网关连接机器人配置案例

关于Devicenet总线Devicenet网络作为工厂设备网，最大可以操作64个节点（即一个网络上允许从在64个从站），可用的通讯波特率分别为125kbps、250kbps和500kbps三种。设备可由DeviceNet总线供电或使用独立电源供电。一台支持DeviceNet网络的机器人对上可以作为下层设备的主站，对下可以作为PLC或其他可作为主站的设备的从站。硬件连接如图连接好总线电缆和总线电源

功率半导体强势增长。。

“华润微公司在深圳的投资已经超过200亿元，润鹏半导体12英寸集成电路生产线项目已经在2024年12月顺利实现投产，也意味着我们正式加入深圳市半导体的大家庭。” 华润微电子有限公司副总裁马卫清在2025中国（深圳）集成电路峰会表示。2025年功率半导体市场有哪些机遇？全球功率半导体的头部厂商和中国厂商在占有率上有哪些变化？汽车企业自研SIC器件有哪些进展？本文结合华润微电子有限公司副总裁马卫清的观

如何区别断路器壳架电流、额定电流和整定电流

最近大家讨论比较多的话题是如何区别断路器壳架电流、额定电流和整定电流，以及三者之间有何联系。比如当你看到NSX100N-TM80D断路器的面板时，NSX100N的数字“100”，TM80D的数字80，以及56/80分别代表什么含义呢？图1 NSX100N-TM80D断路器面板对于Compact NSX100N塑壳断路器，它可以安装16A~100A共8种热磁式脱扣器，见图2和图3。图2 NSX断路器

行业最快！国产协作机器人迎重磅新品

近日，深圳市越疆科技股份有限公司（以下简称 “越疆”）推出全新一代协作机器人机型 —— 大负载协作机器人 CR30H。该机器人负载达 30 公斤，关节速度达到 300°/s，刷新了同类产品性能纪录，堪称行业最快。公开资料显示，越疆成立于 2015 年，由山东大学毕业研究生刘培超创立。公司致力于智能机器人研发与应用创新，专注于智能机械臂及其他智能硬件产品的研发、生产、销售及服务。在协作机器人领域，越

摆脱依赖!！转向使用谷歌芯片

近日，据知情人士透露，OpenAI近期已开始租用谷歌的张量处理单元（TPU），为旗下ChatGPT等热门产品提供算力支持。这一举措不仅标志着OpenAI首次实质性地使用非英伟达芯片，更显示出其正在逐步摆脱对英伟达芯片的深度依赖，在算力布局上迈出了重要战略调整的一步。OpenAI依赖英伟达GPU的算力支持在人工智能飞速发展的当下，OpenAI作为行业领军者，对算力的需求呈现出爆发式增长。以OpenA

车载产业起飞！国产新品密集炸场

伴随汽车智能化趋势的加速，SerDes在数据传输方面的关键地位，使其成为了汽车芯片中增长速度极快的细分产品。近两年，已经有多家海外芯片大厂通过收购布局SerDes芯片，包括恩智浦在去年12月宣布以2.4亿美元现金收购美国车载SerDes初创公司Aviva Links；Microchip在去年4月宣布完成对韩国车载高速链路技术公司VSI的收购；今年6月高通宣布以24 亿美元收购SerDes巨头Alp

中国厂商主导全球四足机器人市场

近日，国际数据公司（IDC）发布《全球四足机器人市场份额，2024：中国厂商领跑，具身智能开启多元行业应用》报告。数据显示，2024 年全球四足机器人市场规模超 1.8 亿美元，出货量约 2 万台，中国厂商及消费级应用成为市场主导力量。四足机器人的主要技术应用四足机器人是模仿动物四肢运动模式的仿生机器人，通过四条腿的协调运动实现移动，具备出色的地形适应性与灵活性。在运动逻辑上，四足机器人多模仿狗、

EMIB-T让AI芯片起飞！！

近日，英特尔在电子元件技术大会上披露了EMIB-T（Embedded Multi-die Interconnect Bridge with TSV）技术。这是是英特尔在原有EMIB技术基础上引入硅通孔（TSV）的重大升级，旨在解决高性能计算、AI加速器和数据中心芯片的异构集成挑战。其核心是通过垂直互连提升封装密度和性能，同时降低功耗和延迟。传统EMIB利用嵌入在封装基板中的硅桥，实现多颗裸晶之间的

AI大模型加速上车，联手高通

“2025高通汽车技术与合作峰会”在苏州举行，阿里云副总裁徐栋带来通义大模型在发展方向的最新思考，以及汽车领域的端云侧落地的方案。通义系列模型衍生数量超Llama，三大方向形成阿里巴巴的“AI大模型” 通义千问大模型最初于2023年4月7日开始邀请测试，并在2023年4月11日的阿里云峰会上正式揭晓。徐栋在会议上提及，阿里巴巴在AI大模型上有两个品牌：一个是通义千问VL，另外一个是通义万相，Qwe

电动汽车时代，BCD工艺成为关键

随着汽车电动化的演进，BCD工艺在汽车半导体领域正在变得越来越关键。BCD即Bipolar-CMOS-DMOS，顾名思义这种工艺是将双极晶体管（Bipolar）、互补金属氧化物半导体（CMOS）、双扩散金属氧化物半导体（DMOS）三种器件集成在同一芯片上。结合双极晶体管的高驱动能力、CMOS的高集成度与低功耗，以及DMOS的高压大电流特性，能够降低芯片面积，提高性能。BCD工艺由意法半导体于198