这种新的技术包括：1)将编程期间的热电子注入效率提高到20倍的存储单元操作技术；2)降低多级编程开销的多级高速编程电路技术。这种电路技术已经应用到瑞萨公司批量生产的4Gb AG-AND闪存(90纳米工艺技术)。

　　这两种新开发的技术有望成为制造90纳米以上AG-AND闪存中高速多级存储器的基础技术。