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FZ400R33KL2C_B5

型号：

FZ400R33KL2C_B5

描述：

IGBT模块[ IGBT-modules ]

品牌：

EUPEC[ EUPEC GMBH ]

页数：

8 页

PDF大小：

257 K

下载PDF手册
Technische Information / technical information  
IGBT-Module  
IGBT-modules  
FZ400R33KL2C_B5  
Vorläufige Daten  
preliminary data  
IGBT-Wechselrichter / IGBT-inverter  
Höchstzulässige Werte / maximum rated values  
Kollektor-Emitter-Sperrspannung  
collector-emitter voltage  
TÝÎ = 25°C  
TÝÎ = -25°C  
3300  
V†Š»  
3300  
V
Kollektor-Dauergleichstrom  
DC-collector current  
T† = 80°C, TÝÎ = 150°C  
T† = 25°C, TÝÎ = 150°C  
I† ÒÓÑ  
I†  
400  
750  
A
A
Periodischer Kollektor Spitzenstrom  
repetitive peak collector current  
t« = 1 ms, T† = 80°C  
I†ç¢  
PÚÓÚ  
800  
4,90  
+/-20  
A
kW  
V
Gesamt-Verlustleistung  
total power dissipation  
T† = 25°C, TÝÎ = 150°C  
Gate-Emitter-Spitzenspannung  
gate-emitter peak voltage  
V•Š»  
Charakteristische Werte / characteristic values  
min. typ. max.  
Kollektor-Emitter Sättigungsspannung  
collector-emitter saturation voltage  
I† = 400 A, V•Š = 15 V  
I† = 400 A, V•Š = 15 V  
TÝÎ = 25°C  
TÝÎ = 125°C  
3,00 3,65  
3,70 4,45  
V
V
V†Š ÙÈÚ  
V•ŠÚÌ  
Q•  
Gate-Schwellenspannung  
gate threshold voltage  
I† = 40,0 mA, V†Š = V•Š, TÝÎ = 25°C  
V•Š = -15 V ... +15 V, V†Š = 1800V  
TÝÎ = 25°C  
4,2  
5,1  
7,50  
1,3  
6,0  
V
µC  
Â
Gateladung  
gate charge  
Interner Gatewiderstand  
internal gate resistor  
R•ÍÒÚ  
CÍþÙ  
Eingangskapazität  
input capacitance  
f = 1 MHz, TÝÎ = 25°C, V†Š = 25 V, V•Š = 0 V  
f = 1 MHz, TÝÎ = 25°C, V†Š = 25 V, V•Š = 0 V  
V†Š = 3300 V, V•Š = 0 V, TÝÎ = 25°C  
V†Š = 0 V, V•Š = 20 V, TÝÎ = 25°C  
48,0  
2,70  
nF  
nF  
mA  
nA  
Rückwirkungskapazität  
reverse transfer capacitance  
CØþÙ  
I†Š»  
Kollektor-Emitter Reststrom  
collector-emitter cut-off current  
5,0  
Gate-Emitter Reststrom  
gate-emitter leakage current  
I•Š»  
tÁ ÓÒ  
400  
Einschaltverzögerungszeit (ind. Last)  
turn-on delay time (inductive load)  
I† = 400 A, V†Š = 1800 V  
V•Š = ±15 V  
R•ÓÒ = 13 Â, C•Š = 100 nF  
TÝÎ = 25°C  
TÝÎ = 125°C  
1,00  
1,00  
µs  
µs  
Anstiegszeit (induktive Last)  
rise time (inductive load)  
I† = 400 A, V†Š = 1800 V  
V•Š = ±15 V  
R•ÓÒ = 13 Â, C•Š = 100 nF  
TÝÎ = 25°C  
TÝÎ = 125°C  
0,40  
0,40  
µs  
µs  
tØ  
tÁ ÓËË  
tË  
Abschaltverzögerungszeit (ind. Last)  
turn-off delay time (inductive load)  
I† = 400 A, V†Š = 1800 V  
V•Š = ±15 V  
R•ÓËË = 13 Â, C•Š = 100 nF  
TÝÎ = 25°C  
TÝÎ = 125°C  
3,70  
3,90  
µs  
µs  
Fallzeit (induktive Last)  
fall time (inductive load)  
I† = 400 A, V†Š = 1800 V  
V•Š = ±15 V  
R•ÓËË = 13 Â, C•Š = 100 nF  
TÝÎ = 25°C  
TÝÎ = 125°C  
0,25  
0,35  
µs  
µs  
Einschaltverlustenergie pro Puls  
turn-on energy loss per pulse  
I† = 400 A, V†Š = 1800 V, dI/dt = 3000 A/µs TÝÎ = 25°C  
TÝÎ = 125°C  
900  
1200  
mJ  
mJ  
V•Š = ±15 V, L» = 60 nH  
R•ÓÒ = 6,2 Â, C•Š = 100 nF  
EÓÒ  
Abschaltverlustenergie pro Puls  
turn-off energy loss per pulse  
I† = 400 A, V†Š = 1800 V  
V•Š = ±15 V, L» = 60 nH  
R•ÓËË = 13 Â, C•Š = 100 nF  
TÝÎ = 25°C  
TÝÎ = 125°C  
440  
600  
mJ  
mJ  
EÓËË  
Kurzschlußverhalten  
SC data  
t« ù 10 µs, V•Š ù 15 V  
TÝÎ = 125°C, V†† = 2500 V, V†ŠÑÈà = V†Š» -LÙ†Š ·di/dt  
I»†  
1800  
24,0  
A
Innerer Wärmewiderstand  
thermal resistance, junction to case  
pro IGBT  
per IGBT  
RÚÌœ†  
25,5 K/kW  
K/kW  
Übergangs-Wärmewiderstand  
thermal resistance, case to heatsink  
pro IGBT / per IGBT  
ð«ÈÙÚþ = 1 W/(m·K)  
RÚ̆™  
/
ðÃØþÈÙþ = 1 W/(m·K)  
prepared by: Karl-Heinz Hoppe  
approved by: Thomas Schütze  
date of publication: 2004-4-8  
revision: 2.0  
1
Technische Information / technical information  
IGBT-Module  
IGBT-modules  
FZ400R33KL2C_B5  
Vorläufige Daten  
preliminary data  
Diode-Wechselrichter / diode-inverter  
Höchstzulässige Werte / maximum rated values  
Periodische Spitzensperrspannung  
repetitive peak reverse voltage  
TÝÎ = 25°C  
TÝÎ = -25°C  
3300  
Vçç¢  
3300  
V
A
Dauergleichstrom  
DC forward current  
IŒ  
IŒç¢  
I²t  
400  
800  
72,0  
600  
10,0  
Periodischer Spitzenstrom  
repetitive peak forward current  
t« = 1 ms  
A
Grenzlastintegral  
I²t - value  
Vç = 0 V, t« = 10 ms, TÝÎ = 125°C  
TÝÎ = 125°C  
kA²s  
kW  
µs  
Spitzenverlustleistung  
maximum power dissipation  
P笢  
tŒÓÒ ÑÍÒ  
Mindesteinschaltdauer  
minimum turn-on time  
Charakteristische Werte / characteristic values  
min. typ. max.  
Durchlassspannung  
forward voltage  
IŒ = 400 A, V•Š = 0 V  
IŒ = 400 A, V•Š = 0 V  
TÝÎ = 25°C  
TÝÎ = 125°C  
2,60 t.b.d.  
2,55  
V
V
VŒ  
Rückstromspitze  
peak reverse recovery current  
IŒ = 400 A, - diŒ/dt = 3000 A/µs  
Vç = 1800 V  
V•Š = -15 V  
TÝÎ = 25°C  
TÝÎ = 125°C  
600  
670  
A
A
Iç¢  
Sperrverzögerungsladung  
recovered charge  
IŒ = 400 A, - diŒ/dt = 3000 A/µs  
Vç = 1800 V  
V•Š = -15 V  
TÝÎ = 25°C  
TÝÎ = 125°C  
270  
480  
µC  
µC  
QØ  
Abschaltenergie pro Puls  
reverse recovery energy  
IŒ = 400 A, - diŒ/dt = 3000 A/µs  
Vç = 1800 V  
V•Š = -15 V  
TÝÎ = 25°C  
TÝÎ = 125°C  
250  
500  
mJ  
mJ  
EØþÊ  
Innerer Wärmewiderstand  
thermal resistance, junction to case  
pro Diode  
per diode  
RÚÌœ†  
RÚ̆™  
51,0 K/kW  
K/kW  
Übergangs-Wärmewiderstand  
thermal resistance, case to heatsink  
pro Diode / per diode  
/
48,0  
ð«ÈÙÚþ = 1 W/(m·K)  
ðÃØþÈÙþ = 1 W/(m·K)  
prepared by: Karl-Heinz Hoppe  
approved by: Thomas Schütze  
date of publication: 2004-4-8  
revision: 2.0  
2
Technische Information / technical information  
IGBT-Module  
IGBT-modules  
FZ400R33KL2C_B5  
Vorläufige Daten  
preliminary data  
Modul / module  
Isolations-Prüfspannung  
RMS, f = 50 Hz, t = 1 min.  
insulation test voltage  
Vš»¥¡  
Vš»¥¡  
V†Š ‡  
10,2  
5,1  
kV  
kV  
V
Teilentladungs Aussetzspannung  
RMS, f = 50 Hz, Q«‡ typ 10 pC (acc. to IEC 1287)  
partial discharge extinction voltage  
Kollektor-Emitter-Gleichsperrspannung  
TÝÎ = 25°C, 100 fit  
2150  
AlSiC  
AlN  
DC stability  
Material Modulgrundplatte  
material of module baseplate  
Material für innere Isolation  
material for internal insulation  
Kriechstrecke  
creepage distance  
Kontakt - Kühlkörper / terminal to heatsink  
Kontakt - Kontakt / terminal to terminal  
64,0  
56,0  
mm  
mm  
Luftstrecke  
clearance distance  
Kontakt - Kühlkörper / terminal to heatsink  
Kontakt - Kontakt / terminal to terminal  
40,0  
26,0  
Vergleichszahl der Kriechwegbildung  
comparative tracking index  
CTI  
> 600  
min. typ. max.  
16,0  
Übergangs-Wärmewiderstand  
thermal resistance, case to heatsink  
pro Modul / per module  
ð«ÈÙÚþ = 1 W/(m·K) / ðÃØþÈÙþ = 1 W/(m·K)  
RÚ̆™  
LÙ†Š  
K/kW  
nH  
Modulinduktivität  
stray inductance module  
25  
Modulleitungswiderstand,  
Anschlüsse - Chip  
module lead resistance,  
terminals - chip  
T† = 25°C, pro Schalter / per switch  
R††óôŠŠó  
0,37  
m  
Höchstzulässige Sperrschichttemperatur  
maximum junction temperature  
Wechselrichter / inverter  
Wechselrichter / inverter  
TÝÎ ÑÈà  
TÝÎ ÓÔ  
TÙÚÃ  
M
150  
°C  
°C  
°C  
Temperatur im Schaltbetrieb  
temperature under switching conditions  
-40  
-40  
125  
125  
Lagertemperatur  
storage temperature  
Anzugsdrehmoment f. mech. Befestigung  
mounting torque  
Schraube / screw M6  
Schraube / screw M8  
4,25  
8,0  
-
-
5,75 Nm  
Anzugsdrehmoment f. elektr. Anschlüsse  
terminal connection torque  
M
10  
Nm  
g
Gewicht  
weight  
G
500  
Mit dieser technischen Information werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine  
Eigenschaften zugesichert. Sie gilt in Verbindung mit den zugehörigen technischen Erläuterungen.  
This technical information specifies semiconductor devices but guarantees no characteristics.  
It is valid with the appropriate technical explanations.  
prepared by: Karl-Heinz Hoppe  
approved by: Thomas Schütze  
date of publication: 2004-4-8  
revision: 2.0  
3
Technische Information / technical information  
IGBT-Module  
IGBT-modules  
FZ400R33KL2C_B5  
Vorläufige Daten  
preliminary data  
Ausgangskennlinie IGBT-Wechselr. (typisch)  
output characteristic IGBT-inverter (typical)  
I† = f (V†Š)  
Ausgangskennlinienfeld IGBT-Wechselr. (typisch)  
output characteristic IGBT-inverter (typical)  
I† = f (V†Š)  
V•Š = 15 V  
TÝÎ = 125°C  
800  
800  
TÝÎ = 25°C  
TÝÎ = 125°C  
V•Š = 20V  
V•Š = 15V  
V•Š = 12V  
700  
667  
V•Š = 10V  
V•Š = 9V  
V•Š = 8V  
600  
500  
400  
300  
200  
100  
533  
400  
267  
133  
0
0
0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 3,5 4,0 4,5 5,0 5,5 6,0 6,5 7,0  
V†Š [V]  
0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 3,5 4,0 4,5 5,0 5,5 6,0 6,5 7,0  
V†Š [V]  
Übertragungscharakteristik IGBT-Wechselr. (typisch)  
transfer characteristic IGBT-inverter (typical)  
I† = f (V•Š)  
Schaltverluste IGBT-Wechselr. (typisch)  
switching losses IGBT-inverter (typical)  
EÓÒ = f (I†), EÓËË = f (I†)  
V†Š = 20 V  
V•Š = ±15 V, R•ÓÒ = 6,2 Â, R•ÓËË = 13 Â, V†Š = 1800 V,  
C•Š = 100 nF  
800  
3000  
TÝÎ = 25°C  
TÝÎ = 125°C  
2700  
2400  
2100  
1800  
1500  
1200  
900  
EÓÒ, TÝÎ = 125°C  
EÓËË, TÝÎ = 125°C  
700  
600  
500  
400  
300  
200  
100  
0
600  
300  
0
5
6
7
8
9
V•Š [V]  
10  
11  
12  
13  
0
100 200 300 400 500 600 700 800  
I† [A]  
prepared by: Karl-Heinz Hoppe  
approved by: Thomas Schütze  
date of publication: 2004-4-8  
revision: 2.0  
4
Technische Information / technical information  
IGBT-Module  
IGBT-modules  
FZ400R33KL2C_B5  
Vorläufige Daten  
preliminary data  
Schaltverluste IGBT-Wechselr. (typisch)  
switching losses IGBT-Inverter (typical)  
EÓÒ = f (R•), EÓËË = f (R•)  
Transienter Wärmewiderstand IGBT-Wechselr.  
transient thermal impedance IGBT-inverter  
ZÚÌœ† = f (t)  
V•Š = ±15 V, I† = 400 A, V†Š = 1800 V, C•Š = 100 nF  
4000  
100  
3600  
3200  
2800  
2400  
2000  
1600  
1200  
800  
EÓÒ, TÝÎ = 125°C  
EÓËË, TÝÎ = 125°C  
ZÚÌœ† : IGBT  
10  
1
i:  
1
2
3
rÍ[K/kW]: 11,475 6,375 1,53 6,12  
4
400  
τÍ[s]:  
0,03  
0,1  
0,3  
1
0
0,1  
0,001  
0
5
10  
15  
20 25  
R• [Â]  
30  
35  
40  
45  
0,01  
0,1  
t [s]  
1
10  
Sicherer Rückwärts-Arbeitsbereich IGBT-Wr. (RBSOA)  
reverse bias safe operating area IGBT-inv. (RBSOA)  
I† = f (V†Š)  
Durchlaßkennlinie der Diode-Wechselr. (typisch)  
forward characteristic of diode-inverter (typical)  
IŒ = f (VŒ)  
V•Š = ±15 V, R•ÓËË = 13 Â, TÝÎ = 125°C, C•Š = 100 nF  
1000  
800  
600  
400  
200  
800  
TÝÎ = 25°C  
TÝÎ = 125°C  
700  
600  
500  
400  
300  
200  
100  
0
I†, Modul  
I†, Chip  
0
0
500  
1000 1500 2000 2500 3000 3500  
V†Š [V]  
0,0  
0,5  
1,0  
1,5  
2,0  
VŒ [V]  
2,5  
3,0  
3,5  
4,0  
prepared by: Karl-Heinz Hoppe  
approved by: Thomas Schütze  
date of publication: 2004-4-8  
revision: 2.0  
5
Technische Information / technical information  
IGBT-Module  
IGBT-modules  
FZ400R33KL2C_B5  
Vorläufige Daten  
preliminary data  
Schaltverluste Diode-Wechselr. (typisch)  
switching losses diode-inverter (typical)  
EØþÊ = f (IŒ)  
Schaltverluste Diode-Wechselr. (typisch)  
switching losses diode-inverter (typical)  
EØþÊ = f (R•)  
R•ÓÒ = 6,2 Â, V†Š = 1800 V  
IŒ = 400 A, V†Š = 1800 V  
800  
600  
EØþÊ, TÝÎ = 125°C  
EØþÊ, TÝÎ = 125°C  
700  
500  
400  
300  
200  
100  
0
600  
500  
400  
300  
200  
100  
0
0
100 200 300 400 500 600 700 800  
IŒ [A]  
0
5
10  
15  
R• [Â]  
20  
25  
30  
35  
Transienter Wärmewiderstand Diode-Wechselr.  
transient thermal impedance diode-inverter  
ZÚÌœ† = f (t)  
Sicherer Arbeitsbereich Diode-Wechselr. (SOA)  
save operation area diode-inverter (SOA)  
Iç = f(Vç)  
TÝÎ = 125°C  
100  
1000  
800  
600  
400  
ZÚÌœ† : Diode  
10  
1
200  
i:  
1
2
3
rÍ[K/kW]: 22,95 12,75 3,06 12,24  
4
Iç, Modul  
τÍ[s]:  
0,03 0,1  
0,3  
1
0,1  
0,001  
0
0,01  
0,1  
t [s]  
1
10  
0
500  
1000 1500 2000 2500 3000 3500  
Vç [V]  
prepared by: Karl-Heinz Hoppe  
approved by: Thomas Schütze  
date of publication: 2004-4-8  
revision: 2.0  
6
Technische Information / technical information  
IGBT-Module  
IGBT-modules  
FZ400R33KL2C_B5  
Vorläufige Daten  
preliminary data  
Schaltplan / circuit diagram  
Gehäuseabmessungen / package outlines  
prepared by: Karl-Heinz Hoppe  
approved by: Thomas Schütze  
date of publication: 2004-4-8  
revision: 2.0  
7
Nutzungsbedingungen  
Die in diesem Produktdatenblatt enthaltenen Daten sind ausschließlich für technisch geschultes Fachpersonal bestimmt. Die  
Beurteilung der Geeignetheit dieses Produktes für die von Ihnen anvisierte Anwendung sowie die Beurteilung der Vollständigkeit der  
bereitgestellten Produktdaten für diese Anwendung obliegt Ihnen bzw. Ihren technischen Abteilungen.  
In diesem Produktdatenblatt werden diejenigen Merkmale beschrieben, für die wir eine liefervertragliche Gewährleistung  
übernehmen. Eine solche Gewährleistung richtet sich ausschließlich nach Maßgabe der im jeweiligen Liefervertrag enthaltenen  
Bestimmungen. Garantien jeglicher Art werden für das Produkt und dessen Eigenschaften keinesfalls übernommen.  
Sollten Sie von uns Produktinformationen benötigen, die über den Inhalt dieses Produktdatenblatts hinausgehen und insbesondere  
eine spezifische Verwendung und den Einsatz dieses Produktes betreffen, setzen Sie sich bitte mit dem für Sie zuständigen  
Vertriebsbüro in Verbindung (siehe www.eupec.com, Vertrieb&Kontakt). Für Interessenten halten wir Application Notes bereit.  
Aufgrund der technischen Anforderungen könnte unser Produkt gesundheitsgefährdende Substanzen enthalten. Bei Rückfragen zu  
den in diesem Produkt jeweils enthaltenen Substanzen setzen Sie sich bitte ebenfalls mit dem für Sie zuständigen Vertriebsbüro in  
Verbindung.  
Sollten Sie beabsichtigen, das Produkt in Anwendungen der Luftfahrt, in gesundheits- oder lebensgefährdenden oder  
lebenserhaltenden Anwendungsbereichen einzusetzen, bitten wir um Mitteilung. Wir weisen darauf hin, dass wir für diese Fälle  
- die gemeinsame Durchführung eines Risiko- und Qualitätsassessments;  
- den Abschluss von speziellen Qualitätssicherungsvereinbarungen;  
- die gemeinsame Einführung von Maßnahmen zu einer laufenden Produktbeobachtung dringend  
empfehlen und gegebenenfalls die Belieferung von der Umsetzung solcher Maßnahmen abhängig  
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Soweit erforderlich, bitten wir Sie, entsprechende Hinweise an Ihre Kunden zu geben.  
Inhaltliche Änderungen dieses Produktdatenblatts bleiben vorbehalten.  
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- to perform joint Risk and Quality Assessments;  
- the conclusion of Quality Agreements;  
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the realization of any such measures.  
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Changes of this product data sheet are reserved.  
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 		FZ400R06KF 晶体管| IGBT | N -CHAN | 600V V（ BR ） CES | 400A I（C ） | M ： HL093HW048\n[ TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 400A I(C) | M:HL093HW048 ] 1 页

ETC

 		FZ400R06KF2 晶体管| IGBT | N -CHAN | 600V V（ BR ） CES | 400A I（C ） | M ： HL093HW048\n[ TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 400A I(C) | M:HL093HW048 ] 2 页

ETC

 		FZ400R06KF3 晶体管| IGBT功率模块|独立| 600V V（ BR ） CES | 400A I（C ）\n[ TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | INDEPENDENT | 600V V(BR)CES | 400A I(C) ] 1 页

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 		FZ400R06KL 晶体管| IGBT | N -CHAN | 600V V（ BR ） CES | 400A I（C ） | M ： HL093HW048\n[ TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 400A I(C) | M:HL093HW048 ] 1 页

ETC

 		FZ400R06KL2 晶体管| IGBT功率模块|独立| 600V V（ BR ） CES | 400A I（C ）\n[ TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | INDEPENDENT | 600V V(BR)CES | 400A I(C) ] 2 页

ETC

 		FZ400R10KF2 晶体管| IGBT | N -CHAN | 1KV V（ BR ） CES | 400A I（C ） | M ： HL093HW048\n[ TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 1KV V(BR)CES | 400A I(C) | M:HL093HW048 ] 1 页

EUPEC

 		FZ400R12KE3 IGBT逆变器[ IGBT-inverter ] 8 页

INFINEON

 		FZ400R12KE3B1 [ Insulated Gate Bipolar Transistor, 650A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, ] 8 页

INFINEON

 		FZ400R12KE3B1HOSA1 [ Insulated Gate Bipolar Transistor, 650A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, ] 8 页

INFINEON

 		FZ400R12KE3HOSA1 [ Insulated Gate Bipolar Transistor, 650A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-5 ] 8 页

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