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英飞凌70纳米DRAM研发成功
近日,英飞凌(Infineon)宣布该公司在内存蚀刻技术上取得了重大突破,采用深度沟槽(Deep Trench)的下一代DRAM已经研发成功。
据悉,新一代DRAM将采用70nm工艺。Infineon表示,采用70nm技术后,集成电路板的尺寸将较目前的产品减小30%,希望通过70nm技术进一步提高300mm晶圆体内存颗粒的容量和产量。