三星提前量产8G NAND闪存
3月21日消息,据DRAM模块制造商透露,三星电子将于4月初提前量产其8G MLC NAND(与非)闪存,预计4月底即可供货。
据Digitimes报道,该日期要早于三星公司此前的预期。三星存储产品部门副总裁Kim Il-ung去年10月份曾表示,公司计划于2005年第四季度量产这种8G的NAND闪存。
三星公司表示,他们将在短期内将产品样本提供给合作伙伴。据悉,该闪存产品基于60纳米、12英寸硅晶圆制造工艺。
据业内消息称,在推出8GNAND闪存后的数月内,三星还将推出16G MLC NAND闪存。按照原计划,三星本应于2007年推出该产品。
据调查结果显示,三星目前拥有NAND闪存市场65%的份额。