

101 K

HiPerFETTM PowerMOSFETs IXFN 100N10S1  
VDSS = 100 V  
ID25 = 100 A  
RDS(on) = 15 mΩ  
IXFN 100N10S2  
IXFN 100N10S3  
with Schottky Diodes  
m~ê~ääÉäI=_ìÅâ=C==_ççëí=`çåÑáÖìê~íáçåë  
Ñçê=pjmpI=mc`=C=jçíçê=`çåíêçä=`áêÅìáíë  
S2  
QEaF  
QEaF  
S3  
S1  
QEaF  
PEhF  
NEdF  
NEdF  
NEdF  
PE^F  
OEpF  
OEpF  
OIPEpF  
Symbol TestConditions  
Maximum Ratings  
miniBLOC,SOT-227B  
E153432  
VDSS  
VDGR  
qg=Z=OR°`=íç=NRM°`  
NMM  
NMM  
s
p
qg=Z=OR°`=íç=NRM°`X=odp=Z=N=jΩ  
s
d
VGS  
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s
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ID25  
IDM  
q`=Z=OR°`  
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^
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q`=Z=OR°`I  
éìäëÉ=ïáÇíÜ=äáãáíÉÇ=Äó=ã~ñK=qgj  
p=Z=pçìêÅÉ  
d=Z=d~íÉ  
a=Z=aê~áå  
^=Z=^åçÇÉ  
h=Z=`~íÜçÇÉ  
IAR  
q`=Z=OR°`  
NMM  
QR  
^
EAR  
oÉéÉíáíáîÉ  
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Features  
ߦ
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dv/dt  
fp==fajI=JÇáLÇí==NMM=^LµëI=saa==sapp  
qg==NRM°`I=od=Z=O=Ω  
I
R
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 ^äìãáåáìã=åáíêáÇÉ=áëçä~íáçå  
J ÜáÖÜ=éçïÉê=Çáëëáé~íáçå  
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s
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^
^
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====================TMM  
====^  
(dv/dt)CR  
PD  
N
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t
q`=Z=OR°`  
NRM  
J êÉÇìÅÉÇ=ocf  
TJ  
JQM=KKK=HNRM  
NRM  
°`  
°`  
°`  
Applications  
ߦ
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ÄìÅâ=êÉÖìä~íçêë  
TJM  
Tstg  
JQM=KKK=HNRM  
ߦ
 a`=ëÉêîç=~åÇ=êçÄçíáÅ=ÇêáîÉë  
ߦ
 a`= ÅÜçééÉêë  
ߦ
 pïáíÅÜ=êÉäìÅí~åÅÉ=ãçíçê=Åçåíêçäë  
VISOL  
RMLSM=eòI=ojp  
ffpli==N=ã^  
í=Z=N=ãáå  
ORMM  
PMMM  
sú  
sú  
í=Z=N=ë  
Md  
jçìåíáåÖ=íçêèìÉ  
qÉêãáå~ä=ÅçååÉÅíáçå=íçêèìÉ=EjQF  
NKRLNP kãLäÄKáåK  
NKRLNP kãLäÄKáåK  
Advantages  
ߦ
 b~ëó=íç=ãçìåí=ïáíÜ=O=ëÅêÉïë  
Weight  
PM  
Ö
ߦ
 pé~ÅÉ=ë~îáåÖë  
ߦ
 qáÖÜíäó=ÅçìéäÉÇ=pÅÜçííâó=ÇáçÇÉ  
VUSQM^=ENOLMMF  
«=OMMM=fuvp=^ää=êáÖÜíë=êÉëÉêîÉÇ  
IXFN 100N10S1  
IXFN 100N10S2  
IXFN 100N10S3  
Symbol  
VDSS  
TestConditions  
Characteristic Values  
Eqg=Z=OR°`X=ìåäÉëë=çíÜÉêïáëÉ=ëéÉÅáÑáÉÇF  
miniBLOC, SOT-227 B  
min. typ. max.  
sdp Z=M=sX=fa=Z=P=ã^  
sdp Z=M=sX=fa=Z=ORM=µ^  
pN NMM  
pOLpP NMM  
s
s
VGS(th)  
IGSS  
sap Z=sdpX=fa=Z=Q=ã^  
sdp Z=±OM=sa`X=sap=Z=M  
sap Z=sappX=sdp=Z=M=s  
O
Q
s
±NMM å^  
IDSS  
pN  
O
OR  
OM  
N
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µΑ  
ã^  
ã^  
pOLpP  
pN  
pOLpP  
=qg=====Z=NOR°`  
jQ=ëÅêÉïë=EQñF=ëìééäáÉÇ  
aáãK  
jáääáãÉíÉê  
fåÅÜÉë  
jáåK  
jáåK  
j~ñK  
j~ñK  
RDS(on)  
gfs  
sdp Z=NM=sX=fa=Z=MKR==faORX=kçíÉ=N  
sap Z=NM=sX=fa=Z=MKR=faORX=éìäëÉ=íÉëí  
sdp==Z=M=sX=sap=Z=OR=sX=Ñ=Z=N=jeò  
NR  
ãΩ  
^
_
PNKRM  
TKUM  
PNKUU  
UKOM  
NKOQM  
MKPMT  
NKORR  
MKPOP  
PM  
QR  
p
`
a
QKMV  
QKMV  
QKOV  
QKOV  
MKNSN  
MKNSN  
MKNSV  
MKNSV  
Ciss  
QRMM  
NVMM  
NSMM  
UTM  
éc  
éc  
éc  
éc  
b
c
QKMV  
QKOV  
MKNSN  
MKRUT  
MKNSV  
MKRVR  
NQKVN  
NRKNN  
Coss  
pN  
dPMKNO  
PMKPM  
NKNUS  
NKNVP  
e
PUKMM  
PUKOP  
NKQVS  
NKRMR  
pOLpP  
g
NNKSU  
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MKPTU  
Crss  
h
i
MKTS  
MKUQ  
MKMPM  
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MKMPP  
MKRMS  
td(on)  
tr  
td(off)  
tf  
PM  
TM  
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j
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k
l
ORKNR  
NKVU  
ORKQO  
OKNP  
MKVVM  
MKMTU  
NKMMN  
MKMUQ  
sdp Z=NM=sX=sap=Z=MKR=sappX=fa=Z=MKR=faOR  
åë  
åë  
åë  
m
QKVR  
RKVT  
MKNVR  
NKMQR  
MKOPR  
NKMRV  
od Z=NKR =EbñíÉêå~äF  
NMM  
PM  
n
OSKRQ  
OSKVM  
o
p
PKVQ  
QKTO  
QKQO  
QKUR  
MKNRR  
MKNUS  
MKNTQ  
MKNVN  
Qg(on)  
Qgs  
sdp Z=NM=sX=sap=Z=MKR==sappX=fa=Z=MKR==faOR  
NUM  
PS  
å`  
å`  
å`  
q
OQKRV  
JMKMR  
ORKMT  
MKVSU  
MKVUT  
MKMMQ  
r
MKN JMKMMO  
Qgd  
VR  
VSD  
trr  
fc=Z=NMM^X=sdp=Z=M=sX=kçíÉ=N=EpOI=pPF  
NKR  
s
fc=Z=OR=^XJÇáLÇí=Z=NMM=^LµëX=so=Z=OR=s  
OMM  
åë  
QRM  
IRM  
MKU  
S
µ`  
^
RthJC  
RthCK  
MKPR =hLt  
hLt  
MKMR  
SchottkyDiode  
Characteristic Values  
Eqg=Z=OR°`I=ìåäÉëë=çíÜÉêïáëÉ=ëéÉÅáÑáÉÇF  
Symbol  
IR  
TestConditions  
min. typ. max.  
so=Z=sooj  
==O ã^  
OM ã^  
qg=Z=NOR°`X=so=Z=sooj  
VF  
fc=Z=SM=^X sdp=Z=M=sX=kçíÉ=N  
fc=Z=SM=^X sdp=Z=M=s  
fc=Z=NOM=^  
MKUS  
MKTP  
MKVP  
s
s
s
qg=Z=NOR°`  
qg=Z=NOR°`  
RthJC  
RthJK  
=MKU hLt  
hLt  
MKN  
IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.  
fuvp=jlpcbqp=~åÇ=fd_që=~êÉ=ÅçîÉêÉÇ=Äó=çåÉ=çê=ãçêÉ=çÑ=íÜÉ=ÑçääçïáåÖ=rKpK=é~íÉåíëW QIUPRIRVO QIUUNINMS  
QIURMIMTO QIVPNIUQQ  
RIMNTIRMU  
RIMPQITVS  
RIMQVIVSN RINUTINNT RIQUSITNR  
RIMSPIPMT RIOPTIQUN RIPUNIMOR  
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IXF 晶体滤波器3线金属包装[ Crystal Filter 3 Lead Metal Package ] 1 页

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