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FZ400R17KE4

型号：

FZ400R17KE4

描述：

62毫米C系列模块，带沟槽/ fieldstopp IGBT4和发射极控制二极管[ 62mm C-Series module with trench/fieldstopp IGBT4 and Emitter Controlled Diode ]

品牌：

INFINEON[ Infineon ]

页数：

9 页

PDF大小：

491 K

下载PDF手册
Technische Information / technical information  
FZ400R17KE4  
62mm C-Serien Modul mit Trench/Feldstopp IGBT4 und Emitter Controlled Diode  
62mm C-Series module with trench/fieldstop IGBT4 and Emitter Controlled Diode  
Vorläufige Daten / preliminary data  
V†Š» = 1700V  
I† ÒÓÑ = 400A / I†ç¢ = 800A  
Typische Anwendungen  
Typical Applications  
Hochleistungsumrichter  
Motorantriebe  
High Power Converters  
Motor Drives  
•
•
•
•
•
•
•
•
USV-Systeme  
UPS Systems  
Windgeneratoren  
Wind Turbines  
Elektrische Eigenschaften  
Electrical Features  
Erweiterte Sperrschichttemperatur TÝÎ ÓÔ  
Niedriges V†ŠÙÈÚ  
Extended Operation Temperature TÝÎ ÓÔ  
Low V†ŠÙÈÚ  
•
•
•
•
•
•
•
•
Sehr große Robustheit  
Unbeatable Robustness  
V†ŠÙÈÚ mit positivem Temperaturkoeffizienten  
V†ŠÙÈÚ with positive Temperature Coefficient  
Mechanische Eigenschaften  
Mechanical Features  
4 kV AC 1min Isolationsfestigkeit  
Gehäuse mit CTI > 400  
Große Luft- und Kriechstrecken  
Isolierte Bodenplatte  
4 kV AC 1min Insulation  
Package with CTI > 400  
High Creepage and Clearance Distances  
Isolated Base Plate  
•
•
•
•
•
•
•
•
•
•
Standardgehäuse  
Standard Housing  
Module Label Code  
Barcode Code 128  
Content of the Code  
Digit  
Module Serial Number  
1 - 5  
Module Material Number  
Production Order Number  
Datecode (Production Year)  
Datecode (Production Week)  
6 - 11  
12 - 19  
20 - 21  
22 - 23  
DMX - Code  
prepared by: MK  
approved by: WR  
date of publication: 2011-01-07  
revision: 2.2  
material no: 34106  
1
Technische Information / technical information  
FZ400R17KE4  
Vorläufige Daten  
preliminary data  
IGBT-Wechselrichter / IGBT-inverter  
Höchstzulässige Werte / maximum rated values  
Kollektor-Emitter-Sperrspannung  
collector-emitter voltage  
TÝÎ = 25°C  
V†Š»  
1700  
V
Kollektor-Dauergleichstrom  
DC-collector current  
T† = 100°C, TÝÎ = 175°C  
T† = 25°C, TÝÎ = 175°C  
I† ÒÓÑ  
I†  
400  
550  
A
A
Periodischer Kollektor Spitzenstrom  
repetitive peak collector current  
t« = 1 ms  
I†ç¢  
PÚÓÚ  
800  
2500  
+/-20  
A
W
V
Gesamt-Verlustleistung  
total power dissipation  
T† = 25°C, TÝÎ = 175°C  
Gate-Emitter-Spitzenspannung  
gate-emitter peak voltage  
V•Š»  
Charakteristische Werte / characteristic values  
min. typ. max.  
Kollektor-Emitter Sättigungsspannung  
collector-emitter saturation voltage  
I† = 400 A, V•Š = 15 V  
I† = 400 A, V•Š = 15 V  
I† = 400 A, V•Š = 15 V  
TÝÎ = 25°C  
TÝÎ = 125°C V†Š ÙÈÚ  
TÝÎ = 150°C  
1,95 2,30  
2,35  
2,45  
V
V
V
Gate-Schwellenspannung  
gate threshold voltage  
I† = 16,0 mA, V†Š = V•Š, TÝÎ = 25°C  
V•Š = -15 V ... +15 V  
V•ŠÚÌ  
Q•  
5,2  
5,8  
6,10  
1,9  
6,4  
V
µC  
Â
Gateladung  
gate charge  
Interner Gatewiderstand  
internal gate resistor  
TÝÎ = 25°C  
R•ÍÒÚ  
CÍþÙ  
CØþÙ  
I†Š»  
I•Š»  
Eingangskapazität  
input capacitance  
f = 1 MHz, TÝÎ = 25°C, V†Š = 25 V, V•Š = 0 V  
f = 1 MHz, TÝÎ = 25°C, V†Š = 25 V, V•Š = 0 V  
V†Š = 1700 V, V•Š = 0 V, TÝÎ = 25°C  
V†Š = 0 V, V•Š = 20 V, TÝÎ = 25°C  
49,0  
1,60  
nF  
nF  
mA  
Rückwirkungskapazität  
reverse transfer capacitance  
Kollektor-Emitter Reststrom  
collector-emitter cut-off current  
1,0  
Gate-Emitter Reststrom  
gate-emitter leakage current  
100 nA  
Einschaltverzögerungszeit (ind. Last)  
turn-on delay time (inductive load)  
I† = 400 A, V†Š = 900 V  
V•Š = ±15 V  
R•ÓÒ = 1,8 Â  
TÝÎ = 25°C  
tÁ ÓÒ  
0,24  
0,28  
0,30  
µs  
µs  
µs  
TÝÎ = 125°C  
TÝÎ = 150°C  
Anstiegszeit (induktive Last)  
rise time (inductive load)  
I† = 400 A, V†Š = 900 V  
V•Š = ±15 V  
R•ÓÒ = 1,8 Â  
TÝÎ = 25°C  
tØ  
0,05  
0,055  
0,055  
µs  
µs  
µs  
TÝÎ = 125°C  
TÝÎ = 150°C  
Abschaltverzögerungszeit (ind. Last)  
turn-off delay time (inductive load)  
I† = 400 A, V†Š = 900 V  
V•Š = ±15 V  
R•ÓËË = 1,8 Â  
TÝÎ = 25°C  
tÁ ÓËË  
0,70  
0,74  
0,78  
µs  
µs  
µs  
TÝÎ = 125°C  
TÝÎ = 150°C  
Fallzeit (induktive Last)  
fall time (inductive load)  
I† = 400 A, V†Š = 900 V  
V•Š = ±15 V  
R•ÓËË = 1,8 Â  
TÝÎ = 25°C  
tË  
0,08  
0,13  
0,15  
µs  
µs  
µs  
TÝÎ = 125°C  
TÝÎ = 150°C  
Einschaltverlustenergie pro Puls  
turn-on energy loss per pulse  
I† = 400 A, V†Š = 900 V, L» = 60 nH TÝÎ = 25°C  
V•Š = ±15 V, di/dt = 4200 A/µs (TÝÎ=150°C) TÝÎ = 125°C  
70,0  
100  
110  
mJ  
mJ  
mJ  
EÓÒ  
R•ÓÒ = 1,8 Â  
TÝÎ = 150°C  
Abschaltverlustenergie pro Puls  
turn-off energy loss per pulse  
I† = 400 A, V†Š = 900 V, L» = 60 nH TÝÎ = 25°C  
V•Š = ±15 V, du/dt = 3000 V/µs (TÝÎ=150°C) TÝÎ = 125°C  
85,0  
125  
140  
mJ  
mJ  
mJ  
EÓËË  
R•ÓËË = 1,8 Â  
TÝÎ = 150°C  
Kurzschlussverhalten  
SC data  
V•Š ù 15 V, V†† = 1000 V  
V†ŠÑÈà = V†Š» -LÙ†Š ·di/dt  
I»†  
t« ù 10 µs, TÝÎ = 150°C  
1800  
A
Innerer Wärmewiderstand  
thermal resistance, junction to case  
pro IGBT / per IGBT  
pro IGBT / per IGBT  
ð«ÈÙÚþ = 1 W/(m·K)  
RÚÌœ†  
RÚ̆™  
0,06 K/W  
Übergangs-Wärmewiderstand  
thermal resistance, case to heatsink  
0,018  
K/W  
/
ðÃØþÈÙþ = 1 W/(m·K)  
prepared by: MK  
approved by: WR  
date of publication: 2011-01-07  
revision: 2.2  
2
Technische Information / technical information  
FZ400R17KE4  
Vorläufige Daten  
preliminary data  
Diode-Wechselrichter / diode-inverter  
Höchstzulässige Werte / maximum rated values  
Periodische Spitzensperrspannung  
repetitive peak reverse voltage  
TÝÎ = 25°C  
Vçç¢  
1700  
400  
V
A
A
Dauergleichstrom  
DC forward current  
IŒ  
IŒç¢  
I²t  
Periodischer Spitzenstrom  
t« = 1 ms  
800  
repetitive peak forward current  
Grenzlastintegral  
I²t - value  
Vç = 0 V, t« = 10 ms, TÝÎ = 125°C  
Vç = 0 V, t« = 10 ms, TÝÎ = 150°C  
25500  
25000  
A²s  
A²s  
Charakteristische Werte / characteristic values  
min. typ. max.  
Durchlassspannung  
forward voltage  
IŒ = 400 A, V•Š = 0 V  
IŒ = 400 A, V•Š = 0 V  
IŒ = 400 A, V•Š = 0 V  
TÝÎ = 25°C  
TÝÎ = 125°C  
TÝÎ = 150°C  
1,80 2,20  
1,90  
1,95  
V
V
V
VŒ  
Iç¢  
QØ  
Rückstromspitze  
peak reverse recovery current  
IŒ = 400 A, - diŒ/dt = 4200 A/µs (TÝÎ=150°C) TÝÎ = 25°C  
TÝÎ = 125°C  
TÝÎ = 150°C  
320  
360  
380  
A
A
A
Vç = 900 V  
V•Š = -15 V  
Sperrverzögerungsladung  
recovered charge  
IŒ = 400 A, - diŒ/dt = 4200 A/µs (TÝÎ=150°C) TÝÎ = 25°C  
TÝÎ = 125°C  
TÝÎ = 150°C  
80,0  
150  
160  
µC  
µC  
µC  
Vç = 900 V  
V•Š = -15 V  
Abschaltenergie pro Puls  
reverse recovery energy  
IŒ = 400 A, - diŒ/dt = 4200 A/µs (TÝÎ=150°C) TÝÎ = 25°C  
TÝÎ = 125°C  
TÝÎ = 150°C  
47,0  
96,0  
110  
mJ  
mJ  
mJ  
Vç = 900 V  
V•Š = -15 V  
EØþÊ  
Innerer Wärmewiderstand  
thermal resistance, junction to case  
pro Diode / per diode  
pro Diode / per diode  
RÚÌœ†  
RÚ̆™  
0,08 K/W  
K/W  
Übergangs-Wärmewiderstand  
thermal resistance, case to heatsink  
0,023  
ð«ÈÙÚþ = 1 W/(m·K)  
/
ðÃØþÈÙþ = 1 W/(m·K)  
prepared by: MK  
approved by: WR  
date of publication: 2011-01-07  
revision: 2.2  
3
Technische Information / technical information  
FZ400R17KE4  
Vorläufige Daten  
preliminary data  
Modul / module  
Isolations-Prüfspannung  
RMS, f = 50 Hz, t = 1 min.  
insulation test voltage  
Vš»¥¡  
4,0  
Cu  
kV  
Material Modulgrundplatte  
material of module baseplate  
Material für innere Isolation  
material for internal insulation  
AlèOé  
Kriechstrecke  
creepage distance  
Kontakt - Kühlkörper / terminal to heatsink  
Kontakt - Kontakt / terminal to terminal  
25,0  
19,0  
mm  
mm  
Luftstrecke  
clearance distance  
Kontakt - Kühlkörper / terminal to heatsink  
Kontakt - Kontakt / terminal to terminal  
25,0  
10,0  
Vergleichszahl der Kriechwegbildung  
comparative tracking index  
CTI  
> 400  
min. typ. max.  
0,01  
Übergangs-Wärmewiderstand  
thermal resistance, case to heatsink  
pro Modul / per module  
ð«ÈÙÚþ = 1 W/(m·K) / ðÃØþÈÙþ = 1 W/(m·K)  
RÚ̆™  
LÙ†Š  
K/W  
nH  
Modulinduktivität  
stray inductance module  
16  
Modulleitungswiderstand,  
Anschlüsse - Chip  
module lead resistance,  
terminals - chip  
T† = 25°C, pro Schalter / per switch  
R††óôŠŠó  
0,50  
m  
Höchstzulässige Sperrschichttemperatur  
maximum junction temperature  
Wechselrichter, Brems-Chopper / Inverter, Brake-Chopper  
Wechselrichter, Brems-Chopper / Inverter, Brake-Chopper  
TÝÎ ÑÈà  
TÝÎ ÓÔ  
TÙÚÃ  
175  
°C  
°C  
°C  
Temperatur im Schaltbetrieb  
temperature under switching conditions  
-40  
-40  
150  
125  
Lagertemperatur  
storage temperature  
Anzugsdrehmoment f. mech. Befestigung  
mounting torque  
Schraube M6 - Montage gem. gültiger Applikation Note  
screw M6 - mounting according to valid application note  
M
3,00  
-
6,00 Nm  
Anzugsdrehmoment f. elektr. Anschlüsse  
terminal connection torque  
Schraube M4 - Montage gem. gültiger Applikation Note  
screw M4 - mounting according to valid application note  
Schraube M6 - Montage gem. gültiger Applikation Note  
screw M6 - mounting according to valid application note  
1,1  
2,5  
-
-
2,0 Nm  
5,0 Nm  
M
G
Gewicht  
weight  
340  
g
prepared by: MK  
approved by: WR  
date of publication: 2011-01-07  
revision: 2.2  
4
Technische Information / technical information  
FZ400R17KE4  
Vorläufige Daten  
preliminary data  
Ausgangskennlinie IGBT-Wechselr. (typisch)  
output characteristic IGBT-inverter (typical)  
I† = f (V†Š)  
Ausgangskennlinienfeld IGBT-Wechselr. (typisch)  
output characteristic IGBT-inverter (typical)  
I† = f (V†Š)  
TÝÎ = 150°C  
V•Š = 15 V  
800  
800  
700  
600  
500  
400  
300  
200  
100  
0
TÝÎ = 25°C  
TÝÎ = 125°C  
TÝÎ = 150°C  
V•Š = 20V  
V•Š = 15V  
V•Š = 12V  
V•Š = 10V  
V•Š = 9V  
V•Š = 8V  
700  
600  
500  
400  
300  
200  
100  
0
0,0  
0,5  
1,0  
1,5  
2,0  
V†Š [V]  
2,5  
3,0  
3,5  
4,0  
0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 3,5 4,0 4,5 5,0  
V†Š [V]  
Übertragungscharakteristik IGBT-Wechselr. (typisch)  
transfer characteristic IGBT-inverter (typical)  
I† = f (V•Š)  
Schaltverluste IGBT-Wechselr. (typisch)  
switching losses IGBT-inverter (typical)  
EÓÒ = f (I†), EÓËË = f (I†)  
V†Š = 20 V  
V•Š = ±15 V, R•ÓÒ = 1.8 Â, R•ÓËË = 1.8 Â, V†Š = 900 V  
800  
240  
TÝÎ = 25°C  
TÝÎ = 125°C  
TÝÎ = 150°C  
EÓÒ, TÝÎ = 125°C  
220  
200  
180  
160  
140  
120  
100  
80  
EÓÒ, TÝÎ = 150°C  
EÓËË, TÝÎ = 125°C  
EÓËË, TÝÎ = 150°C  
700  
600  
500  
400  
300  
200  
100  
0
60  
40  
20  
0
5
6
7
8
9
V•Š [V]  
10  
11  
12  
13  
0
100 200 300 400 500 600 700 800  
I† [A]  
prepared by: MK  
approved by: WR  
date of publication: 2011-01-07  
revision: 2.2  
5
Technische Information / technical information  
FZ400R17KE4  
Vorläufige Daten  
preliminary data  
Schaltverluste IGBT-Wechselr. (typisch)  
switching losses IGBT-Inverter (typical)  
EÓÒ = f (R•), EÓËË = f (R•)  
Transienter Wärmewiderstand IGBT-Wechselr.  
transient thermal impedance IGBT-inverter  
ZÚÌœ† = f (t)  
V•Š = ±15 V, I† = 400 A, V†Š = 900 V  
500  
0,1  
EÓÒ, TÝÎ = 125°C  
EÓÒ, TÝÎ = 150°C  
EÓËË, TÝÎ = 125°C  
EÓËË, TÝÎ = 150°C  
ZÚÌœ† : IGBT  
450  
400  
350  
300  
250  
200  
150  
100  
50  
0,01  
i:  
1
2
3
4
rÍ[K/W]: 0,002 0,0092 0,0426 0,0063  
τÍ[s]: 0,0008 0,013 0,05 0,6  
0
0,001  
0,001  
0
2
4
6
8 10  
R• [Â]  
12  
14  
16  
18  
0,01  
0,1  
t [s]  
1
10  
Sicherer Rückwärts-Arbeitsbereich IGBT-Wr. (RBSOA)  
reverse bias safe operating area IGBT-inv. (RBSOA)  
I† = f (V†Š)  
Durchlasskennlinie der Diode-Wechselr. (typisch)  
forward characteristic of diode-inverter (typical)  
IŒ = f (VŒ)  
V•Š = ±15 V, R•ÓËË = 1.8 Â, TÝÎ = 150°C  
1000  
800  
I†, Modul  
I†, Chip  
TÝÎ = 25°C  
TÝÎ = 125°C  
TÝÎ = 150°C  
700  
600  
500  
400  
300  
200  
100  
0
800  
600  
400  
200  
0
0
400  
800  
1200  
1600  
2000  
0,0  
0,5  
1,0  
1,5  
VŒ [V]  
2,0  
2,5  
3,0  
V†Š [V]  
prepared by: MK  
approved by: WR  
date of publication: 2011-01-07  
revision: 2.2  
6
Technische Information / technical information  
FZ400R17KE4  
Vorläufige Daten  
preliminary data  
Schaltverluste Diode-Wechselr. (typisch)  
switching losses diode-inverter (typical)  
EØþÊ = f (IŒ)  
Schaltverluste Diode-Wechselr. (typisch)  
switching losses diode-inverter (typical)  
EØþÊ = f (R•)  
R•ÓÒ = 1.8 Â, V†Š = 900 V  
IŒ = 400 A, V†Š = 900 V  
150  
130  
EØþÊ, TÝÎ = 125°C  
EØþÊ, TÝÎ = 150°C  
EØþÊ, TÝÎ = 125°C  
EØþÊ, TÝÎ = 150°C  
120  
110  
100  
90  
80  
70  
60  
50  
40  
30  
20  
10  
0
135  
120  
105  
90  
75  
60  
45  
30  
15  
0
0
100 200 300 400 500 600 700 800  
IŒ [A]  
0
2
4
6
8 10  
R• [Â]  
12  
14  
16  
18  
Transienter Wärmewiderstand Diode-Wechselr.  
transient thermal impedance diode-inverter  
ZÚÌœ† = f (t)  
0,1  
ZÚÌœ† : Diode  
0,01  
i:  
1
2
3
rÍ[K/W]: 0,00266223 0,01224626 0,05670549 0,008386023  
4
τÍ[s]:  
0,0008  
0,013  
0,05  
0,6  
0,001  
0,001  
0,01  
0,1  
t [s]  
1
10  
prepared by: MK  
approved by: WR  
date of publication: 2011-01-07  
revision: 2.2  
7
Technische Information / technical information  
FZ400R17KE4  
Vorläufige Daten  
preliminary data  
Schaltplan / circuit diagram  
Gehäuseabmessungen / package outlines  
Infineon  
prepared by: MK  
approved by: WR  
date of publication: 2011-01-07  
revision: 2.2  
8
Technische Information / technical information  
FZ400R17KE4  
Vorläufige Daten  
preliminary data  
Nutzungsbedingungen  
Die in diesem Produktdatenblatt enthaltenen Daten sind ausschließlich für technisch geschultes Fachpersonal bestimmt. Die  
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Bestimmungen. Garantien jeglicher Art werden für das Produkt und dessen Eigenschaften keinesfalls übernommen.  
Sollten Sie von uns Produktinformationen benötigen, die über den Inhalt dieses Produktdatenblatts hinausgehen und insbesondere  
eine spezifische Verwendung und den Einsatz dieses Produktes betreffen, setzen Sie sich bitte mit dem für Sie zuständigen  
Vertriebsbüro in Verbindung (siehe www.infineon.com, Vertrieb&Kontakt). Für Interessenten halten wir Application Notes bereit.  
Aufgrund der technischen Anforderungen könnte unser Produkt gesundheitsgefährdende Substanzen enthalten. Bei Rückfragen zu  
den in diesem Produkt jeweils enthaltenen Substanzen setzen Sie sich bitte ebenfalls mit dem für Sie zuständigen Vertriebsbüro in  
Verbindung.  
Sollten Sie beabsichtigen, das Produkt in Anwendungen der Luftfahrt, in gesundheits- oder lebensgefährdenden oder  
lebenserhaltenden Anwendungsbereichen einzusetzen, bitten wir um Mitteilung. Wir weisen darauf hin, dass wir für diese Fälle  
- die gemeinsame Durchführung eines Risiko- und Qualitätsassessments;  
- den Abschluss von speziellen Qualitätssicherungsvereinbarungen;  
- die gemeinsame Einführung von Maßnahmen zu einer laufenden Produktbeobachtung dringend empfehlen und  
gegebenenfalls die Belieferung von der Umsetzung solcher Maßnahmen abhängig machen.  
Soweit erforderlich, bitten wir Sie, entsprechende Hinweise an Ihre Kunden zu geben.  
Inhaltliche Änderungen dieses Produktdatenblatts bleiben vorbehalten.  
Terms & Conditions of usage  
The data contained in this product data sheet is exclusively intended for technically trained staff. You and your technical  
departments will have to evaluate the suitability of the product for the intended application and the completeness of the product  
data with respect to such application.  
This product data sheet is describing the characteristics of this product for which a warranty is granted. Any such warranty is  
granted exclusively pursuant the terms and conditions of the supply agreement. There will be no guarantee of any kind for the  
product and its characteristics.  
Should you require product information in excess of the data given in this product data sheet or which concerns the specific  
application of our product, please contact the sales office, which is responsible for you (see www.infineon.com, sales&contact). For  
those that are specifically interested we may provide application notes.  
Due to technical requirements our product may contain dangerous substances. For information on the types in question please  
contact the sales office, which is responsible for you.  
Should you intend to use the Product in aviation applications, in health or live endangering or life support applications, please  
notify. Please note, that for any such applications we urgently recommend  
- to perform joint Risk and Quality Assessments;  
- the conclusion of Quality Agreements;  
- to establish joint measures of an ongoing product survey,  
and that we may make delivery depended on the realization  
of any such measures.  
If and to the extent necessary, please forward equivalent notices to your customers.  
Changes of this product data sheet are reserved.  
prepared by: MK  
approved by: WR  
date of publication: 2011-01-07  
revision: 2.2  
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厂商 型号 描述 页数 下载

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 		FZ400R06KF 晶体管| IGBT | N -CHAN | 600V V（ BR ） CES | 400A I（C ） | M ： HL093HW048\n[ TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 400A I(C) | M:HL093HW048 ] 1 页

ETC

 		FZ400R06KF2 晶体管| IGBT | N -CHAN | 600V V（ BR ） CES | 400A I（C ） | M ： HL093HW048\n[ TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 400A I(C) | M:HL093HW048 ] 2 页

ETC

 		FZ400R06KF3 晶体管| IGBT功率模块|独立| 600V V（ BR ） CES | 400A I（C ）\n[ TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | INDEPENDENT | 600V V(BR)CES | 400A I(C) ] 1 页

ETC

 		FZ400R06KL 晶体管| IGBT | N -CHAN | 600V V（ BR ） CES | 400A I（C ） | M ： HL093HW048\n[ TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 400A I(C) | M:HL093HW048 ] 1 页

ETC

 		FZ400R06KL2 晶体管| IGBT功率模块|独立| 600V V（ BR ） CES | 400A I（C ）\n[ TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | INDEPENDENT | 600V V(BR)CES | 400A I(C) ] 2 页

ETC

 		FZ400R10KF2 晶体管| IGBT | N -CHAN | 1KV V（ BR ） CES | 400A I（C ） | M ： HL093HW048\n[ TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 1KV V(BR)CES | 400A I(C) | M:HL093HW048 ] 1 页

EUPEC

 		FZ400R12KE3 IGBT逆变器[ IGBT-inverter ] 8 页

INFINEON

 		FZ400R12KE3B1 [ Insulated Gate Bipolar Transistor, 650A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, ] 8 页

INFINEON

 		FZ400R12KE3B1HOSA1 [ Insulated Gate Bipolar Transistor, 650A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, ] 8 页

INFINEON

 		FZ400R12KE3HOSA1 [ Insulated Gate Bipolar Transistor, 650A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-5 ] 8 页

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