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FZ400R65KF2

型号：

FZ400R65KF2

描述：

IGBT模块[ IGBT-modules ]

品牌：

INFINEON[ Infineon ]

页数：

8 页

PDF大小：

263 K

下载PDF手册
Technische Information / technical information  
IGBT-Module  
IGBT-modules  
FZ400R65KF2  
IGBT-Wechselrichter / IGBT-inverter  
Höchstzulässige Werte / maximum rated values  
Kollektor-Emitter-Sperrspannung  
collector-emitter voltage  
TÝÎ = 125°C  
TÝÎ = 25°C  
TÝÎ = -50°C  
6500  
6300  
5700  
V†Š»  
V
Kollektor-Dauergleichstrom  
DC-collector current  
T† = 80°C, TÝÎ = 150°C  
t« = 1 ms  
I† ÒÓÑ  
I†ç¢  
PÚÓÚ  
400  
800  
A
A
Periodischer Kollektor Spitzenstrom  
repetitive peak collector current  
Gesamt-Verlustleistung  
total power dissipation  
T† = 25°C, TÝÎ = 150°C  
7,35  
+/-20  
kW  
V
Gate-Emitter-Spitzenspannung  
gate-emitter peak voltage  
V•Š»  
Charakteristische Werte / characteristic values  
min. typ. max.  
Kollektor-Emitter Sättigungsspannung  
collector-emitter saturation voltage  
I† = 400 A, V•Š = 15 V  
I† = 400 A, V•Š = 15 V  
TÝÎ = 25°C  
TÝÎ = 125°C  
4,30 4,90  
5,30 5,90  
V
V
V†Š ÙÈÚ  
V•ŠÚÌ  
Q•  
Gate-Schwellenspannung  
gate threshold voltage  
I† = 70,0 mA, V†Š = V•Š, TÝÎ = 25°C  
V•Š = -15 V ... +15 V, V†Š = 3600V  
TÝÎ = 25°C  
6,4  
7,0  
5,60  
1,1  
8,1  
V
µC  
Â
Gateladung  
gate charge  
Interner Gatewiderstand  
internal gate resistor  
R•ÍÒÚ  
CÍþÙ  
Eingangskapazität  
input capacitance  
f = 1 MHz, TÝÎ = 25°C, V†Š = 25 V, V•Š = 0 V  
f = 1 MHz, TÝÎ = 25°C, V†Š = 25 V, V•Š = 0 V  
V†Š = 6500 V, V•Š = 0 V, TÝÎ = 25°C  
V†Š = 0 V, V•Š = 20 V, TÝÎ = 25°C  
56,0  
nF  
nF  
mA  
Rückwirkungskapazität  
reverse transfer capacitance  
CØþÙ  
Kollektor-Emitter Reststrom  
collector-emitter cut-off current  
I†Š»  
I•Š»  
tÁ ÓÒ  
0,4  
Gate-Emitter Reststrom  
gate-emitter leakage current  
400 nA  
Einschaltverzögerungszeit (ind. Last)  
turn-on delay time (inductive load)  
I† = 400 A, V†Š = 3600 V  
V•Š = ±15 V  
R•ÓÒ = 6,2 Â, C•Š = 44,0 nF  
TÝÎ = 25°C  
TÝÎ = 125°C  
0,75  
0,72  
µs  
µs  
Anstiegszeit (induktive Last)  
rise time (inductive load)  
I† = 400 A, V†Š = 3600 V  
V•Š = ±15 V  
R•ÓÒ = 6,2 Â, C•Š = 44,0 nF  
TÝÎ = 25°C  
TÝÎ = 125°C  
0,37  
0,40  
µs  
µs  
tØ  
tÁ ÓËË  
tË  
Abschaltverzögerungszeit (ind. Last)  
turn-off delay time (inductive load)  
I† = 400 A, V†Š = 3600 V  
V•Š = ±15 V  
R•ÓËË = 44 Â, C•Š = 44,0 nF  
TÝÎ = 25°C  
TÝÎ = 125°C  
5,50  
6,00  
µs  
µs  
Fallzeit (induktive Last)  
fall time (inductive load)  
I† = 400 A, V†Š = 3600 V  
V•Š = ±15 V  
R•ÓËË = 44 Â, C•Š = 44,0 nF  
TÝÎ = 25°C  
TÝÎ = 125°C  
0,40  
0,50  
µs  
µs  
Einschaltverlustenergie pro Puls  
turn-on energy loss per pulse  
I† = 400 A, V†Š = 3600 V, L» = 280 nH  
V•Š = ±15 V  
R•ÓÒ = 6,2 Â, C•Š = 44,0 nF  
TÝÎ = 25°C  
TÝÎ = 125°C  
mJ  
mJ  
EÓÒ  
EÓËË  
4000  
2300  
2000  
Abschaltverlustenergie pro Puls  
turn-off energy loss per pulse  
I† = 400 A, V†Š = 3600 V, L» = 280 nH  
V•Š = ±15 V  
R•ÓËË = 44 Â, C•Š = 44,0 nF  
TÝÎ = 25°C  
TÝÎ = 125°C  
mJ  
mJ  
Kurzschlussverhalten  
SC data  
V•Š ù 15 V, V†† = 4400 V  
I»†  
V†ŠÑÈà = V†Š» -LÙ†Š ·di/dt  
pro IGBT / per IGBT  
pro IGBT / per IGBT  
t« ù 10 µs, TÝÎ = 125°C  
A
Innerer Wärmewiderstand  
thermal resistance, junction to case  
RÚÌœ†  
RÚ̆™  
17,0 K/kW  
Übergangs-Wärmewiderstand  
thermal resistance, case to heatsink  
12,5  
K/kW  
ð«ÈÙÚþ = 1 W/(m·K)  
/
ðÃØþÈÙþ = 1 W/(m·K)  
prepared by: Thomas Dütemeyer  
approved by: Thomas Schütze  
date of publication: 2008-02-20  
revision: 3.0  
1
Technische Information / technical information  
IGBT-Module  
IGBT-modules  
FZ400R65KF2  
Diode-Wechselrichter / diode-inverter  
Höchstzulässige Werte / maximum rated values  
Periodische Spitzensperrspannung  
repetitive peak reverse voltage  
TÝÎ = 125°C  
TÝÎ = 25°C  
TÝÎ = -50°C  
6500  
6300  
5700  
Vçç¢  
V
Dauergleichstrom  
DC forward current  
IŒ  
IŒç¢  
I²t  
400  
800  
A
A
Periodischer Spitzenstrom  
repetitive peak forward current  
t« = 1 ms  
Grenzlastintegral  
I²t - value  
Vç = 0 V, t« = 10 ms, TÝÎ = 125°C  
TÝÎ = 125°C  
87,0  
1200  
10,0  
kA²s  
kW  
µs  
Spitzenverlustleistung  
maximum power dissipation  
P笢  
tŒÓÒ ÑÍÒ  
Mindesteinschaltdauer  
minimum turn-on time  
Charakteristische Werte / characteristic values  
min. typ. max.  
Durchlassspannung  
forward voltage  
IŒ = 400 A, V•Š = 0 V  
IŒ = 400 A, V•Š = 0 V  
TÝÎ = 25°C  
TÝÎ = 125°C  
3,00 3,80 4,60  
3,90 4,70  
V
V
VŒ  
Rückstromspitze  
peak reverse recovery current  
IŒ = 400 A, - diŒ/dt = 1400 A/µs (TÝÎ=125°C) TÝÎ = 25°C  
TÝÎ = 125°C  
540  
660  
A
A
Vç = 3600 V  
V•Š = -15 V  
Iç¢  
Sperrverzögerungsladung  
recovered charge  
IŒ = 400 A, - diŒ/dt = 1400 A/µs (TÝÎ=125°C) TÝÎ = 25°C  
TÝÎ = 125°C  
360  
700  
µC  
µC  
Vç = 3600 V  
V•Š = -15 V  
QØ  
Abschaltenergie pro Puls  
reverse recovery energy  
IŒ = 400 A, - diŒ/dt = 1400 A/µs (TÝÎ=125°C) TÝÎ = 25°C  
Vç = 3600 V  
V•Š = -15 V  
440  
1050  
mJ  
mJ  
TÝÎ = 125°C  
EØþÊ  
Innerer Wärmewiderstand  
thermal resistance, junction to case  
pro Diode / per diode  
RÚÌœ†  
RÚ̆™  
32,0 K/kW  
K/kW  
Übergangs-Wärmewiderstand  
thermal resistance, case to heatsink  
pro Diode / per diode  
/
23,0  
ð«ÈÙÚþ = 1 W/(m·K)  
ðÃØþÈÙþ = 1 W/(m·K)  
prepared by: Thomas Dütemeyer  
approved by: Thomas Schütze  
date of publication: 2008-02-20  
revision: 3.0  
2
Technische Information / technical information  
IGBT-Module  
IGBT-modules  
FZ400R65KF2  
Modul / module  
Isolations-Prüfspannung  
RMS, f = 50 Hz, t = 1 min.  
insulation test voltage  
Vš»¥¡  
Vš»¥¡  
V†Š ‡  
10,2  
5,1  
kV  
kV  
V
Teilentladungs Aussetzspannung  
RMS, f = 50 Hz, Q«‡ typ 10 pC (acc. to IEC 1287)  
partial discharge extinction voltage  
Kollektor-Emitter-Gleichsperrspannung  
TÝÎ = 25°C, 100 fit  
3700  
AlSiC  
AlN  
DC stability  
Material Modulgrundplatte  
material of module baseplate  
Material für innere Isolation  
material for internal insulation  
Kriechstrecke  
creepage distance  
Kontakt - Kühlkörper / terminal to heatsink  
Kontakt - Kontakt / terminal to terminal  
56,0  
56,0  
mm  
mm  
Luftstrecke  
clearance distance  
Kontakt - Kühlkörper / terminal to heatsink  
Kontakt - Kontakt / terminal to terminal  
26,0  
26,0  
Vergleichszahl der Kriechwegbildung  
comparative tracking index  
CTI  
> 600  
min. typ. max.  
8,00  
Übergangs-Wärmewiderstand  
thermal resistance, case to heatsink  
pro Modul / per module  
ð«ÈÙÚþ = 1 W/(m·K) / ðÃØþÈÙþ = 1 W/(m·K)  
RÚ̆™  
LÙ†Š  
K/kW  
nH  
Modulinduktivität  
stray inductance module  
20  
Modulleitungswiderstand,  
Anschlüsse - Chip  
module lead resistance,  
terminals - chip  
T† = 25°C, pro Schalter / per switch  
R††óôŠŠó  
0,18  
m  
Höchstzulässige Sperrschichttemperatur  
maximum junction temperature  
Wechselrichter, Brems-Chopper / Inverter, Brake-Chopper TÝÎ ÑÈà  
150  
°C  
°C  
°C  
Temperatur im Schaltbetrieb  
temperature under switching conditions  
Wechselrichter, Brems-Chopper / Inverter, Brake-Chopper TÝÎ ÓÔ  
TÙÚÃ  
-50  
-55  
125  
125  
Lagertemperatur  
storage temperature  
Anzugsdrehmoment f. mech. Befestigung Schraube M6 - Montage gem. gültiger Applikation Note  
mounting torque screw M6 - mounting according to valid application note  
M
M
G
4,25  
-
5,75 Nm  
2,1 Nm  
Anzugsdrehmoment f. elektr. Anschlüsse Schraube M4 - Montage gem. gültiger Applikation Note  
1,8  
8,0  
-
-
terminal connection torque  
screw M4 - mounting according to valid application note  
Schraube M8 - Montage gem. gültiger Applikation Note  
screw M8 - mounting according to valid application note  
10  
Nm  
g
Gewicht  
weight  
1000  
prepared by: Thomas Dütemeyer  
approved by: Thomas Schütze  
date of publication: 2008-02-20  
revision: 3.0  
3
Technische Information / technical information  
IGBT-Module  
IGBT-modules  
FZ400R65KF2  
Ausgangskennlinie IGBT-Wechselr. (typisch)  
output characteristic IGBT-inverter (typical)  
I† = f (V†Š)  
Ausgangskennlinienfeld IGBT-Wechselr. (typisch)  
output characteristic IGBT-inverter (typical)  
I† = f (V†Š)  
TÝÎ = 125°C  
V•Š = 15 V  
800  
800  
TÝÎ = 25°C  
TÝÎ = 125°C  
V•Š = 20 V  
V•Š = 15 V  
V•Š = 12 V  
V•Š = 10 V  
700  
700  
600  
500  
400  
300  
200  
100  
0
600  
500  
400  
300  
200  
100  
0
0,0 1,0 2,0 3,0 4,0 5,0 6,0 7,0 8,0 9,0 10,0  
V†Š [V]  
0,0 1,0 2,0 3,0 4,0 5,0 6,0 7,0 8,0 9,0 10,0  
V†Š [V]  
Übertragungscharakteristik IGBT-Wechselr. (typisch)  
transfer characteristic IGBT-inverter (typical)  
I† = f (V•Š)  
Schaltverluste IGBT-Wechselr. (typisch)  
switching losses IGBT-inverter (typical)  
EÓÒ = f (I†), EÓËË = f (I†)  
V†Š = 20 V  
V•Š = ±15 V, R•ÓÒ = 6.2 Â, R•ÓËË = 44 Â, V†Š = 3600 V,  
C•Š = 44 nF  
800  
11000  
TÝÎ = 25°C  
TÝÎ = 125°C  
EÓÒ, TÝÎ = 125°C  
EÓËË, TÝÎ = 125°C  
10000  
9000  
8000  
7000  
6000  
5000  
4000  
3000  
2000  
1000  
0
700  
600  
500  
400  
300  
200  
100  
0
5
6
7
8
9 10  
V•Š [V]  
11  
12  
13  
14  
0
100 200 300 400 500 600 700 800  
I† [A]  
prepared by: Thomas Dütemeyer  
approved by: Thomas Schütze  
date of publication: 2008-02-20  
revision: 3.0  
4
Technische Information / technical information  
IGBT-Module  
IGBT-modules  
FZ400R65KF2  
Schaltverluste IGBT-Wechselr. (typisch)  
switching losses IGBT-Inverter (typical)  
EÓÒ = f (R•), EÓËË = f (R•)  
Transienter Wärmewiderstand IGBT-Wechselr.  
transient thermal impedance IGBT-inverter  
ZÚÌœ† = f (t)  
V•Š = ±15 V, I† = 400 A, V†Š = 3600 V, C•Š = 44 nF  
8000  
100  
EÓÒ, TÝÎ = 125°C  
EÓËË, TÝÎ = 125°C  
ZÚÌœ† : IGBT  
7000  
6000  
5000  
4000  
3000  
2000  
1000  
0
10  
i:  
1
2
3
rÍ[K/kW]: 7,65 4,25 1,02 4,08  
4
τÍ[s]:  
0,03 0,1 0,3  
1
1
0,01  
0
10  
20  
30  
R• [Â]  
40  
50  
60  
70  
0,1  
1
t [s]  
10  
100  
Sicherer Rückwärts-Arbeitsbereich IGBT-Wr. (RBSOA)  
reverse bias safe operating area IGBT-inv. (RBSOA)  
I† = f (V†Š)  
Durchlasskennlinie der Diode-Wechselr. (typisch)  
forward characteristic of diode-inverter (typical)  
IŒ = f (VŒ)  
V•Š = ±15 V, R•ÓËË = 44 Â, TÝÎ = 125°C, C•Š = 44 nF  
900  
800  
TÝÎ = 125°C  
TÝÎ = 25°C  
TÝÎ = 25°C  
TÝÎ = 125°C  
800  
700  
700  
600  
500  
400  
300  
200  
100  
0
600  
500  
400  
300  
200  
100  
0
2000  
3000  
4000  
5000  
6000  
7000  
0,0  
1,0  
2,0  
3,0  
VŒ [V]  
4,0  
5,0  
6,0  
V†Š [V]  
prepared by: Thomas Dütemeyer  
approved by: Thomas Schütze  
date of publication: 2008-02-20  
revision: 3.0  
5
Technische Information / technical information  
IGBT-Module  
IGBT-modules  
FZ400R65KF2  
Schaltverluste Diode-Wechselr. (typisch)  
switching losses diode-inverter (typical)  
EØþÊ = f (IŒ)  
Schaltverluste Diode-Wechselr. (typisch)  
switching losses diode-inverter (typical)  
EØþÊ = f (R•)  
IŒ = 400 A, V†Š = 3600 V  
R•ÓÒ = 6.2 Â, V†Š = 3600 V  
1600  
1200  
EØþÊ, TÝÎ = 125°C  
EØþÊ, TÝÎ = 125°C  
1100  
1400  
1200  
1000  
800  
600  
400  
200  
0
1000  
900  
800  
700  
600  
500  
400  
300  
200  
100  
0
0
100 200 300 400 500 600 700 800  
IŒ [A]  
0
2
4
6
8
10 12 14 16 18 20  
R• [Â]  
Transienter Wärmewiderstand Diode-Wechselr.  
transient thermal impedance diode-inverter  
ZÚÌœ† = f (t)  
Sicherer Arbeitsbereich Diode-Wechselr. (SOA)  
save operation area diode-inverter (SOA)  
Iç = f(Vç)  
TÝÎ = 125°C  
100  
1000  
ZÚÌœ† : Diode  
Iç, Modul  
900  
800  
700  
600  
500  
400  
300  
200  
100  
0
10  
i:  
rÍ[K/kW]: 14,4  
1
2
8
3
1,92 7,68  
4
τÍ[s]:  
0,03 0,1 0,3  
1
1
0,01  
0,1  
1
t [s]  
10  
100  
0
1000 2000 3000 4000 5000 6000 7000  
Vç [V]  
prepared by: Thomas Dütemeyer  
approved by: Thomas Schütze  
date of publication: 2008-02-20  
revision: 3.0  
6
Technische Information / technical information  
IGBT-Module  
IGBT-modules  
FZ400R65KF2  
Schaltplan / circuit diagram  
Gehäuseabmessungen / package outlines  
prepared by: Thomas Dütemeyer  
approved by: Thomas Schütze  
date of publication: 2008-02-20  
revision: 3.0  
7
Technische Information / technical information  
IGBT-Module  
IGBT-modules  
FZ400R65KF2  
Nutzungsbedingungen  
Die in diesem Produktdatenblatt enthaltenen Daten sind ausschließlich für technisch geschultes Fachpersonal bestimmt. Die  
Beurteilung der Eignung dieses Produktes für Ihre Anwendung sowie die Beurteilung der Vollständigkeit der bereitgestellten  
Produktdaten für diese Anwendung obliegt Ihnen bzw. Ihren technischen Abteilungen.  
In diesem Produktdatenblatt werden diejenigen Merkmale beschrieben, für die wir eine liefervertragliche Gewährleistung  
übernehmen. Eine solche Gewährleistung richtet sich ausschließlich nach Maßgabe der im jeweiligen Liefervertrag enthaltenen  
Bestimmungen. Garantien jeglicher Art werden für das Produkt und dessen Eigenschaften keinesfalls übernommen.  
Sollten Sie von uns Produktinformationen benötigen, die über den Inhalt dieses Produktdatenblatts hinausgehen und  
insbesondere eine spezifische Verwendung und den Einsatz dieses Produktes betreffen, setzen Sie sich bitte mit dem für Sie  
zuständigen Vertriebsbüro in Verbindung (siehe www.infineon.com, Vertrieb&Kontakt). Für Interessenten halten wir Application  
Notes bereit.  
Aufgrund der technischen Anforderungen könnte unser Produkt gesundheitsgefährdende Substanzen enthalten. Bei Rückfragen  
zu den in diesem Produkt jeweils enthaltenen Substanzen setzen Sie sich bitte ebenfalls mit dem für Sie zuständigen Vertriebsbüro  
in Verbindung.  
Sollten Sie beabsichtigen, das Produkt in Anwendungen der Luftfahrt, in gesundheits- oder lebensgefährdenden oder  
lebenserhaltenden Anwendungsbereichen einzusetzen, bitten wir um Mitteilung. Wir weisen darauf hin, dass wir für diese Fälle  
- die gemeinsame Durchführung eines Risiko- und Qualitätsassessments;  
- den Abschluss von speziellen Qualitätssicherungsvereinbarungen;  
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of any such measures.  
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Changes of this product data sheet are reserved.  
prepared by: Thomas Dütemeyer  
approved by: Thomas Schütze  
date of publication: 2008-02-20  
revision: 3.0  
8
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 		FZ400R06KF 晶体管| IGBT | N -CHAN | 600V V（ BR ） CES | 400A I（C ） | M ： HL093HW048\n[ TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 400A I(C) | M:HL093HW048 ] 1 页

ETC

 		FZ400R06KF2 晶体管| IGBT | N -CHAN | 600V V（ BR ） CES | 400A I（C ） | M ： HL093HW048\n[ TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 400A I(C) | M:HL093HW048 ] 2 页

ETC

 		FZ400R06KF3 晶体管| IGBT功率模块|独立| 600V V（ BR ） CES | 400A I（C ）\n[ TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | INDEPENDENT | 600V V(BR)CES | 400A I(C) ] 1 页

ETC

 		FZ400R06KL 晶体管| IGBT | N -CHAN | 600V V（ BR ） CES | 400A I（C ） | M ： HL093HW048\n[ TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 400A I(C) | M:HL093HW048 ] 1 页

ETC

 		FZ400R06KL2 晶体管| IGBT功率模块|独立| 600V V（ BR ） CES | 400A I（C ）\n[ TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | INDEPENDENT | 600V V(BR)CES | 400A I(C) ] 2 页

ETC

 		FZ400R10KF2 晶体管| IGBT | N -CHAN | 1KV V（ BR ） CES | 400A I（C ） | M ： HL093HW048\n[ TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 1KV V(BR)CES | 400A I(C) | M:HL093HW048 ] 1 页

EUPEC

 		FZ400R12KE3 IGBT逆变器[ IGBT-inverter ] 8 页

INFINEON

 		FZ400R12KE3B1 [ Insulated Gate Bipolar Transistor, 650A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, ] 8 页

INFINEON

 		FZ400R12KE3B1HOSA1 [ Insulated Gate Bipolar Transistor, 650A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, ] 8 页

INFINEON

 		FZ400R12KE3HOSA1 [ Insulated Gate Bipolar Transistor, 650A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-5 ] 8 页

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